德国英飞凌科技(Infineon Technologies AG)开发出了适用于光伏发电用逆变器等的耐压为1200V的SiC型FET(JFET)“CoolSiC产品群”,并在2012年5月8日~10日于德国举行的电源技术展会“PCIM Europ
2012-05-17 08:54:48
2140 美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技术的全新1200 V肖特基二极管系列
2012-11-22 14:09:06
1450 一提到低功耗、大电流、超高速的半导体器件,很多电子爱好者和电子工程师首先想到的是肖特基二极管。但你真的知道怎么使用肖特基二极管吗?与其他二极管相比,肖特基二极管有什么特别的地方?这篇文章我将会为大家解决这些问题,并且详细介绍肖特基二极管。
2023-08-10 15:36:36
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光伏行业已是拉动国民经济的最强劲引擎,光伏组件是光伏电站的主体。旁路二极管反并联于电池串两端,能有效的防止电池片因热斑而烧毁。旁路二极管体积小,看似微不足道,但其可靠性对光伏组件的正常运行,甚至
2023-10-25 10:45:26
10443 
恢复二极管两种:采用先进的扩铂工艺生产的具有极低反向漏电、极短反向恢复时间和--的抗反向浪涌冲击能力的高可靠性的全系列(200V-1200V)FRD芯片及成品器件;采用SiC材料设计和生产的具有
2019-10-24 14:25:15
逆变器等中高功率领域,可显著的减少电路的损耗,提高电路的工作频率。 关断波形图(650V/10A产品) 650V/1200V碳化硅肖特基二极管选型
2020-09-24 16:22:14
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二极管特性 封装外形⚫最大结温为 175°C⚫高浪涌电流容量⚫零反向恢复电流⚫零正向恢复电压⚫高频工作⚫开关特性不受温度
2020-03-13 13:42:49
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50:11
。SiC-MOSFET体二极管的正向特性下图表示SiC-MOSFET的Vds-Id特性。在SiC-MOSFET中,以源极为基准向漏极施加负电压,体二极管为正向偏置状态。该图中Vgs=0V的绿色曲线基本上表示出体
2018-11-27 16:40:24
10倍的绝缘击穿场强,所以不仅能保持实际应用特性且可耐高压。ROHM的650V和1200V的SiC-SBD已经实现量产,1700V产品正在开发中。SiC-SBD和Si-PN结二极管通过Si二极管来应对
2018-11-29 14:35:50
我的两个二极管的管子上丝印是V6 71,L4 69(插件),这是什么样的二极管呢?我该怎么确定的,告急。
2013-09-03 14:00:20
编辑-Z肖特基二极管是什么?肖特基二极管(肖特基势垒二极管):是一种低功耗、超高速的半导体器件。这种器件是由多数载流子传导的,所以它的反向饱和电流比由少数载流子传导的PN结大得多。由于肖特基二极管中
2021-10-18 16:45:00
和次级保护。三、再选用ESD静电二极管时,更多看的是ESD二极管的的ESD rating (HBM/MM)和IEC61000-4-2的LEVEL,高速的USB和I/O非常重视ESD二极管的C;而选用TVS二极管时,看的是功率和封装形式。静电二极管规格书下载:
2022-05-18 11:23:17
SiC JBS二极管提供卓越的功能,包括但不限于高温操作,高阻断电压和快速开关能力。本文档介绍高级交换与SiC肖特基二极管相比,GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二极管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
阻。尽管普通二极管的“惯性”较大,但是在超过200V的工作电压场合,普通的PIN二极管占主导地位。 源于硅基的肖特基二极管,近年来开发出来新的基于碳化硅(SiC)的肖特基二极管用于一些效率很关键的电力
2019-01-02 13:57:40
Si整流器与SiC二极管:谁会更胜一筹
2021-06-08 06:14:04
TVS二极管,也叫瞬变二极管、瞬态电压抑制二极管、瞬变抑制二极管、瞬态抑制二极管、TVS、TVS二极管、TVS管、二极管TVS等等,叫法很多,不同的客户叫法略有差异,但是东西都是一个东西,是防浪涌
2022-05-25 14:16:57
扩展了其650伏(V) SiC二极管系列,提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系统成本。工程师在设计用于太阳能光伏逆变器、电动车/混和动力电动车(EV / HEV)充电器、电信电源和数据中心电源等
2018-10-29 08:51:19
本产品说明展示了接近理论的理想因素和势垒高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二极管,设计用于工作温度> 225°C主要应用于井下石油钻井、航空航天和电动汽车。温度理想因子
2023-06-16 06:15:24
SiC-SBD,蓝色是第二代,可确认VF的降低。SiC-SBD因高速trr而使开关损耗降低,加之VF的改善,在功率二极管中可以说是损耗最小的二极管。促进电源系统应用的效率提高与小型化前面已经介绍了
2018-12-04 10:26:52
heatsink(per arm)---- 散热器对每 个IGBT 和二极管单元的的热阻;Total loss----总损耗;Tj----结温 4.2)大电流等级的PrimePACK™在光伏逆变器中的应用 光伏
2018-12-07 09:24:53
)SiC器件可以减少功率器件的体积和电路损耗。4.3 碳化硅肖特基二极管的应用SiC肖特基二极管可广泛应用于开关电源、功率因数校正(PFC)电路、不间断电源(UPS)、光伏逆变器等中高功率领域,可显著降低
2023-02-07 15:59:32
如何识别普通二极管?晶体二极管的参数有哪些?普通二极管怎么使用?
2021-06-08 06:38:05
、6.2V稳压二极管代换。3.开关二极管的代换开关二极管损坏后,应用同型号的开关二极管更换或用与其主要参数相同的其它型号的开关二极管来代换。高速开关二极管可以代换普通开关二极管,反向击穿电压高的开关二极管可以代换反向击穿电压低的开关二极管。快恢复二极管规格书下载:
2021-07-07 14:58:27
结型结构,有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管(1-2V),反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长,后者则在100纳秒以下
2020-12-15 15:45:54
),工艺上多采用掺金措施,结构上有采用PN结型结构,有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管(1-2V),反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为
2019-06-12 02:34:10
` 肖特基(Schottky)二极管是一种快恢复二极管,它属一种低功耗、超高速半导体器件。其显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右。肖特基(Schottky
2018-10-22 15:32:15
`用于保护VFD/IGBT逆变器的TVS二极管AK3-380C在几乎所有的工业控制系统中,变频器(VFD)/逆变器通常安装在电机的前端,以便调节速度和节约能源。根据不同的输入电压要求,逆变器通常分为
2021-07-23 14:47:02
保护。3.再选用ESD静电二极管时,更多看的是ESD二极管的的ESD rating (HBM/MM)和IEC61000-4-2的LEVEL,高速的USB和I/O非常重视ESD二极管的C;而选用TVS
2020-12-24 14:55:58
保护。3.再选用ESD静电二极管时,更多看的是ESD二极管的的ESD rating (HBM/MM)和IEC61000-4-2的LEVEL,高速的USB和I/O非常重视ESD二极管的C;而选用TVS
2021-12-30 17:52:36
。 基本半导体自主研发推出了650V、1200V、1700V系列标准封装碳化硅肖特基二极管及1200V碳化硅MOSFET产品,具有极高的工作效率,性能优越达到国际先进水平,可广泛应用于新能源充电桩、光伏逆变器
2023-02-28 16:34:16
的逆变器和转变器中一般使用Si-IGBT,但尾电流和外置FRD的恢复导致的功率转换损耗较大,因此,更低损耗、可高频动作的SiC-MOSFET的开发备受期待。但是,传统的SiC-MOSFET,体二极管通电
2019-03-18 23:16:12
` 快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管(5us以下),工艺上多采用掺金措施,结构上有采用PN结型结构,有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管(1-2V),反向耐压多在1200V
2019-01-08 13:56:57
。Si-SBD的特点是:正向压降PN结二极管的UDF低,仅为后者的1/2~1/3;trr约为10ns数量级;适用于低电压(小于50V)的功率电子电路中(当电路电压高于100V以上时,则要选用PIV高的SBD
2019-01-03 13:36:59
),工艺上多采用掺金措施,结构上有采用PN结型结构,有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管(0.5-2V),反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。 前者
2016-04-19 14:29:35
肖特基二极管正向导通电压很低,只有0.4V,反向在击穿电压之前不会导通,起到快速反应开关的作用。而稳压二极管正向导通电压跟普通二级管一样约为0.7V,反向状态下在临界电压之前截止,在达到临界电压
2020-09-25 15:38:08
的体积。在高频下,硅FRD的效率下降。一些国家和地区(比如欧盟、加州、澳大利亚等)对光伏微逆入网有效率限制,大致为95%左右,这就使得肖特基二极管成为必须的选择。光伏微逆所用的肖特基二极管功率等级较低
2018-11-14 14:54:30
我发现现在大家在选型这个二极管的时候,一般都是采用那种快恢复的二极管,有些场合明明不需要高速的快恢复二极管,但是大家也一样的采用了,看来是不是快恢复二极管已经可以通吃整个二极管应用了?
2019-05-16 00:12:23
的不同。这种电压范围决定了ESD器件能保护的电路节点类型。双向ESD静电二极管具有相对于零伏电压的对称特性。双向ESD器件最适合保护电压基于零伏对称或双向的电路节点。单向ESD二极管产品具有相对零伏
2022-06-08 17:06:58
二极管和发光二极管
二极管的单向导电
二极管是半
2006-09-19 15:22:40
2816 二极管,二极管是什么意思
目录
1 二极管的基本结构
2010-02-26 12:03:38
12003 肖特基二极管,什么是肖特基二极管,肖特基二极管原理
基本原理是:在肖特基二极管,什么是肖特基二极管,肖特基二极管原理金属(例如铅)和半导
2010-02-26 13:38:58
4312 开关二极管的种类和参数有哪些?
开关二极管分为普通开关二极管、高速开关二极管、超高速开关二极管、低功耗开关二极管、高反压开关二极管、硅电压开关二极管等
2010-02-27 09:40:53
15603 稳压二极管(齐纳二极管),稳压二极管是什么意思
这是利用了PN接合的反向特性的二极管。用于基准电压源和
2010-03-01 10:53:07
5246 变容二极管,变容二极管电路,变容二极管原理
变容二极管是根据普通二极管内部 "PN结” 的结电容能随外加反向电压的变化而变
2010-03-05 10:01:38
3612 罗姆日前发布了耐压为1200V的第二代SiC制MOSFET产品(图1)。特点是与该公司第一代产品相比提高了可靠性、降低了单位面积的导通电阻,以及备有将SiC制肖特基势垒二极管(SBD)和SiC制
2012-06-18 09:58:53
1938 中国,北京,2017年5月25日讯 -Littelfuse, Inc.,作为全球电路保护领域的领先企业,今天宣布推出首款GEN2系列1200V碳化硅(SiC)肖特基二极管,以配合2017年欧洲电力转换与智能运动(PCIM)展的开幕。
2017-05-26 14:43:59
1503 肖特基(Schottky)二极管,又称肖特基势垒二极管(简称 SBD),它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频
2018-01-21 11:01:57
25064 针对电流型逆变器桥臂并联扩容时开关损耗较大的问题,对SiC肖特基二极管和Si快恢复二极管的正反向恢复特性、MOS-FET并联均流特性以及容性状态下电流型逆变器工作过程进行了研究。提出了在电流型逆变器
2018-03-05 15:36:48
1 快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管(5us以下),工艺上多采用掺金措施,结构上有采用PN结 型结构,有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管(1-2V),反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。
2019-06-14 15:39:34
123693 
本文主要介绍了普通硅二极管和肖特基二极管的相同和区别以及快恢复二极管和肖特基二极管的区别,并附上了普通硅二极管,肖特基二极管和快恢复二极管的图片。
2019-08-09 15:24:30
9141 绝大多数发光二极管,且有逆向的光电二极管的功能。即当对发光二极管施加反向偏置时,随着光电平的增加。它将产生一个小的光伏输出。因为发光二极管的壳体是有色透明的,尤其适合发挥这种功能。
2020-01-19 16:15:00
18368 
2020年7月4日 华润微电子(CR MICRO)正式向市场投入1200V 和650V 工业级SiC肖特基二极管功率器件产品系列,与此同时宣布国内首条6英寸商用SiC晶圆生产线正式量产。 华润微电子
2020-07-04 22:28:50
8397 碳化硅(SiC)二极管已经进入迅速扩张的太阳能逆变器市场,尤其是在欧洲。Cree的1200V SiC肖特基二极管已开始用来取代DC链升压电路所使用的硅(Si)PiN类设计,而且将很快出现在商用系统的逆变器领域。
2020-10-02 17:21:00
5342 
二极管的种类有很多,有发光二极管、稳压二极管、贴片二极管、变容二极管等等,今天我们来讲一讲什么是稳压二极管,以及稳压二极管的作用。
2021-01-01 16:49:00
41973 现已推出采用TO-2472脚封装的第五代 1200 V CoolSiC肖特基二极管,可轻松替换当前常用的硅二极管。新的封装将爬电距离和电气间隙增至 8.7 mm,能够在严重污染环境中实现非凡安全性
2021-01-11 08:00:00
3 稳压二极管在正常工作时工作在反向击穿,稳压二极管的正常工作状态与二极管稳压型号有关,不同型号的稳压二极管,稳压值是不同的。如 :稳压二极管的稳压值是2.5伏,那么它在电路里将高于2.5伏的输入电压,稳定的输出为2.5伏,若输入低于2.5伏,则不工作 ,这就是它的正常工作状态。
2021-06-04 15:39:46
53942 基于Simulink的多电平二极管NPC逆变器
2021-06-25 10:19:15
18 工业级650V、10A SiC肖特基二极管样品现已开始供货。还将计划推出1200V/6-20A电流范围部件和车规级部件。
2021-11-05 16:18:34
1116 
稳压二极管(Zener Diod 齐纳二极管) A原理:它工作在电压反向击穿状态,当反向电压达到并超过稳定电压时,反向电流突然增大,而二极管两端电压恒定B分类: 从稳压高低分:低压稳压二极管(<40V); 高压稳压二极管(>200V) 从材料分:N型;P型 ...
2021-11-08 09:51:01
16 1200 V 二极管正在推动电动汽车及其充电器以及太阳能电池板等越来越受欢迎的行业的创新,ST 不仅确保公司能够从新的效率水平中受益,而且保证对产品的需求永远不会由于二极管性能缺乏可重复性、良率低以及制造工艺令人失望而扼杀。
2022-05-18 16:38:52
2374 ASEMI光伏二极管GMK3045规格书免费下载。
2022-08-25 15:51:00
1 ASEMI光伏二极管GMK4045规格书免费下载。
2022-08-25 15:50:07
1 肖特基二极管又称热载流子二极管,通过金属和半导体触点形成肖特基势垒,实现整流。与普通PN结二极管相比,它的反向恢复惯性很低。因此,肖特基二极管适用于高频整流或高速开关。
2022-10-25 16:32:13
3470 在 PCT 期间,当 DUT 开启时,由于电流从漏极流向源极,DUT 温度会升高(图 1a)。当 DUT 关闭时,通过从源极到漏极的感测电流测量体二极管压降。通过应用图 1b 中所示的 V SD -T 校准曲线,可以在知道体二极管压降的情况下估算结温 T J 。
2022-12-12 09:14:39
2128 分,探讨了这些器件的技术细节,这些器件以各种形式响应高频电磁辐射: 光的本质和pn连接 光敏pn结的物理操作 了解光电二极管工作的光伏和光导模式 不同光电二极管技术的特点 了解光电二极管等效电路 光电流 光电二极管的基本输出
2023-01-27 09:39:00
8015 
继SiC功率元器件的概述之后,将针对具体的元器件进行介绍。首先从SiC肖特基势垒二极管开始。SiC肖特基势垒二极管和Si肖特基势垒二极管:下面从SiC肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)的结构开始介绍。
2023-02-08 13:43:17
1454 
Si二极管大致上可分为整流二极管、齐纳二极管、高频二极管。其中,以整流为主要目的的二极管又可细分为:一般通用整流用,以开关为前提的高速整流用,用于超高速整流的快速恢复型,还有同样具有高速性和低VF特征的肖特基势垒二极管,下面将分别予以说明。
2023-02-09 10:19:22
1799 
继SiC功率元器件的概述之后,将针对具体的元器件进行介绍。首先从SiC肖特基势垒二极管开始。
2023-02-22 09:16:27
1710 
如图所示,MOSFET(不局限于SiC-MOSFET)在漏极-源极间存在体二极管。从MOSFET的结构上讲,体二极管是由源极-漏极间的pn结形成的,也被称为“寄生二极管”或“内部二极管”。对于MOSFET来说,体二极管的性能是重要的参数之一,在应用中使用时,其性能发挥着至关重要的作用。
2023-02-24 11:47:40
4750 
编辑:LL RHRP30120 ASEMI大功率高耐压快恢复二极管 品牌:ASEMI 型号:RHRP30120 封装:TO-220 特性:大功率、高耐压 电性参数:30A 1200V 产品类型:快
2023-02-27 15:39:03
0 SiC 肖特基二极管满足工业级器件标准,可应对高电压和高电流应用带来的挑战,包括开关模式电源、AC-DC 和 DC-DC 转换器、电池充电基础设施、不间断电源和光伏逆变器,并提高持续运行性能。例如,相比仅
2023-04-20 15:55:36
2348 一直以来,发光二极管、光电二极管都是大家的关注焦点。因此针对大家的兴趣点所在,小编将为大家带来发光二极管和光电二极管之间的区别进行相关介绍,详细内容请看下文发光二极管和光电二极管的区别,简单来说
2022-10-19 11:32:04
8624 
SiC MOSFET体二极管的关断特性与IGBT电路中硅基PN二极管不同,这是因为SiC MOSFET体二极管具有独特的特性。对于1200V SiC MOSFET来说,输出电容的影响较大,而PN
2023-01-04 10:02:07
3634 
新品光伏组串逆变器用45A三路MPPT模块光伏组串逆变器用45A三路MPPT模块,由950VIGBT7和1200VSiC二极管构成相关器件:FS3L400R10W3S7F_B1145A3路
2023-01-29 11:47:11
2611 
新品带有集成自举二极管和OCP的1200V半桥栅极驱动器2ED132xS12x系列带有集成自举二极管和过流保护OCP的1200VSOI半桥栅极驱动器2ED132xS12x系列产品型号:2ED1321S12M2ED1322S12M2ED1323S12P2ED1324S12PEiceDRIVERSOI系列诞生了首批1200VSOI半桥产品,用于高功率应用,如商用
2023-05-18 09:42:01
2998 
光电二极管是感测光的二极管。它有两条腿,有各种形状和包装。当光照射到光电二极管时,电流以两种方式之一流过它:要么从光中产生小电流,要么光允许更大的电流流过。
2023-06-29 10:45:46
5781 
等特性,从而降低了能耗并缩小了系统尺寸。特别是在光伏、储能、充电和电动汽车等高压大功率应用中,碳化硅材料的优势得以充分发挥。 纳芯微全新推出1200V系列SiC二极管产品,该系列产品专为光伏、储能、充电等工业场景而设计。 其
2023-07-10 15:45:02
1412 
,例如电力、工业、汽车、电子、通信等。 功率二极管的种类比较繁多,从其结构上我们可以分为PN结二极管、Schottky二极管、肖特基势垒二极管、Gunn二极管、Varactor二极管、PIN二极管等。 PN结二极管是最常见的功率二极管。它与普通的
2023-09-02 11:13:57
2413 SiC 肖特基二极管满足工业级器件标准,可应对高电压和高电流应用带来的挑战,包括开关模式电源、AC-DC 和 DC-DC 转换器、电池充电基础设施、不间断电源和光伏逆变器,并提高持续运行性能。例如,相比仅
2023-09-22 09:25:32
840 继1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二极管)器件获AEC-Q101车规级认证后
2023-10-25 18:28:10
1483 
一. 肖特基二极管的定义
二. 肖特基二极管的主要参数
三. 肖特基二极管的优点和缺点
四. 肖特基二极管的命名规则
五. 肖特基二极管的封装类型
六. 肖特基二极管之光伏专用
2021-06-18 14:19:32
100 一.肖特基二极管的定义二.肖特基二极管的主要参数三.肖特基二极管的优点和缺点四.肖特基二极管的命名规则五.肖特基二极管的封装类型六.肖特基二极管之光伏专用
2021-06-26 11:14:34
110 SiC三极管与SiC二极管的区别 SiC三极管与SiC二极管是两种使用碳化硅(SiC)材料制造的电子元件,它们在结构、特性和应用领域等方面存在一些明显的区别。 首先,让我们来了解一下SiC材料
2023-12-21 11:31:24
1734 ,它是一种能够在红外范围内发射光子的二极管。红外光通常被人眼所不能察觉,但可被红外传感器或红外摄像机所探测和捕获。红外二极管通过半导体材料中的能带间距来产生红外光。当电流通过二极管时,能量可以使得半导体中的电
2024-01-26 15:42:57
3730 英飞凌科技股份公司近日发布了全新的650V软特性发射极控制高速二极管EC7。这款二极管采用TO247-2封装,具有2个引脚,不仅增加了安规距离,提高了可靠性,而且适用于多种应用场景。
2024-02-01 10:50:02
1808 光电二极管的光电流关系的细节将根据二极管的偏置条件而变化。这是光伏模式和光电导模式之间区别的本质:在光伏实施中,光电二极管周围的电路使阳极和阴极保持相同的电位;换句话说,二极管是零偏置的。
2024-02-01 16:56:36
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随着太阳能发电的应用越来越广泛,人们对光伏组件长期耐久性的要求越来越高,其中的旁路二极管在光伏组件的性能中扮演着重要角色。为了确保光伏系统的高效运行,必须对旁路二极管的热性能进行准确测试。本文将介绍
2024-03-05 08:33:08
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SiC二极管,全称SiC碳化硅势垒二极管,也被称为SiC碳化硅肖特基二极管(SiC SBD),是碳化硅(SiC)功率器件的一种,属于第三代半导体材料的应用范畴。SiC作为一种宽禁带半导体材料,相比
2024-09-10 14:55:02
3943 SiC二极管,即碳化硅二极管,作为第三代半导体材料的重要应用之一,其工作原理和结构在电力电子领域具有独特的重要性。以下将详细阐述SiC二极管的工作原理和结构,同时结合其技术特性和应用场景进行深入分析。
2024-09-10 15:09:39
3508 PiN二极管(P-I-N Diode)和SiC二极管(Silicon Carbide Diode)在多个方面存在显著差异,这些差异主要体现在材料特性、工作性能、应用场景以及发展趋势等方面。以下是对两者区别的详细分析。
2024-09-10 15:40:48
1592 选择光伏板碳化硅二极管需考虑以下因素。
2024-09-29 14:33:14
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1200V光伏逆变器的工作原理是通过将光伏电池板产生的可变直流电压转换为市电频率的交流电(AC),以供电网使用或反馈回商用输电系统。逆变器的主要功能是将光伏阵列产生的直流电(DC)逆变为三相正弦交流电(AC),输出符合电网要求的电能。
2024-11-14 09:41:07
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为了满足高效、大功率变换系统应用需要,瞻芯电子开发了4款1200V 60A SiC肖特基二极管(SBD)产品,其中TO247-2封装器件产品IV2D12060T2Z满足车规级可靠性标准
2024-12-02 09:07:34
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40 A至240 A双二极管和单相桥式器件正向压降低至1.36 V,QC仅为56 nC 威世科技宣布,推出16款采用工业标准SOT-227封装的新型650 V和1200 V 碳化硅(SiC)肖特基
2025-02-27 12:49:35
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在光伏系统中,逆变器作为直流电转交流电的核心设备,其效率直接影响整套光伏发电系统的产出效益。而作为逆变器电路中关键的整流与续流元件,MDD肖特基二极管(SchottkyDiode)凭借其独特的低正向
2025-04-16 09:30:34
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基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia(安世半导体)近日宣布,在其持续壮大的功率电子器件产品组合中新增两款1200 V、20 A碳化硅(SiC)肖特基二极管。PSC20120J
2025-07-11 17:06:07
912 SS1200F SMAF肖特基二极管,电流:1A 200V
2025-10-31 16:32:10
0 二极管正逐渐取代传统硅二极管,成为工程师的重要选择。一、为什么高频电源越来越依赖SiC肖特基二极管?与传统硅快恢复二极管相比,SiC肖特基二极管在物理材料层面就具
2025-12-29 10:05:21
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