英尚代理的恒烁半导体NOR FLASH存储器，具备通用SPI接口，覆盖广泛的工作电压与容量选项，为各类嵌入式系统提供可靠的非易失性存储支持。该系列包括适用于1.8V低电压环境的ZB25LD
2026-01-05 16:11:01
49 Renesas的9FGL02x1/04x1/06x1/08x1D系列3.3V PCIe Gen1 - 5时钟发生器。 文件下载： Renesas Electronics 9FGL0x时钟发生器.pdf 一、产品概述 9FGL02x1/04x1/06x1/08x1D是
2025-12-29 15:55:28117 TDK HVC45高压接触器：高性能与可靠性的完美结合 在高压直流切换领域，接触器的性能和可靠性至关重要。TDK的HVC45系列高压接触器凭借其卓越的设计和出色的特性，成为众多应用的理想选择。今天
2025-12-25 15:40:02129 eMMC全称为 embedded Multi Media Card，主要用于非易失性存储，它弥补了 FPGA 芯片自身存储能力的不足，为 FPGA 提供一个高集成度、大容量、低成本、且易于使用的“硬盘”或“固态硬盘”解决方案。
2025-12-23 14:19:283981 
DF4-19MR20W3M1HF_B11 EasyPACK™模块：高效能与可靠性的完美结合 在电子工程领域，不断追求高性能、高可靠性的电子元件是永恒的目标。今天要介绍
2025-12-20 15:40:20726 在存储技术快速迭代的今天，MRAM芯片（磁阻随机存取存储器）以其独特的性能，逐渐成为业界关注焦点。它不同于传统的闪存或DRAM，利用磁性而非电荷来存储数据，兼具高速、耐用与非易失性特点。
2025-12-15 14:39:04243 的100双测头。其中70单测头的测量范围为0～70mm，用于测量直径φ1～φ50mm的轧材；100双测头的测量范围为35～100mm，用于测量直径φ50～φ85mm的轧材
JG08/04Z-D
2025-12-12 15:22:42
在电子工程师的日常工作中，A/D转换器是不可或缺的关键组件。今天，我们要深入探讨一款性能卓越的8位A/D转换器——ADC08L060，它来自德州仪器（TI），具有低功耗、高转换速率等诸多优点
2025-12-05 15:17:27532 
在电子设备设计中，数据存储是一个关键环节，EEPROM（电可擦可编程只读存储器）因其非易失性和可重复编程的特性，成为了众多应用的理想选择。今天，我们就来深入探讨 ON Semiconductor
2025-12-05 15:12:42446 
在电子工程领域，MOSFET作为关键的功率器件，其性能和特性对电路设计起着至关重要的作用。今天我们来深入了解一下onsemi推出的NTBLS0D8N08X，这是一款80V、0.79mΩ、457A的单N沟道功率MOSFET，它在多个方面展现出了卓越的性能。
2025-12-03 11:42:19455 
在电子设计领域，A/D转换器是连接模拟世界和数字世界的关键桥梁。今天，我们来深入探讨一款高性能、低功耗的双8位、1GSPS A/D转换器——ADC08D1000。 文件下载
2025-12-02 13:55:30408 
在电子工程师的设计世界里，选择合适的MOSFET至关重要，它直接影响着电路的性能和稳定性。今天，我们就来深入了解一下onsemi推出的NVBLS0D8N08X这款80V、0.79mΩ、457A的单N沟道功率MOSFET，看看它有哪些独特之处。
2025-12-01 14:35:11232 
引言 在当今的电子设计领域，高速、高性能且低功耗的A/D转换器需求日益增长。ADC08D500作为一款备受瞩目的产品，以其独特的特性和出色的性能，在众多应用场景中发挥着重要作用。本文将深入剖析
2025-12-01 14:00:24443 
在当今的电子设计领域，高速、低功耗的模数转换器（ADC）需求日益增长。TI的ADC08D1500就是这样一款性能卓越的产品，它能在高速采样的同时保持低功耗，为众多应用场景提供了理想的解决方案
2025-11-30 10:37:24496 
D06Z-50R0J99-00G36-X型号介绍： 今天我要向大家介绍的是 Barry Industries 的衰减器
2025-11-28 11:30:47
在电子设计领域，模拟 - 数字转换器（ADC）是连接模拟世界和数字世界的关键桥梁。今天，我们将深入探讨德州仪器（TI）的ADC08D1520，一款低功耗、高性能的8位ADC，它在高速数据采集
2025-11-28 10:47:16370 
在电子工程领域，A/D转换器是连接模拟世界和数字世界的桥梁，其性能直接影响到整个系统的精度和稳定性。今天，我们就来深入了解一款高性能的8位、200 MSPS A/D转换器——ADC08
2025-11-28 09:57:29351 
在电子工程领域，功率 MOSFET 作为关键元件，其性能直接影响着各类电子设备的效率和稳定性。今天，我们将深入探讨安森美（onsemi）的 NTMFS3D0N08X 这款 N 沟道功率 MOSFET，剖析其特性、参数及应用场景。
2025-11-28 09:35:55330 在电子设计领域，高速、高效的模拟 - 数字转换器（ADC）至关重要。TI的ADC08B200就是这样一款高性能的8位、200 MSPS A/D转换器，它集成了捕获缓冲器，适用于多种高速数据采集
2025-11-27 11:07:23447 
在电子设计领域，A/D转换器是连接模拟世界和数字世界的关键桥梁。今天，我们要深入探讨一款来自德州仪器（TI）的高性能A/D转换器——ADC08D1020，它在高速数据采集、通信系统等领域有着广泛
2025-11-27 09:27:15423 
该ADC08D1520是一种8位、双通道、低功耗、高性能的CMOS模拟转数字转换器，基于ADC08D1000平台构建。该ADC08D1520能够数字化信号，分辨率为8位，采样率最高可达1.7
2025-11-26 09:20:08462 
MR-16LED灯专用LED降压型恒流驱动器H5441B方案调光高辉度65536级
H5441B 为一款平均电流型 LED 恒流驱动芯片，适配非隔离式 LED 驱动场景，输入电压适用范围为
2025-11-25 09:11:03
(onsemi) NVMFWS0D45N04XM MOSFET具有低电容和低R ~DS(on)~ ，可最大限度地降低驱动器和导通损耗。NVMFWS0D45N04XM采用5mmx6mm的小尺寸，非常适用于电机驱动、电池保护和同步整流。
2025-11-24 10:04:20313 
安森美 (onsemi) NVMFWS4D0N04XM MOSFET具有低R~DS(on)~ 和低电容，采用符合AEC-Q101标准的封装。该MOSFET具有40V漏极-源极电压、80A连续漏极电流
2025-11-24 09:49:40335 
安森美NVBLS1D2N08X MOSFET具有~低QRR~ 、~RDS(on)~ 和 ~QG~ ，可最大限度降低驱动器损耗和导通损耗。MOSFET符合AEC-Q101标准，适用于汽车48V系统
2025-11-24 09:29:21319 
在存储技术快速演进的今天，一种名为STT-MRAM（自旋转移矩磁阻随机存取存储器）的新型非易失存储器，正逐步走入产业视野。它不仅继承了MRAM的高速读写能力与非易失特性，更通过“自旋电流”技术实现了信息写入方式的突破，被视为第二代MRAM技术的代表。
2025-11-20 14:04:35248 在嵌入式存储应用中，串口MRAM芯片凭借其非易失性、高速度及高耐用性受到广泛关注。作为磁性随机存储器技术的代表，Everspin磁性随机存储器在工业控制、数据中心和汽车电子等领域表现优异。
2025-11-19 11:51:41146 ，都属于集成电路里的核心成员。要是按“断电后数据能不能留在器件里”来分，存储芯片能分成易失性和非易失性两种。易失性存储芯片就像电脑的内存（像SRAM、DRAM这类
2025-11-17 16:35:402723 
。 BMA6002/BMI6002支持通过菊花链拓扑结构实现隔离BMS设备间的通信。凭借双TPL端口设计，该器件支持电容式和电感式隔离，可实现多个BMS设备的链接。 由于具备标准协议兼容性，该网关驱动器可通过SPI
2025-11-14 09:36:4873557 
在需要高速数据读写与高可靠性的现代电子系统中，传统存储技术往往面临写入速度慢、耐久性有限等挑战。Everspin公司推出的MR25H256系列MRAM芯片，以其独特的磁阻存储技术，为工业控制、汽车
2025-11-13 11:23:46210 英尚微电子所代理的Everspin xSPI串行接口MRAM存储芯片，基于最新的JEDEC xSPI标准与独有的STT-MRAM技术构建，这款串行接口MRAM存储芯片可全面替代传统SRAM
2025-11-05 15:31:48285 在当今对数据持久性与系统可靠性要求极高的企业基础设施和数据中心中，Everspin推出的自旋转移扭矩MRAM（STT-MRAM）存储器——EMD4E001G-1Gb，凭借其卓越的性能与独特的技术优势，成为众多高性能存储解决方案中的亮点。
2025-11-05 14:34:28280 TX08D 是德州仪器（TI）推出的 **8 通道超声发射器** ，专为超声成像系统设计，集成脉冲发生器（Pulser）、收发（T/R）开关与片内波束成形器，可驱动压电换能器实现高精度超声信号发射
2025-10-27 14:55:49529 在需要高速数据写入与极致可靠性的工业与数据中心应用中，Everspin推出的8位位并行接口MRAM树立了性能与耐用性的新标杆。这款Everspin存储器MRAM与SRAM引脚兼容的存储器，以高达35
2025-10-24 16:36:03532 MRAM是一种利用电子的自旋磁性来存储信息的非易失性存储器。它完美结合了SRAM的高速读写特性与闪存（Flash）的非易失性，能够在断电后永久保存数据，同时具备无限次擦写、无磨损的卓越耐用性。MRAM将磁性材料集成于硅电路中，在单一芯片上实现了高速、可靠与长寿命的统一，是存储技术的一次重大飞跃。
2025-10-24 15:48:44414 作为磁阻存储器领域的重要分支，SOT-MRAM因其独特的写入机制与结构设计，正成为高性能MRAM研发的热点方向。该技术利用具有强自旋轨道耦合效应的材料层，通过自旋轨道力矩驱动磁性隧道结中纳米磁体的确定性翻转，从而实现高效、可控的数据写入与擦除操作。
2025-10-24 14:46:24338 Zivid Two+ R系列包含MR60、LR110与MR130三款型号，该系列具备优秀的环境光抗干扰能力，即使在光照条件变化的环境中，仍能输出稳定、一致的2D与3D数据，为工业自动化行业提供了值得信赖的视觉解决方案。
2025-10-16 10:00:04561 ### 产品简介**UT4810D-S08-R-VB** 是一款 **单N通道MOSFET**，采用 **SOP8封装**，具有 **30V** 的最大漏源电压（VDS），非常适合低电压开关电路。该
2025-09-09 14:11:38
的最大漏极电流（I_D），并采用Trench技术，能够提供低导通电阻和出色的开关性能。UT4810DG-S08-R-VB的导通电阻（R_DS(ON)）在V_GS =
2025-09-09 14:05:34
）和13A的最大漏极电流（I_D），能够处理中等电流和低电压的高效切换。UT4404L-S08-R-VB采用Trench技术，具有超低的导通电阻（R_DS(ON)）以及较
2025-09-09 13:48:01
氧化铝等化工行业实现稳定生产。本期案例使用的MR30系列分布式I/O产品：MR30-FBC-PN、MR30-16DI、MR30-16DO、MR30-08AI-I4W、MR30-08AO-I。 项目介绍 某化工行业龙头主要产品包括特种氧化铝、氧化铝陶瓷纳滤膜、LTCC 材料及元器件等，在新能源汽车领域、节能环保
2025-09-05 11:30:00499 将 R0、R145、R146、R147、R149、R151 上的 151 Ω更改为 R41、R42、R43、R44、R45。
FAQ_MA35D1_There尝试通过 JTAG2 连接到物联网板时没有响应。
FAQ_MA35D1_There尝试通过JTAG连接到物联网板时没有响应。
2025-09-03 08:28:31
### IPP45N06S4L-08-VB MOSFET 产品简介IPP45N06S4L-08-VB 是一款高性能N通道MOSFET，采用先进的Trench技术，封装为TO220。这款MOSFET
2025-09-01 11:25:16
某装备制造企业主要从事自动化焊割、涂装生产线的设计与制造，其中涂装生产线涉及喷砂、喷漆、热处理、废气处理等工艺。明达技术的MR30系列分布式I/O，性能稳定，易上手，方便接线，助力企业提升产品
2025-08-27 15:38:19481 
珠海创飞芯科技有限公司在非易失性存储技术领域再获突破——基于40nm标准工艺平台开发的eNT嵌入式eFlash IP已通过可靠性验证！这一成果进一步展现了创飞芯科技有限公司在先进工艺节点上的技术实力与工程化能力。
2025-08-14 11:52:592248 NAND闪存芯片是一种非易失性存储技术，广泛应用于现代电子设备中。以下是其核心功能、特点和应用场景的详细分析： 1. 核心功能 数据存储：以电信号形式长期保存数据，断电后数据不丢失。 快速读写：支持
2025-08-11 10:43:441645 SiC功率模块BMF240R12E2G3和BMF008MR12E2G3在储能变流器PCS应用中对抗电网浪涌的核心优势
2025-07-23 18:07:57798 
电子发烧友网站提供《LC87F0K08A 8位微控制器8K字节闪存ROM/384字节RAM规格书.pdf》资料免费下载
2025-07-17 15:33:20
0 功能状态机中实现，因此无需编码。算法配置存储在非易失性电子擦除可编程只读存储器中，当配置驱动器后，驱动器即可在独立模式下工作。该驱动器集成了三个半桥，具有40V绝对最大能力和240mΩ/250mΩ/265mΩ的低R ~DS(ON)~ （高侧+低侧FET）。
2025-07-11 10:34:32674 
探索eSUN易生3D打印材料如何助力教育创新，支持智能头盔设计、建筑模型验证及学生实践项目，推动跨学科学习与快速原型开发。
2025-07-08 11:38:32786 
Holtek 针对USB应用推出HT82B45R低速USB OTP MCU，符合USB 2.0低速规范，支持键盘用的高阻抗碳膜技术(Carbon Membrane)。HT82B45R结合低功耗
2025-07-01 10:21:011186 。 半导体存储器按照断电后数据是否继续保存，可分为易失性(Volatile)存储和非易失性(Non-Volatile)存储。利基型DRAM属于易失性存储，NOR Flash、SLC NAND Flash属于非
2025-06-29 06:43:001768 
/FeRAM (阻变/铁电) 等，目标是结合DRAM的速度和Flash的非易失性（存储级内存），部分已在特定领域应用（如MRAM做缓存），是未来重要方向。
CXL：一种新的高速互连协议，旨在更高效地连接
2025-06-24 09:09:39
国内领先的一站式存储NVM IP供应商创飞芯在非易失性存储技术领域取得的一项重要成果 —— 基于130nm标准工艺平台开发，为客户定制开发的EEPROM IP，已顺利通过客户全流程的PVT测试
2025-06-12 17:42:071063 DS4520是9位非易失(NV) I/O扩展器，具有通过I²C兼容的串行接口控制的64字节NV用户存贮器。与用来控制数字逻辑节点的硬件跳线和机械开关相比，DS4520为用户提供了数字可编程的替代方案
2025-05-26 15:41:31457 
DS4510是CPU监控电路，具有内部集成的64字节EEPROM存储器和四个可编程的非易失性(NV) I/O引脚。它配备了工业标准I²C接口，使用快速模式(400kbps)或标准模式(100kbps
2025-05-26 10:13:41749 
DS4550是9位，非易失(NV) I/O扩展器，具有I²C兼容串行接口或IEEE® 1149.1 JTAG端口控制的64字节NV用户存储器。DS4550采用数字编程替代硬件跳线和机械开关，实现对数
2025-05-26 09:50:50683 
深圳市易飞扬通信技术有限公司将携多款创新非相干与相干DWDM解决方案，亮相新加坡CommunicAsia 2025展会（5月27-29日，展位号3E2-5），展现高速、低功耗、低成本及长距离光传输领域的最新突破。
2025-05-23 17:43:04630 
：高端配置：采用高性能嵌入式单片机( 集成DSP 指令) ，总线不出芯片的设计方案；大容量高速非易失存储芯片除具备备自投功能外，兼顾分段保护、进线线路保护，配置齐
2025-05-14 15:27:40
DS3911是一款4通道、10位Σ-Δ输出、非易失(NV)控制器，内置温度传感器和相应的模/数转换器(ADC)。集成温度传感器提供分辨率为2°C的NV查找表(LUT)索引，温度范围为-40°C至
2025-05-12 09:41:29713 
PTH08T240/241W 是一款高性能 10A 额定电流的非隔离式电源模块。这些模块是广受欢迎的 PTH 系列电源模块的第 2 代，包括更小的占用空间和额外的功能。PTH08T241W 经过优化，可与所有陶瓷电容器配合使用。
2025-04-22 16:57:18659 
PTD08D210W 是一款高性能双通道 10A 输出、非隔离数字 PowerTrain™ 模块。该模块是数字 采用 TI UCD7242 MOSFET/驱动器 IC 的电源系统
2025-04-22 13:41:59700 
设计，使其成为军事电子战/电子对抗系统及高精度测试设备的理想解决方案。HMC547ALC3采用-5V/0V互补负逻辑控制电压方案，无需外部偏置电源即可实现稳定工作，有效简化了系统设计复杂度。特征高隔离度
2025-04-11 10:09:59
芯片烧录领导者昂科技术近期宣布了其烧录软件的最新迭代，并公布了一系列新增兼容芯片型号。在此次更新中，恒烁半导体（Zbit）推出的非易失性闪存ZB25VQ16CS已被昂科烧录程序芯片烧录设备
2025-04-09 15:22:11735 
，又可再对它写入，为可读/写存储器， 或随机访问存储器。⚫ 易失性
p 若存储器在断电之后，仍能保存其中的内容，则称为非易失性存储器；否则，为易失性存储器；
p 只读存储器（ROM）是非易失性的，随机
2025-03-26 11:12:24
电子发烧友网为你提供AIPULNION(AIPULNION)KW3-24D24E3R3相关产品参数、数据手册，更有KW3-24D24E3R3的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，KW3-24D24E3R3真值表，KW3-24D24E3R3管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2025-03-20 18:33:20
电子发烧友网为你提供AIPULNION(AIPULNION)KW1-24D15E3R3相关产品参数、数据手册，更有KW1-24D15E3R3的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，KW1-24D15E3R3真值表，KW1-24D15E3R3管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2025-03-20 18:31:55
电子发烧友网为你提供AIPULNION(AIPULNION)NN2-24D15H6R3相关产品参数、数据手册，更有NN2-24D15H6R3的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，NN2-24D15H6R3真值表，NN2-24D15H6R3管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2025-03-19 18:49:22
SuperViewW光学3D表面形貌特征轮廓仪基于白光干涉原理，以3D非接触方式，测量分析样品表面形貌的关键参数和尺寸。它是以白光干涉技术为原理、结合精密Z向扫描模块、3D 建模算法等对器件表面进行
2025-03-19 17:39:55
非易失存储：断电后数据不丢失 可重复编程：支持擦写操作（需先擦除后写入） 二进制操作：擦除后全为 1，写操作将 1 变为 0 核心差异 一、物理结构对比 NOR 特性 独立存储单元并联架构 支持随机
2025-03-18 12:06:501167 电子发烧友网站提供《SZ453G-SZ45D0表面贴装硅齐纳二极管规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-13 15:36:380 LP2801A/B/C/D/E 非隔离电源芯片方案--深圳市三佛科技有限公司
LP2801输出电压可调3.3V～24V,输出电流100mA～400mA。产品普遍运用在小家电，白色家电等开放式电源
2025-03-13 09:46:34
NAND闪存是一种非易失性存储技术，广泛用于固态硬盘、USB闪存盘和手机存储中，具有高速读写和耐用性强的特点。
2025-03-12 10:21:145322 
电子发烧友网综合报道，日前，莱迪思宣布在FPGA设计上前瞻性的布局，使其能够结合MRAM技术，推出了包括Certus-NX、CertusPro-NX和Avant等多款创新产品。这些FPGA器件采用
2025-03-08 00:10:001803 特性低成本、低功耗的复杂可编程逻辑器件（CPLD）即时启动，非易失性架构待机电流低至 2 毫安提供快速的传播延迟和时钟到输出时间提供四个全局时钟，每个逻辑阵列块（LAB）有两个时钟可用高达 8 千
2025-03-07 15:19:03
国芯思辰| 替代ADC08D1000，模数转换器SC1281在通信系统中的应用
2025-03-07 10:00:17810 
MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS电路，可将标准（易失性）CMOS RAM转换为非易失性存储器。它还会持续监控电源，以在RAM的电源处于边际（超出容限）条件时提供RAM写保护。当电源开始出现故障时，RAM受到写保护，并且器件切换到电池备用模式。
2025-02-28 10:48:16917 
带锂电池监控器的DS1321灵活非易失性控制器是一款CMOS电路，解决了将CMOS SRAM转换为非易失性存储器的应用问题。监控输入功率是否发生超出容差的情况。当检测到这种情况时，芯片使能输出会被
2025-02-28 10:00:43986 
带电池监控器的DS1314非易失性控制器是一个CMOS电路，解决了将CMOS RAM转换为非易失性存储器的应用问题。监控输入功率是否发生超出容差的情况。当检测到这种情况时，芯片使能会被禁止以实现
2025-02-28 09:53:17807 
带电池监控器的DS1312非易失性控制器是一个CMOS电路，解决了将CMOS RAM转换为非易失性存储器的应用问题。监控输入功率是否发生超出容差的情况。当检测到这种情况时，芯片使能会被禁止以实现
2025-02-28 09:48:45745 
DS1746是一款全功能、符合2000年标准(Y2KC)的实时时钟/日历(RTC)和128k x 8非易失性静态RAM。用户对DS1746内所有寄存器的访问都通过字节宽接口实现，如图1所示。RTC
2025-02-27 17:20:04913 
DS1557是一款全功能、符合-2000年标准(Y2KC)的实时时钟/日历(RTC)，具有RTC警报、看门狗定时器、上电复位、电池监控器和512k x 8非易失性静态RAM。用户对DS1557内所有
2025-02-27 17:11:32932 
DS1554是一款全功能、符合2000年标准(Y2KC)的实时时钟/日历(RTC)，具有RTC警报、看门狗定时器、上电复位、电池监控器和32k x 8非易失性静态RAM。用户对DS1554内所有
2025-02-27 16:54:351041 
DS1747是功能完备、2000年兼容(Y2KC)的实时时钟/日历(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用户可通过如图1所示的单字节宽度的接口对DS1747内部的所有寄存器进行访问。RTC
2025-02-27 15:51:09872 
DS1265 8M非易失SRAM为8,388,608位、全静态非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视V~CC~是否超出容差范围
2025-02-27 09:19:54821 
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM为2,097,152位、全静态非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视V~CC~是否
2025-02-27 09:09:09951 
Cool MOS LC65R1K0D以其zhuoyue的性能和可靠性，成为电源设计和工业应用的理想选择。无论是开关电源、电机驱动还是LED照明，这款MOSFET都能为您提供高效的解决方案。立即选购，体验广东佳讯电子带来的高品质产品！
2025-02-21 16:21:58954 可达90 MB/s•STR和DTR支持的协议——扩展I/O协议——双I/O协议——四I/O协议•就地执行（XIP）•程序/擦除暂停操作•易失性和非易失性配置设置•软
2025-02-19 16:15:14
标准，充分展现了其在汽车领域的卓越性能和可靠性。 ISO 26262标准是针对道路车辆功能安全的国际标准，而ASIL-D则是该标准中的最高安全完整性等级。Andes D45-SE处理器能够获得
2025-02-14 14:52:441063 我们很高兴宣布，Andes 晶心的 D45-SE 处理器 已经获得 ISO 26262 ASIL-D 认证，由 SGS TÜV 颁发，这意味着我们的处理器达到了汽车业界对于关键安全系统的最高标准!
2025-02-14 13:44:36910 滚柱直线导轨：如 MONORAIL MR 系列，适用于重载和高速运动场合，承载能力和稳定性较高，规格有 MR25、MR35、MR45、MR55、MR65、MR100 等。导轨和滑块的尺寸精度和几何
2025-02-11 16:53:25
非铁电材料作为介电质，介电常数较低，但温度稳定性极佳。 2. 温度特性: X7R: 温度系数为±15%，即在-55℃到+125℃的工作温度范围内，其电容值变化不超过±15%。 C0G (NP0
2025-02-10 14:50:022333 
ADS131E08EVM是否可以不連接MMB0來單獨使用?
我現在測試單獨使用ADS131E08EVM由外部MSP430的SPI去讀取ID皆沒有讀取到任何數值。
Board Power
2025-02-10 07:30:05
SI8932D-IS4R 产品概述SI8932D-IS4R是一款高性能的隔离型数字信号调理器，专为工业自动化、智能电网和其他要求高可靠性的应用设计。该产品提供出色的信号隔离能力和高精度的信号处理
2025-02-08 23:14:19
如题，ADC08D1520QML的采样率为最高3GSPS。那如果我要采集的信号的频率是1GHZ的，采集效果会如何呢？
2025-02-06 06:51:31
电平也基本上是这个范围，这样一来，岂不是难有器件能够满足这款ADC的控制引脚电平要求了？另外上图中的(9)中说这个参数并未在产品中经过测试，我们不明白这意味着什么？
(2)ADC08D500中提到两个地(应该是数字地和模拟地)之间的压差最好为0V，不知这是否意味着需要把两个地直接相连？
2025-01-24 08:08:55
BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
在此次更新中，恒烁半导体（Zbit）推出的非易失性闪存ZB25VQ32DS已被昂科的程序烧录专业芯片烧录设备AP8000所支持。昂科技术自主研发的AP8000万用烧录器，支持包括一拖一及一拖八配置
2025-01-17 09:30:20872 
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