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      英飞凌新品—CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列的产品特点

      儒卓力 • 来源：儒卓力 • 2024-03-22 14:08 • 次阅读
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      CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封装，规格为12-100mΩ。由于采用了.XT互联技术，CoolSiC技术的输出电流能力强，可靠性提高。

      产品型号：

      IMYH200R012M1H

      IMYH200R024M1H

      IMYH200R050M1H

      IMYH200R075M1H

      IMYH200R0100M1H

      产品特点

      VDSS=2000V，可用于最高母线电压为1500VDC系统

      开关损耗极低

      创新的HCC封装

      针脚间爬电距离为14毫米

      5.4毫米电气间隙

      栅极阈值电压，VGS(th)=4.5V

      用于硬换流的坚固体二极管

      .XT互联技术可实现同类最佳的散热性能

      高耐湿性

      应用价值

      市场上首款分立式碳化硅MOSFET器件，阻断电压高达2000V

      1500V的DC的变流器可以用两电平实现

      与1700V SiC MOSFET相比，1500 VDC系统具有足够的过压裕量

      创新的TO-247封装，具有高爬电距离和间隙

      应用领域

      光伏逆变器

      储能系统

      电动汽车充电



      审核编辑：刘清

      声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。 举报投诉
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      原文标题：英飞凌新品 | 2000V 12-100mΩ CoolSiC™ MOSFET

      文章出处：【微信号：儒卓力，微信公众号：儒卓力】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。

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