MXD1210非易失RAM控制器技术手册
概述
MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS电路，可将标准（易失性）CMOS RAM转换为非易失性存储器。它还会持续监控电源，以在RAM的电源处于边际（超出容限）条件时提供RAM写保护。当电源开始出现故障时，RAM受到写保护，并且器件切换到电池备用模式。
数据表：*附件：MXD1210非易失RAM控制器技术手册.pdf
应用
特性
引脚配置
非易失性RAM控制器
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