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串行接口MRAM存储芯片面向工业物联网和嵌入式系统的应用

samsun2016 来源:samsun2016 作者:samsun2016 2025-11-05 15:31 次阅读
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英尚微电子所代理的Everspin xSPI串行接口MRAM存储芯片,基于最新的JEDEC xSPI标准与独有的STT-MRAM技术构建,这款串行接口MRAM存储芯片可全面替代传统SRAM、BBSRAM、NVSRAM及NOR存储器件,专为应对工业物联网嵌入式系统及高性能存储应用的严苛需求而设计。旨在通过其高性能、高可靠性及广泛的适用性,为下一代存储架构提供支撑。


高速接口与卓越性能
①该系列MRAM存储芯片支持多路I/O及全SPI兼容性,时钟频率最高达200 MHz。
②MRAM存储芯片通过8个I/O信号实现高达400MB/s的读写速度,具备真正的字节寻址能力与极低延迟。
③采用1.8V单电源供电,在保持低引脚数的基础上实现高带宽数据传输。


工业级耐用性与系统可靠性
①MRAM存储芯片在不依赖超级电容或电池的情况下,提供瞬时断电数据保护,大幅提升系统在数据持久性要求极高场景中的可靠性。
②MRAM存储芯片具备极高耐用性,可应对频繁写入与高负载存储任务,简化系统设计复杂度,延长设备使用寿命。


广泛适用性与替代优势
工业自动化与过程控制
②汽车与交通电子系统
模拟仿真与交互游戏
④各类工业物联网(IIoT)设备及嵌入式系统


Everspin xSPI MRAM存储芯片不仅延续了MRAM技术的非易失、低延迟和高耐用特性,更借助标准化串行接口,打开了向工业物联网和嵌入式系统的应用。如需了解更多,请搜索英尚微。

审核编辑 黄宇

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