纳芯微发布首款1200V SiC MOSFET

纳芯微近日重磅推出了其首款1200V SiC MOSFET系列产品NPC060N120A，其RDSon值低至60mΩ，展现了出色的导电性能。这款产品提供了通孔式TO-247-4L和表面贴装TO-263-7L两种封装形式，满足车规与工规不同等级的需求。

纳芯微的碳化硅MOSFET系列在性能上表现卓越，不仅具有稳定的RDSon温度特性，而且在门极驱动电压上拥有更宽的覆盖度，确保了高可靠性。这一特性使得NPC060N120A系列特别适用于电动汽车的OBC/DCDC、热管理系统，以及光伏、储能系统（ESS）和不间断电源（UPS）等关键领域。纳芯微的此次推出，无疑将进一步推动这些领域的技术进步与性能提升。