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      新品 | 采用顶部散热QDPAK的CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET半桥产品

      英飞凌工业半导体 • 2025-05-27 17:03 • 次阅读
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      新品

      采用顶部散热QDPAK的CoolSiC

      1200V G2 SiC MOSFET半桥产品

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      英飞凌采用顶部散热QDPAK的CoolSiC 1200V G2 SiC MOSFET半桥产品，专为各种工业应用开发，包括工业驱动、电动汽车充电、太阳能和不间断电源等。


      顶部散热QDPAK具有出色的散热性能，更易于组装，从而降低了客户的系统成本。与底部散热解决方案相比，顶部散热器件可实现更优化的PCB布局，从而减少寄生元件和寄生电感的影响。同时还能增强散热能力。


      产品型号：

      ■IMSQ120R012M2HH

      ■IMSQ120R026M2HH

      ■IMSQ120R040M2HH

      ■IMSQ120R053M2HH


      产品特点

      SMD顶部散热封装

      杂散电感低

      CoolSiC MOSFET 1200V G2技术具有更高的开关性能和FOM因子

      .XT扩散焊

      最低RDS(on)

      封装材料CTI>600

      爬电距离>4.8mm

      耐湿性

      雪崩保护、短路保护和寄生导通PTO保护

      应用价值


      更高的功率密度

      实现自动装配

      不需要太复杂的设计

      与底部散热封装相比，具有出色的热性能

      改善系统功率损耗

      电压有效值950V，污染度为2

      可靠性高

      降低TCO成本或BOM成本


      应用领域


      驱动器

      电动汽车充电

      太阳能

      UPS

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