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      DS1265AB 8M非易失SRAM技术手册

      要长高 • 2025-02-27 09:19 • 次阅读
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      概述
      DS1265 8M非易失SRAM为8,388,608位、全静态非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。
      数据表：*附件：DS1265AB 8M非易失SRAM技术手册.pdf
      特性

      • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
      • 掉电期间数据被自动保护
      • 没有写次数限制
      • 低功耗CMOS操作
      • 70ns的读写存取时间
      • 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态
      • ±10% VCC工作范围(DS1265Y)
      • 可选择±5% VCC工作范围(DS1265AB)
      • 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND
        引脚配置
        image.png
        推荐的DC操作条件
        image.png
        时序图
        image.png
      声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。 举报投诉
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        发表于 03-10 18:32
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