在成功发布首款1200V 100A H桥全碳化硅模块后,先导中心再度展现了其技术实力,推出了全新的1200V 100A 三电平全碳化硅模块。
这款新品引人注目之处在于其完全国产化的芯片,这不仅展示了我国在半导体技术领域的自主创新能力,也预示着未来国产电力电子产品的巨大潜力。同时,该模块产品凭借其高功率密度、稳定性能和更低的损耗,在电力电子领域具有广泛的应用前景。
这款三电平全碳化硅模块的设计灵活,可以根据不同应用场景进行相应配置,满足不同行业、不同项目的需求。无论是工业自动化、新能源汽车,还是智能电网等领域,它都能提供高效、可靠的电力支持。先导中心的这一创新之举,无疑将推动电力电子行业的进一步发展。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
模块
+关注
关注
7文章
2513浏览量
46689 -
碳化硅
+关注
关注
25文章
2487浏览量
47800
发布评论请先 登录
相关推荐
Nexperia发布新款1200V碳化硅MOSFET
Nexperia(安世半导体)近日宣布,公司推出了业界领先的1200V碳化硅(SiC)MOSFET,标志着其在高功率半导体领域的又一重要突破。
基本半导体推出一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半桥模块
BMF240R12E2G3是基本半导体为更好满足工业客户对高效和高功率密度需求而开发的一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半桥模块,
瞻芯电子推出一款车规级1200V SiC三相全桥塑封模块IVTM12080TA1Z
近日,瞻芯电子正式推出一款车规级1200V 碳化硅(SiC)三相全桥塑封模块IVTM12080TA1Z,该模块产品及其采用的
安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列设计注意事项和使用技巧
安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列专注于提高开关性能,相比于第一代1200V碳化硅MOSFET,除了降低特定电阻RSP (即RDS(ON)
碳化硅压敏电阻 - 氧化锌 MOV
。碳化硅压敏电阻的主要特点自我修复。用于空气/油/SF6 环境。可配置为单个或模块化组件。极高的载流量。高浪涌能量等级。100% 活性材料。可重复的非线性特性。耐高压。基本上是无感的。碳化硅
发表于 03-08 08:37
Qorvo发布1200V碳化硅模块
全球知名的连接和电源解决方案供应商Qorvo近日宣布,推出四款采用E1B封装的1200V碳化硅(SiC)模块。这些模块包括两款半桥配置和两款
Qorvo发布紧凑型E1B封装的1200V碳化硅(SiC)模块
全球知名的连接和电源解决方案供应商Qorvo近日发布了四款采用紧凑型E1B封装的1200V碳化硅(SiC)模块。这些模块包括两款半桥配置和两款全桥配置,其导通电阻RDS(on)最低可达
芯联集成与蔚来汽车签署碳化硅生产供货协议
近日,芯联集成与蔚来汽车签署了碳化硅模块产品的生产供货协议。根据协议条款,芯联集成将成为蔚来首款自研1200V碳化硅模块的独家生产供应商。
芯联集成与蔚来签署碳化硅模块生产供货协议,助力蔚来全面升级120平台
未来,蔚来计划广泛建设换电站并对全线车辆进行升级,实施1200V碳化硅功率模块,满足用户对快速充电的需求,进一步降低里程和充电焦虑感。
评论