英飞凌1200V CoolSiC™ MOSFET助力不同功率的工业电源实现最高效率

英飞凌采用全新 D2PAK-7L 封装的 1200V CoolSiC™ MOSFET，导通电阻从 30mΩ到 350mΩ，可助力不同功率的工业电源、充电器及伺服驱动器（不同的电流额定值）实现最高效率。

了解使用此 SMD 封装从而提高应用性能的多种方法：被动冷却解决方案、增大功率密度、延长使用寿命等等。

CoolSiC™沟槽 MOSFET 技术经过优化，将性能与可靠性相结合，并具有 3µs 的短路时间。由于采用 .XT 连接技术，其小巧封装外形的散热性能得到显著改善。相比标准封装的连接技术，.XT 连接技术可多消散 30%的额外损耗。该全新 CoolSiC™ .XT 产品系列表现出一流的热性能和循环能力：与标准连接技术相比，输出电流最多提高 14％，开关频率提高一倍，工作温度则降低 10-15°C。

特 性

开关损耗极低

短路时间 3µs

完全可控 dV/dt

典型栅极阈值电压，VGS(th) =4.5V

不易寄生导通，可选用 0V 关断栅极电压

坚固耐用的体二极管，实现硬开关

.XT 连接技术，实现一流的热性能

为 1200V 优化的 SMD 封装，其爬电距离和电气间隙在 PCB 上>6.1mm

Sense 引脚，可优化开关性能

应用示意图

优 势

效率提升

实现更高频率

增大功率密度

减少冷却设计工作量

降低系统复杂性并降低成本

SMD 封装能直接集成于 PCB，采用自然对流冷却方式，无需额外的散热器

目标应用

电机驱动

基础设施 - 充电桩

发电 - 太阳能组串式逆变器和优化器

工业电源–工业 UPS

竞争优势

无风扇驱动

实施被动冷却

最高效率，无需散热器

通过减少零件数量并减小外形尺寸实现紧凑型解决方案

SMD 集成于 PCB，采用自然对流冷却方式，仅有热通孔

电机和逆变器一体化

采用具备大爬电距离和电气间隙的 SMD 封装的 1200V 器件符合安全要求

编辑：hfy