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2.5nH超低电感的1200V SiC MOSFET三相全桥模块

h1654155960.2120 来源:h1654155960.2120 作者:h1654155960.2120 2024-09-18 17:18 次阅读
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产品优势及应用

该模块采用创新封装和三相全桥设计,内置1200V碳化硅MOSFET和热敏电阻,杂散电感低至2.5nH,工作安全稳定。工作电源电压可达900V-1000V,工作频率可达30kHz,输出功率可达300kW。LPD模块具有耐久、安全的性能优势,性价比超国外产品,适用于电动汽车、氢能源汽车、高速电机驱动、光伏风能发电等领域。

1 应用领域:

电动汽车,氢能源汽车,高速电机驱动,光伏风能逆变,电网滤波。

2 产品特点:

三项全桥设计

内置 1200V SiC MOSFET,

内置热敏电阻

模块杂散电感 2.5nH

超低开关损耗

工作电源电压大于 900V

工作节温 175°C

Pin-Fin 底板直接水冷散热

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模块电路及结构图

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模块及驱动板实物图

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