加速落地主驱逆变器，三安光电1200V 13mΩ SiC MOSFET完成验证

电子发烧友网综合报道 近日，三安光电在投资者平台上表示，其主驱逆变器用SiC MOSFET从1200V 16mΩ迭代到1200V 13mΩ，在国内头部电动车企客户处的摸底模块验证已完成。

SiC MOSFET导通电阻的降低，意味着提高器件的开关效率，降低器件在导通状态下的功率损耗。根据Wolfspeed的数据，以100A电流为例，13mΩ 器件的导通损耗为 13W，较 16mΩ 的 16W 降低了 18.75%。

在实际使用中，更低的导通电阻直接转化为更高的系统效率，特别是在像主驱逆变器这样的高功率应用中。

根据三安半导体的资料，目前三安的1200V 13mΩ车规级SiC MOSFET是其第三代产品，通过元胞结构优化，有效优化了导通电阻×FoM（品质因数），显著提升器件综合性能。

据湖南三安介绍，目前其SiC MOSFET产品已经广泛导入到汽车供应链中，车载充电机、空调压缩机用650V 35mΩ/50mΩ、750V 11mΩ、1200V 32mΩ/75mΩ SiC MOSFET已在十余家 Tier 1或整车厂客户处送样验证或实现小批量出货。

目前，湖南三安已拥有6吋碳化硅配套产能16000片/月，8吋碳化硅衬底产能1000片/月、外延产能2000片/月，8吋碳化硅芯片产线正在建设中。

而三安光电与意法半导体合资企业安意法的SiC功率芯片产线也已经在2025年2月实现通线，首次建设产能为2000片/月。为安意法提供碳化硅衬底的配套工厂重庆三安首次建设产能同为2000片/月，目前已经开始逐步释放产能。

今年一季度，三安光电营业收入为43.12亿元，同比增长21.23%；归母净利润为2.12亿元，同比增长78.46%；毛利率16.33%，同比上升了1.73个百分点。

在2024年年报中，三安光电表示，湖南三安 6 吋衬底、外延的工艺及良率持续优化，成本改善效果良好，向国际客户出货规模稳健增长，8 吋衬底及外延已实现小规模量产并在客户端验证。公司持续推进碳化硅衬底在 AI/AR 眼镜、热沉散热（应用于半导体封装基板、5G 基站等）等方向的应用，与 AI/AR 眼镜领域的国内外终端厂商、光学元件厂商紧密合作，已向多家客户送样验证，并持续优化光吸收率、TTV 等关键参数。随着该项业务的顺利突破，公司将开辟新的增长点。

湖南三安已完成 650V/1200V/1400V/1700V/2000V、1A-100A 的全电压电流的碳化硅二极管产品梯度建设，其中第五代高浪涌版本碳化硅二极管主要应用于光伏领域，产品技术性能业界领先，已实现量产出货，主要客户包括阳光电源、上能、德业等；第六代低正向导通电压产品主要应用于电源领域，成本进一步优化，具有更高的工作频率及效率。公司已完成从 650V 到 2000V、13mΩ到 1000mΩ的全系列SiC MOSFET的产品布局，应用于光伏、充电桩、工业电源、数据中心及AI 服务器电源等工业级市场的 1200V 20mΩ/32mΩ/75mΩ，650V 27mΩ/35mΩ/50mΩ/65mΩ及1700V 1ΩSiCMOSFET 已实现量产，并已向重点客户批量供货，包括锦浪、华昱欣、盛能杰等光伏客户，通合、科士达、致瞻等充电桩客户，联明、正浩、中恒等工业电源客户，及台达、光宝、长城、维谛技术等数据中心及 AI 服务器电源客户。

另外，湖南三安与理想汽车成立的合资公司苏州斯科半导体一期产线已实现通线，全桥功率模块已在 2025 年一季度实现批量下线。

在功率氮化镓领域，三安光电面向消费电子市场，迭代 650V 芯片技术平台，以适配客户端对高性价比的诉求，并成功导入到智能功率IC 等新型产品中。在工业应用领域，拓展了 60A 及以上大电流器件方案，导入客户端千瓦量级高功率密度服务器电源及工业电机的应用验证。在车用领域，公司积极与头部车企及组件厂商共同探索 GaN 器件在汽车电子的应用潜力，完成低压（60-200V）器件技术平台的定型，下一步开发针对车载激光雷达、动力电池系统等特定应用场景的典型产品。同时，为应对人形机器人等智能终端对功率器件的需求，公司将匹配开发低压 GaN 器件及技术方案并导入应用验证。