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DS4510 CPU监控电路,具有非易失存储器和可编程输入/输出技术手册

要长高 2025-05-26 10:13 次阅读
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概述
DS4510是CPU监控电路,具有内部集成的64字节EEPROM存储器和四个可编程的非易失性(NV) I/O引脚。它配备了工业标准I²C接口,使用快速模式(400kbps)或标准模式(100kbps)进行通信。I/O引脚可以用作通用I²C至并行I/O扩展器,具有无限制读写的能力。EEPROM寄存器允许调节I/O引脚的上电值,由此在上电过程跟踪系统的状态。该CPU监控器的定时器可以在125ms至1000ms之间调整以满足大多数应用的需要。
数据表:*附件:DS4510 CPU监控电路,具有非易失存储器和可编程输入 输出技术手册.pdf

应用

特性

  • 5V电源精确的5%、10%或15%门限值监视
  • 在VCC返回容限范围后,可编程的复位定时器将维持复位状态
  • 具有可选择内部上拉电阻的四个可编程、NV、数字I/O引脚
  • 64字节的用户EEPROM
  • 减少了对分立元件的需求
  • I²C兼容的串行接口
  • 10引脚µSOP封装

引脚配置描述
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操作电路
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交流电气特性
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典型操作特性
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详细说明

DS4510 包含一个 CPU 监控器、四个可编程 I/O 引脚以及一个 64 字节的 EEPROM 存储器。所有功能均可通过业界标准的 I²C 兼容总线进行配置和控制。DS4510 的非易失性寄存器采用 SRAM 映射的 EEPROM(即影子 EEPROM)实现。该存储器可配置为作为易失性 SRAM 或非易失性 EEPROM 运行,通过调整配置寄存器(SEEPROM)中的 SEE 位来实现。将这些寄存器配置为 SRAM 可消除 EEPROM 写入时间,并允许对这些寄存器进行无限次循环写入。将寄存器配置为 EEPROM 可让应用程序更改上电时调用的电源电平值。

可编程 CPU 监控器

通过向复位延迟寄存器(EEPROM)写入来调整超时周期。AC 电气特性中给出了每个设置的延迟时间。如果设置了 SEE 位,更改将写入 SRAM。在上电时,最后一个值也会写入 EEPROM 中。I²C 总线用于通过设置配置寄存器中的 SWRT 位来激活 RST 引脚。超时周期结束后,该位会自动复位为零。配置寄存器还包含就绪位、阈值点和复位状态位。就绪位用于判断 DS4510 的上电复位电平是否被 VCC 超过。阈值点用于判断 VCC 是否高于 VCTP。如果 RST 处于有效状态,则设置复位状态位。
注意:RST 引脚为集电极开路输出,因此需要一个外部上拉电阻,以实现高逻辑电平。

可编程非易失性数字 I/O 引脚

每个可编程 I/O 引脚都包含一个输入、一个集电极开路输出以及一个可选择的内部上拉电阻。DS4510 将 I/O 引脚的更改存储在 EEPROM 存储器中。将 SEEPROM 用作 SRAM 对应用程序有益,因为 I/O 扩展通常需要快速访问时间和对 I/O 引脚进行频繁修改。配置 SEE 位以在 EEPROM 模式下运行,可允许更改 I/O 引脚的上电状态。上电时,I/O 引脚为高阻抗状态,直到 VCC 超过 2.0V(典型值),此时从 EEPROM 中调用最后一个值。掉电时,I/O 状态由 VCC 降至 1.9V(典型值)来维持。
I/O 引脚的内部上拉电阻由上拉使能寄存器(F0h)控制。同样,各个 I/O 控制寄存器(F4h 至 F7h)用于调整下拉电阻。

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