搜索历史

清空
搜索热词
      0
      • 聊天消息
      • 系统消息
      • 评论与回复
      查看更多
      查看更多
      查看更多
      VIP于 到期 续费
      登录后你可以
      • 下载海量资料
      • 学习在线课程
      • 观看技术视频
      • 写文章/发帖/加入社区
      会员中心
      创作中心
      发布
      创作活动

      完善资料让更多小伙伴认识你，还能领取20积分哦，立即完善>

      3天内不再提示

      英飞凌新品—CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列的产品特点

      儒卓力 • 来源：儒卓力 • 2024-03-22 14:08 • 次阅读
      加入交流群
      微信小助手二维码

      扫码添加小助手

      加入工程师交流群

      CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封装，规格为12-100mΩ。由于采用了.XT互联技术，CoolSiC技术的输出电流能力强，可靠性提高。

      产品型号：

      IMYH200R012M1H

      IMYH200R024M1H

      IMYH200R050M1H

      IMYH200R075M1H

      IMYH200R0100M1H

      产品特点

      VDSS=2000V，可用于最高母线电压为1500VDC系统

      开关损耗极低

      创新的HCC封装

      针脚间爬电距离为14毫米

      5.4毫米电气间隙

      栅极阈值电压，VGS(th)=4.5V

      用于硬换流的坚固体二极管

      .XT互联技术可实现同类最佳的散热性能

      高耐湿性

      应用价值

      市场上首款分立式碳化硅MOSFET器件，阻断电压高达2000V

      1500V的DC的变流器可以用两电平实现

      与1700V SiC MOSFET相比，1500 VDC系统具有足够的过压裕量

      创新的TO-247封装，具有高爬电距离和间隙

      应用领域

      光伏逆变器

      储能系统

      电动汽车充电



      审核编辑：刘清

      声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。 举报投诉
      • MOSFET
        MOSFET
        +关注

        关注

        151

        文章

        10835

        浏览量

        235095
      • SiC
        SiC
        +关注

        关注

        32

        文章

        3875

        浏览量

        70210
      • 输出电流
        输出电流
        +关注

        关注

        0

        文章

        822

        浏览量

        18145
      • 光伏逆变器
        光伏逆变器
        +关注

        关注

        10

        文章

        588

        浏览量

        33708
      • 储能系统
        储能系统
        +关注

        关注

        6

        文章

        1246

        浏览量

        26629

      原文标题：英飞凌新品 | 2000V 12-100mΩ CoolSiC™ MOSFET

      文章出处：【微信号：儒卓力，微信公众号：儒卓力】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。

      收藏 人收藏
      加入交流群
      微信小助手二维码

      扫码添加小助手

      加入工程师交流群

        评论

        相关推荐
        热点推荐

        丰田新款bZ4X车型采用英飞凌CoolSiC MOSFET产品

        英飞凌科技股份公司近日宣布，全球最大汽车制造商丰田已在其新款车型bZ4X中采用了英飞凌的CoolSiC MOSFET(碳化硅功率MOSFET
        的头像 发表于 03-11 15:26 •574次阅读

        新品 | 英飞凌XHP™ 2系列2300V CoolSiC™ 碳化硅MOSFET

        新品英飞凌XHP2系列2300VCoolSiC碳化硅MOSFET为顺应可再生能源领域中1500V直流母线应用日益增长的趋势，
        的头像 发表于 02-26 17:06 •1514次阅读
        <b class='flag-5'>新品</b> | <b class='flag-5'>英飞凌</b>XHP™ 2<b class='flag-5'>系列</b>2300<b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>CoolSiC</b>™ 碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>

        新品 | Q-DPAK封装的碳化硅CoolSiC™ 750V MOSFET评估板

        新品Q-DPAK封装的碳化硅CoolSiC750VMOSFET评估板EVAL_QDPAK_FB_V2_1评估板旨在评估采用Q-DPAK封装的CoolSiC750VMOSFET的开关性能
        的头像 发表于 01-29 17:07 •1419次阅读
        <b class='flag-5'>新品</b> | Q-DPAK封装的碳化硅<b class='flag-5'>CoolSiC</b>™ 750<b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>评估板

        EVAL-COOLSIC-2kVHCC评估板：2000V CoolSiC™ MOSFET的理想测试平台

        了解一下英飞凌（Infineon）的EVAL-COOLSIC-2kVHCC评估板，它专为2000V CoolSiC™ MOSFET打造，在测
        的头像 发表于 12-19 17:00 •778次阅读

        CoolSiC™ 1400 V SiC MOSFET G2：高性能碳化硅MOSFET的卓越之选

        的作用。今天，我们要深入探讨的是英飞凌（Infineon）的IMYR140R019M2H CoolSiC™ 1400 V SiC MOSFET
        的头像 发表于 12-18 13:50 •524次阅读

        探索IMYR140R008M2H CoolSiC™ 1400 V SiC MOSFET G2：高性能与多功能的完美结合

        ，我们将深入探讨英飞凌（Infineon）的IMYR140R008M2H CoolSiC™ 1400 V SiC MOSFET G2，这款器
        的头像 发表于 12-18 13:50 •588次阅读

        英飞凌EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ MOSFET 1200V模块荣获2025全球电子成就奖

        11月25日，英飞凌科技EconoDUAL3CoolSiCMOSFET1200V模块荣获2025年全球电子成就奖（WorldElectronicsAchievementAwards）年度功率半导体
        的头像 发表于 11-26 09:32 •1097次阅读
        <b class='flag-5'>英飞凌</b>EconoDUAL™ 3 <b class='flag-5'>CoolSiC</b>™ <b class='flag-5'>MOSFET</b> 1200<b class='flag-5'>V</b>模块荣获2025全球电子成就奖

        CoolSiC™ 2000V SiC 沟槽栅MOSFET定义新能源应用中功率密度增强的新基准

        本文为2024年PCIM论文更多精彩内容请关注2025PCIM本文介绍了新的CoolSiC2000VSiC沟槽栅MOSFET系列。该系列单管产品
        的头像 发表于 08-29 17:10 •1909次阅读
        <b class='flag-5'>CoolSiC</b>™ <b class='flag-5'>2000V</b> <b class='flag-5'>SiC</b> 沟槽栅<b class='flag-5'>MOSFET</b>定义新能源应用中功率密度增强的新基准

        英飞凌CoolSiC™ MOSFET Gen2：性能全面升级，工业应用的理想选择！

        在功率半导体领域，英飞凌最新推出的CoolSiCMOSFETGen2系列产品，单管有D2PAK-7L表贴式和TO-247-4HC高爬电距离通孔式两种封装形式。与上一代产品相比，英飞凌全
        的头像 发表于 08-19 14:45 •5067次阅读
        <b class='flag-5'>英飞凌</b><b class='flag-5'>CoolSiC</b>™ <b class='flag-5'>MOSFET</b> Gen2：性能全面升级，工业应用的理想选择！

        森国科推出2000V SiC分立器件及模块产品

        了 2000V SiC 分立器件及模块产品。森国科的2000V SiC产品系列正是顺应市场需求而
        的头像 发表于 08-16 15:44 •3447次阅读
        森国科推出<b class='flag-5'>2000V</b> <b class='flag-5'>SiC</b>分立器件及模块<b class='flag-5'>产品</b>

        英飞凌新一代750V SiC MOSFET产品亮点

        英飞凌750V CoolSiC 碳化硅MOSFET分立器件具有业界领先的抗寄生导通能力和成熟的栅极氧化层技术，可在Totem Pole、ANPC、Vienna整流器和FCC等硬开关拓扑
        的头像 发表于 06-20 14:44 •1290次阅读

        新品 | 英飞凌EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ SiC MOSFET 1200V模块

        新品英飞凌EconoDUAL3CoolSiCSiCMOSFET1200V模块英飞凌EconoDUAL31200V/1.4mΩCoolSiCS
        的头像 发表于 06-10 17:06 •1669次阅读
        <b class='flag-5'>新品</b> | <b class='flag-5'>英飞凌</b>EconoDUAL™ 3 <b class='flag-5'>CoolSiC</b>™ <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 1200<b class='flag-5'>V</b>模块

        新品 | 采用高性能DCB的Easy B系列CoolSiC™ 2kV SiC MOSFET模块

        新品采用高性能DCB的EasyB系列CoolSiC2kVSiCMOSFET模块英飞凌EasyDUAL和EasyPACK2B2kV、6mΩ半桥和三电平模块采用CoolSiCSiCMOSF
        的头像 发表于 06-03 17:34 •1259次阅读
        <b class='flag-5'>新品</b> | 采用高性能DCB的Easy B<b class='flag-5'>系列</b><b class='flag-5'>CoolSiC</b>™ 2kV <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>模块

        新品 | 采用顶部散热 Q-DPAK封装的 CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET

        新品采用顶部散热Q-DPAK封装的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET英飞凌采用顶部散热Q-DPAK封装的CoolSiC1200VSiCMOSFET单管，专为各种工业应用开发
        的头像 发表于 05-29 17:04 •1351次阅读
        <b class='flag-5'>新品</b> | 采用顶部散热 Q-DPAK封装的 <b class='flag-5'>CoolSiC</b>™ 1200<b class='flag-5'>V</b> G2 <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>

        新品 | 采用顶部散热QDPAK的CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET半桥产品

        新品采用顶部散热QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半桥产品英飞凌采用顶部散热QDPAK的CoolSiC1200VG2
        的头像 发表于 05-27 17:03 •1617次阅读
        <b class='flag-5'>新品</b> | 采用顶部散热QDPAK的<b class='flag-5'>CoolSiC</b>™ 1200<b class='flag-5'>V</b> G2 <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>半桥<b class='flag-5'>产品</b>
        电子发烧友
        My ElecFans
        APP
        网站地图
        设计技术
        可编程逻辑
        电源/新能源
        MEMS/传感技术
        测量仪表
        嵌入式技术
        制造/封装
        模拟技术
        RF/无线
        接口/总线/驱动
        处理器/DSP
        EDA/IC设计
        存储技术
        光电显示
        EMC/EMI设计
        连接器
        行业应用
        LEDs
        汽车电子
        音视频及家电
        通信网络
        医疗电子
        人工智能
        虚拟现实
        可穿戴设备
        机器人
        安全设备/系统
        军用/航空电子
        移动通信
        工业控制
        便携设备
        触控感测
        物联网
        智能电网
        区块链
        新科技
        特色内容
        专栏推荐
        学院
        设计资源
        设计技术
        电子百科
        电子视频
        元器件知识
        工具箱
        VIP会员
        最新技术文章
        产品地图
        品牌地图
        社区
        小组
        论坛
        问答
        评测试用
        企业服务
        产品
        资料
        文章
        方案
        企业
        供应链服务
        硬件开发
        媒体服务
        网站广告
        在线研讨会
        活动策划
        新闻发布
        新品发布
        小测验
        设计大赛
        电子发烧友
        关于我们
        联系我们
        举报投诉
        社交网络
        微博
        移动端
        发烧友APP
        WAP
        联系我们
        广告合作
        王婉珠：wangwanzhu@elecfans.com
        内容合作
        张迎辉：mikezhang@elecfans.com

        • 关注我们的微信

          关注我们的微信

        • 下载发烧友APP

          下载发烧友APP

        • 机器人发烧友

          机器人发烧友

        版权所有 © 长沙勒克斯教育咨询有限公司

        湖南省长沙市开福区月湖街道匍园路20号聚恒科技园1栋2301-1房

        电子发烧友 （电路图） 电信与信息服务业务经营许可证：湘B2-20260003 湘ICP备2023036445号-105-1