DS1249AB 2048k非易失SRAM技术手册

概述

DS1249 2048k非易失(NV) SRAM为2,097,152位、全静态非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。

数据表：*附件：DS1249AB 2048k非易失SRAM技术手册.pdf
特性

• 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
• 掉电期间数据被自动保护
• 没有写次数限制
• 低功耗CMOS操作
• 70ns的读写存取时间
• 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态
• ±10% VCC工作范围(DS1249Y)
• 可选择±5% VCC工作范围(DS1249AB)
• 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND
• JEDEC标准的32引脚DIP封装
  引脚配置
  
  DS1249AB为高于4.75伏的Vcc提供全功能，并在4.5伏时提供写保护。DS1249Y为高于4.5伏的Vcc提供全功能能力，并提供4.25伏的写保护。在没有Vcc的情况下保持数据，而不需要任何额外的支持电路。非易失性静态ram持续监控Vcc。如果电源电压下降，NV会自动进行写保护，所有输入变为“无关”，所有输出变为高阻态。当Vcc降至约3.0伏以下时，电源开关电路将锂能源连接到RAM以保存数据。在加电期间，当Vcc上升到大约3.0伏以上时，电源开关电路将外部Vcc连接到RAM，并断开锂能源。在Vcc超过DS1249AB的4.75伏和DS1249Y的4.5伏后，RAM可以恢复正常工作。
  交流电气特性