串行接口MRAM存储芯片面向工业物联网和嵌入式系统的应用

英尚微电子所代理的Everspin xSPI串行接口MRAM存储芯片，基于最新的JEDEC xSPI标准与独有的STT-MRAM技术构建，这款串行接口MRAM存储芯片可全面替代传统SRAM、BBSRAM、NVSRAM及NOR存储器件，专为应对工业物联网、嵌入式系统及高性能存储应用的严苛需求而设计。旨在通过其高性能、高可靠性及广泛的适用性，为下一代存储架构提供支撑。

高速接口与卓越性能
①该系列MRAM存储芯片支持多路I/O及全SPI兼容性，时钟频率最高达200 MHz。
②MRAM存储芯片通过8个I/O信号实现高达400MB/s的读写速度，具备真正的字节寻址能力与极低延迟。
③采用1.8V单电源供电，在保持低引脚数的基础上实现高带宽数据传输。

工业级耐用性与系统可靠性
①MRAM存储芯片在不依赖超级电容或电池的情况下，提供瞬时断电数据保护，大幅提升系统在数据持久性要求极高场景中的可靠性。
②MRAM存储芯片具备极高耐用性，可应对频繁写入与高负载存储任务，简化系统设计复杂度，延长设备使用寿命。

广泛适用性与替代优势
①工业自动化与过程控制
②汽车与交通电子系统
③模拟仿真与交互游戏
④各类工业物联网（IIoT）设备及嵌入式系统

Everspin xSPI MRAM存储芯片不仅延续了MRAM技术的非易失、低延迟和高耐用特性，更借助标准化串行接口，打开了向工业物联网和嵌入式系统的应用。如需了解更多，请搜索英尚微。

审核编辑 黄宇