0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

瞻芯电子第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET通过车规级可靠性测试认证

瞻芯电子 来源:瞻芯电子 2024-06-24 09:13 次阅读

近日,上海瞻芯电子科技股份有限公司(简称“瞻芯电子”)基于第三代工艺平台开发的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET产品(IV3Q12013T4Z)通过了车规级可靠性(AEC-Q101)测试认证;同时,瞻芯电子第三代1200V SiC MOSFET工艺平台正式量产,后续将依托浙江义乌的车规级碳化硅(SiC)晶圆厂推出更多第三代SiC MOSFET产品。

瞻芯电子的第三代1200V 13.5mΩSiC MOSFET,现有3款产品:IV3Q12013T4Z,IV3Q12013BA,IV3Q12013BD,主要用于车载电驱动系统,凭借出色的性能表现,已获得多家车载电驱动客户的项目定点。

b1e745ca-3170-11ef-a4c8-92fbcf53809c.png

瞻芯电子第三代1200V SiC MOSFET特性

第三代1200V SiC MOSFET仍为平面栅型MOSFET,相比第二代工艺,元胞的Pitch缩小了超过20%。

同时在核心指标上,第三代产品在保证器件的耐压和短路能力的前提下,将比导通电阻Rsp降低至2.5mΩ*cm²,达到国际第一梯队的水平。同时,第三代产品的开关损耗,对比第二代产品进一步降低30%以上。

而且,第三代产品的导通电阻Rds(on)的温度系数明显降低,在高温运行情况下,导通电阻增加较少。如下图所示,当Vgs=15V应用时,175°C时的Rds(on)对比25°C时的Rds(on)只有1.42倍;当Vgs=18V应用时,175°C时的Rds(on)对比25°C时的Rds(on)只有1.65倍。

b1f2530c-3170-11ef-a4c8-92fbcf53809c.png

b20d4c20-3170-11ef-a4c8-92fbcf53809c.png

在可靠性方面,首款产品IV3Q12013T4Z不仅按照AEC-Q101标准完成了三批次可靠性认证,获得车规级可靠性认证证书,而且通过了更严格的Beyond-AECQ可靠性考核,包括动态可靠性(D-HTRB,D-H3TRB,AC-BTI),栅极负偏压下的HTRB等。 通过上述Beyond-AECQ和极限性能测试,充分验证了第三代工艺平台及产品在多种边界工况下的稳定性和鲁棒性,为迎接市场考验做好了充足的准备。

关于瞻芯电子

上海瞻芯电子科技股份有限公司(简称“瞻芯电子”)是一家聚焦于碳化硅(SiC)半导体领域的高科技芯片公司,2017年成立于上海临港。公司致力于开发碳化硅功率器件和模块、驱动和控制芯片产品,并围绕碳化硅(SiC)应用,为客户提供一站式解决方案。

瞻芯电子是中国第一家自主开发并掌握6英寸碳化硅(SiC)MOSFET产品以及工艺平台的公司,拥有一座车规级碳化硅(SiC)晶圆厂,标志着瞻芯电子顺利实现由Fabless迈向IDM的战略转型,进入中国领先碳化硅(SiC)功率半导体公司行列。

瞻芯电子将持续创新,放眼世界,致力于打造中国领先、国际一流的碳化硅(SiC)功率半导体和芯片解决方案提供商。

上海总部上海浦东新区 南汇新城镇 海洋四路99弄3号楼8楼,座机:021-60870171 碳化硅(SiC)晶圆厂:浙江省义乌市苏溪镇好派路599号 深圳分公司:深圳南山区 高新南六道16号泰邦科技大厦 702室

产品概览

b2201ca6-3170-11ef-a4c8-92fbcf53809c.png

b2420d84-3170-11ef-a4c8-92fbcf53809c.png

b262c2f4-3170-11ef-a4c8-92fbcf53809c.png

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • MOSFET
    +关注

    关注

    143

    文章

    7038

    浏览量

    212467
  • SiC
    SiC
    +关注

    关注

    29

    文章

    2729

    浏览量

    62353
  • 瞻芯电子
    +关注

    关注

    0

    文章

    48

    浏览量

    365

原文标题:瞻芯电子第三代1200V SiC MOSFET工艺平台正式量产

文章出处:【微信号:瞻芯电子,微信公众号:瞻芯电子】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    电子交付碳化硅(SiC)MOSFET逾千万颗 产品长期可靠性得到验证

    来源:电子 近日,自2020年正式发布第一碳化硅(SiC) MOSFET产品以来,
    的头像 发表于 09-27 10:43 264次阅读
    <b class='flag-5'>瞻</b><b class='flag-5'>芯</b><b class='flag-5'>电子</b>交付碳化硅(<b class='flag-5'>SiC</b>)<b class='flag-5'>MOSFET</b>逾千万颗 产品长期<b class='flag-5'>可靠性</b>得到验证

    电子SiC MOSFET技术新突破,产品正式量产

    在半导体技术的浪潮中,上海电子科技股份有限公司(简称“电子”)以其卓越的研发实力和不懈的
    的头像 发表于 06-24 10:05 524次阅读

    第三代SiC功率半导体动态可靠性测试系统介绍

    第三代SiC功率半导体动态可靠性测试系统KC-3105。该系统凭借高效精准、可灵活定制、实时保存测试结果并生成报告、安全防护等优秀性能。严格
    发表于 04-23 14:37 2次下载

    电子推出一款1200V SiC相全桥塑封模块IVTM12080TA1Z

    近日,电子正式推出一款1200V 碳化硅(
    的头像 发表于 04-07 11:37 1462次阅读
    <b class='flag-5'>瞻</b><b class='flag-5'>芯</b><b class='flag-5'>电子</b>推出一款<b class='flag-5'>车</b><b class='flag-5'>规</b><b class='flag-5'>级</b><b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>三</b>相全桥塑封模块IVTM12080TA1Z

    电子推出款第二650V SiC MOSFET产品

    电子近日宣布成功推出款第二650V SiC
    的头像 发表于 03-13 09:24 860次阅读

    蓉矽半导体SiC MOSFET通过AEC-Q101考核和HV-H3TRB加严可靠性验证

    蓉矽半导体自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT顺利通过
    的头像 发表于 03-12 17:18 978次阅读
    蓉矽半导体<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>通过</b>AEC-Q101<b class='flag-5'>车</b><b class='flag-5'>规</b><b class='flag-5'>级</b>考核和HV-H3TRB加严<b class='flag-5'>可靠性</b>验证

    蓉矽半导体1200V SiC MOSFET通过可靠性认证

    蓉矽半导体近日宣布,其自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET产品NC1M120C40HT已顺利
    的头像 发表于 03-12 11:06 778次阅读

    电子第二650V SiC MOSFET产品通过可靠性认证

    近日,电子宣布其研发的款第二650V SiC
    的头像 发表于 03-12 11:04 805次阅读

    电子开发的3款第二650V SiC MOSFET通过可靠性认证

    3月8日,电子开发的3款第二650V SiC MOSF
    的头像 发表于 03-11 09:24 720次阅读
    <b class='flag-5'>瞻</b><b class='flag-5'>芯</b><b class='flag-5'>电子</b>开发的3款第二<b class='flag-5'>代</b>650<b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>通过</b>了<b class='flag-5'>车</b><b class='flag-5'>规</b><b class='flag-5'>级</b><b class='flag-5'>可靠性</b><b class='flag-5'>认证</b>

    电子两款SiC MOSFET产品通过可靠性认证

    Ω规格的IV2Q06060D7Z,均成功通过了严苛的可靠性认证。这一
    的头像 发表于 03-07 09:43 739次阅读

    电子1200V/650V SiC塑封半桥模块获认证

    出首批2款基于第二碳化硅(SiCMOSFET芯片技术的SMPD塑封半桥模块产品,并顺利通过
    的头像 发表于 03-07 09:37 1029次阅读

    推动SiCMOSFET国产化,华秋获“电子”优秀媒体合作伙伴奖

    ΩTO-263-7封装SiC MOSFET器件成功获得第三方权威检测机构(广电计量)全套AEC-Q101
    发表于 01-19 14:53

    电子推出第二650VTO263-7封装助力高效高密应用

    近日,电子采用TO263-7封装的第二SiC MOSFET中650
    的头像 发表于 01-16 10:16 1713次阅读
    <b class='flag-5'>瞻</b><b class='flag-5'>芯</b><b class='flag-5'>电子</b>推出第二<b class='flag-5'>代</b>650<b class='flag-5'>V</b><b class='flag-5'>车</b><b class='flag-5'>规</b><b class='flag-5'>级</b>TO263-7封装助力高效高密应用

    电子SiC MOSFET通过认证, 成功进入新能源汽车供应链!

    近日,电子自主研发的1200V/80mΩTO-263-7封装 SiC MOSFET器件成功获
    发表于 12-06 14:04 481次阅读
    <b class='flag-5'>芯</b>塔<b class='flag-5'>电子</b><b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>通过</b><b class='flag-5'>车</b><b class='flag-5'>规</b><b class='flag-5'>级</b><b class='flag-5'>认证</b>, 成功进入新能源汽车供应链!

    电子推出1700V SiC MOSFET助力高效辅助电源

    11月27日,电子开发的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET产品(IV2Q171R0D
    的头像 发表于 11-30 09:39 1638次阅读
    <b class='flag-5'>瞻</b><b class='flag-5'>芯</b><b class='flag-5'>电子</b>推出1700<b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>助力高效辅助电源