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      新品 | 用于高速开关应用的1200V EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET

      英飞凌工业半导体 • 2023-07-31 16:57 • 次阅读
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      增强型1代1200V CoolSiC MOSFET的EasyDUAL 1B半桥模块，采用PressFIT压接式安装技术和温度检测NTC，并有使用预涂的热界面材料（TIM）版本。

      产品型号：

      FF17MR12W1M1H_B11

      17mΩ 1200V

      FF17MR12W1M1H_B70

      17mΩ 1200V 低热阻

      FF17MR12W1M1HP_B11

      17mΩ 1200V TIM版本

      FF33MR12W1M1H_B11

      33mΩ 1200V

      FF33MR12W1M1HP_B11

      33mΩ 1200V TIM版本

      产品特点

      1200V CoolSiC MOSFET

      Easy1B封装

      Best-in-class 12毫米高度模块封装

      非常低的模块寄生电感

      RBSOA反向工作安全区宽

      栅极驱动电压窗口大

      PressFIT引脚

      两个阻值型号都有带有热界面材料版本

      应用价值

      扩展了栅源电压最大值：+23V和-10V

      在过载条件下，Tvjop最高可达175°C

      最佳的性价比，可降低系统成本

      可工作在高开关频率，并改善对冷却要求

      竞争优势

      引入新的M1H增强型1代芯片系列模块，Best-in-class 1200V Easy1B模块

      采用英飞凌WBG材料，达到功率和效率的新水平

      紧跟市场的新趋势，支持多种目标应用

      应用领域

      电机控制和驱动

      不间断电源(UPS)

      电动汽车充电

      光伏系统的解决方案

      储能系统

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