MAX845:用于PCMCIA应用的隔离式变压器驱动器 在电子设备的设计中,为特定应用选择合适的电源解决方案至关重要。对于PCMCIA及其他对空间和高度敏感的应用场景,MAX845隔离式变压器驱动器
2025-12-28 15:25:02
389 EiceDRIVER™ 2EDR8259H等双路隔离栅极驱动器IC深度解析 在功率转换系统的设计中,栅极驱动器起着至关重要的作用,它直接影响着功率开关的性能和整个系统的稳定性。今天,我们就来深入探讨
2025-12-21 09:30:03
543 EiceDRIVER™ 2EDR8259H等双通道隔离栅极驱动器IC:设计与应用详解 作为一名电子工程师,在设计电源转换系统时,选择合适的栅极驱动器IC至关重要。今天就来详细聊聊英飞凌
2025-12-20 20:35:05
1020 最低150 kV/μs的共模瞬态抗扰度(CMTI),确保了在开关节点电压剧烈跳变时,驱动器的内部逻辑不会误动作,这是所有高可靠性隔离驱动的基石。
应用领域
电机驱动:伺服驱动器、变频器、电动汽车主驱
2025-12-19 09:24:01
MAX845:PCMCIA应用的理想隔离变压器驱动器 一、引言 在如今的电子设备设计中,对于空间敏感型应用的电源供应需求日益增长。PCMCIA卡等设备对电源的隔离性、体积大小以及功率等方面都有着严格
2025-12-18 17:50:16
476 在功率电子设计,特别是基于宽禁带半导体(如GaN)的高频、高密度电源与驱动系统中,隔离驱动器的尺寸、驱动能力和抗干扰性能已成为关键瓶颈。传统方案往往在体积、功耗与鲁棒性之间艰难权衡
2025-12-16 08:38:27
系统可靠性大打折扣?SLM346CK-DG作为一款兼容光耦的单通道隔离式栅极驱动器,或许正是你需要的。它集成了3.0A峰值输出电流、150kV/us CMTI和120ns低传输延迟等特性,直接引脚兼容
2025-12-01 08:25:19
在电子工程师的日常设计工作中,选择合适的栅极驱动器至关重要。今天,我们将深入探讨 onsemi 推出的 NCP51752 隔离单通道栅极驱动器,它在驱动功率 MOSFET 和 SiC MOSFET 功率开关方面表现出色,具备众多令人瞩目的特性。
2025-11-27 16:23:30
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在电力电子领域,栅极驱动器扮演着至关重要的角色,它直接影响着功率开关器件的性能和系统的稳定性。今天,我们将深入探讨安森美(onsemi)的NCP51152,一款具有出色性能和丰富功能的隔离单通道栅极驱动器。
2025-11-27 10:52:53
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两相步进电机及其驱动器是工业自动化领域的关键组件,其性能参数直接影响设备的定位精度和动态响应。以下从电机本体参数、驱动器核心技术及选型要点三个维度展开分析: 一、电机本体核心参数解析 1. 相数与步
2025-11-27 07:41:01
347 回路开关噪声至关重要。
电源适应性:驱动侧4V至30V宽电源电压,控制侧3V至18V宽输入电压,能灵活匹配不同控制器。
安全与可靠性:
3kVRMS隔离耐压(SOP8封装)。
5V输入反向耐压
2025-11-15 10:00:15
STMicroelectronics STGAP2SiCD电流隔离4A双通道栅极驱动器设计在每个栅极驱动通道、低电压控制和接口电路之间提供电流隔离。STGAP2SiCD栅极驱动器具有4A电流能力和轨到轨输出,因此适合用于中等功率和大功率应用,例如电源转换和工业电机驱动器逆变器。
2025-10-31 14:12:03
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STMicroelectronics STGAP2HD电流隔离4A双通道栅极驱动器在每个栅极驱动通道、低电压控制和接口电路之间提供电流隔离。该栅极驱动器具有4A电流能力和轨到轨输出,因此适合用于中等功率和大功率应用,例如电源转换和工业电机驱动器逆变器。
2025-10-31 14:03:56
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瞬态干扰的抑制能力,若CMTI不足可能导致信号失真、输出错误甚至系统故障。 核心特性与重要性 技术定义:CMTI通过隔离层两侧施加的共模瞬变电压(如±2kV脉冲)测试,以器件输出信号不出现误动作的最大dV/dt值作为量化标准。 应用场景
2025-10-30 12:10:41
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STMicroelectronics STGAP2GSN隔离式3A单栅极驱动器隔离栅极驱动通道、低压控制和接口电路。该栅极驱动器具有2A源电流、3A灌电流能力以及轨到轨输出,因此适合用于中等
2025-10-25 09:48:34
890 
UCC23511-Q1 是一款光兼容、单通道、隔离式栅极驱动器,适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET,具有 1.5A 源电流和 2A 灌电流峰值输出电流以及 5.7kV~有效值
2025-10-14 14:44:27
493 
。
该UCC21330可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过3kVRMS隔离栅与两个输出驱动器隔离,共模瞬态抗扰度(CMTI)最小为125V/ns。
2025-10-11 16:20:14
2357 
的电源。 紧凑的高性能功率级依赖快速、可靠的栅极驱动解决方案。这类解决方案既有简单的低压侧驱动器,也有适合高压环境的全隔离版本。对于许多设计来说,浮地非隔离栅极驱动器提供了一条有效的成功途径。 栅极驱动器用作中间器件,将通常来自微控制器或脉
2025-10-02 17:22:00
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NSI6602A-DSWR:具备5700Vrms隔离与100kV/μs CMTI的高可靠性双通道驱动器,一款非常可靠的隔离式双通道栅极驱动器,特别适合那些对可靠性和抗干扰能力有严苛要求的功率
2025-09-29 08:40:07
在需要高可靠性和稳定性的隔离电源设计中,如何有效避免推挽拓扑的磁芯偏磁问题并简化保护电路?
SiLM6201BAD-7G是一款集成了功率MOS对管的推挽电源控制器。内部功率MOS管的驱动对称程度高
2025-09-27 08:20:06
。
UCC21351-Q1 可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过3kVRMS隔离栅与两个输出驱动器隔离,共模瞬态抗扰度(CMTI)最小为125V/ns。
2025-09-25 14:14:21
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SLM341CK-DG是一款单通道、兼容光耦管脚的隔离式栅极驱动器,专为驱动IGBT和MOSFET设计。其具备3.0A峰值输出电流和12.5V的欠压锁定(UVLO)功能,在共模瞬态抗扰度(CMTI
2025-09-19 09:24:19
Texas Instruments UCC21737-Q1单通道栅极驱动器是一款电流隔离式栅极驱动器,设计用于工作电压高达2121V DC的SiC MOSFET和IGBT,具有先进的保护特性、同类最佳的动态性能和稳健性。该器件具有高达 ±10A的峰值拉电流和灌电流。
2025-09-09 15:37:02
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NSI6602B-DSPNR一款高性能隔离式双通道栅极驱动器,专用于驱动开关频率最高达2MHz的功率晶体管。集成双通道输出,具备4A/6A的峰值拉灌电流能力及3000Vrms隔离耐压(SOP16封装
2025-09-08 08:47:50
器件对共模电压瞬变(如地线间电压突变)的耐受能力,量化单位为kV/µs或V/ns。例如,高性能隔离器CMTI可达±100kV/µs以上。 二. 重要性 高速开关需求 :SiC/GaN
2025-09-04 15:29:23
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Texas Instruments UCC21756-Q1隔离式单通道栅极驱动器设计用于工作电压高达2121 V DC的SiC MOSFET和IGBT,具有先进的保护特性、同类最佳的动态性能和稳健性
2025-08-26 10:01:15
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Texas Instruments UCC21717-Q1隔离式单通道栅极驱动器设计用于驱动高达1700V SiC MOSFET和IGBT。它具有高级集成保护、出色的动态性能和稳健性
2025-08-18 10:32:02
1585 
使其成为追求高功率密度、高可靠性和高效率设计的工程师在服务器、通信、工业电源、太阳能逆变器及电动汽车充电应用中的理想隔离驱动解决方案。其优异的 CMTI 和灵活的 DT 控制特性,尤其能满足现代电力电子系统对噪声免疫和开关精度的严苛要求。#SiLM8263 #隔离驱动 #门极驱动器
2025-08-16 09:18:54
SiLM5343ATCR-DG 是一款定位精准、性能卓越的单通道隔离栅极驱动器。其核心价值在于:在完全兼容传统光耦隔离驱动器引脚布局的前提下,提供显著超越光耦的性能与可靠性,是驱动IGBT
2025-08-15 08:56:44
一款专为高效、可靠驱动中小功率 IGBT 和 MOSFET 设计的隔离方案——SLM345CK-DG。它完美兼容传统光耦驱动器TLP5771的,提供显著的性能提升和可靠性飞跃,是光耦升级的理想选择
2025-08-14 08:37:14
CMTI)和完备认证,SLMi333CG-DG为工程师在电机驱动、工业电源及新能源逆变器等应用领域,提供了一款高可靠、易设计、具备出色持续运行能力的国产驱动解决方案,是大功率场景下的可靠伙伴。#SLMi333 #隔离驱动器 #门极驱动 #单通道带保护 #FOD8333
2025-08-13 08:31:37
(5kVRMS, 高CMTI)以及宽工作温度范围于一身,并符合车规标准。SOP16W封装设计紧凑且安全间距充足,是工程师在开发高可靠性电机驱动、新能源逆变器和工业电源等应用的理想单通道隔离驱动器解决方案。#SiLM5932SHOCG-DG #SiLM5932SHO #UCC21750DWR #隔离驱动器 #门极驱动
2025-08-12 08:33:41
5kV~RMS~ 隔离栅(共模瞬态抗扰度 (CMTI) 至少为125V/ns)将输入侧与两个 输出驱动器隔离。这些栅极驱动器非常适合车载电池充电器、高压DC-DC转换器、汽车HVAC和车身电子设备。
2025-08-11 14:36:40
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一款高性能双通道隔离栅极驱动器SiLM8260ABCS-AQ,在需要强大驱动能力、高隔离等级及可靠性的中高功率应用场景中表现突出。核心亮点:
强劲驱动能力: 提供双通道 10A 峰值拉电流/灌电流
2025-08-11 08:46:08
栅极驱动器可配置为两个低侧、两个高侧或一个半桥驱动器。输入侧通过一个5kV~RMS~ 隔离栅与两个输出驱动器隔离,该隔离栅具有最小值125V/ns的共模瞬态抗扰度 (CMTI)。UCC21551
2025-08-06 15:09:10
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Texas Instrument UCC21738-Q1隔离式单通道栅极驱动器专门设计用于直流工作电压高达2121V的IGBT和SiC MOSFET。这些器件具有先进的保护功能、出色的动态性能和稳健
2025-08-06 10:45:08
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Texas Instruments UCC23113隔离式栅极驱动器是一款兼容光耦的单通道隔离式栅极驱动器,用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET。该器件具有5A峰值输出拉电流、5A峰值
2025-08-03 17:04:13
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,可驱动功率MOSFET、SiC、GaN和IGBT晶体管。UCC21330可配置为两个低侧、两个高侧或半桥驱动器。输入侧通过5kV~RMS~ 隔离栅与两个输出驱动器隔离,该隔离栅具有最小125V/ns的共模瞬态抗扰度 (CMTI)。
2025-08-03 16:29:23
941 
驱动功率MOSFET、SiC和IGBT晶体管。UCC21331/UCC21331-Q1可配置为两个高压侧驱动器、两个低压侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过3kV~RMS~ 隔离栅与两个输出驱动器隔离,共模瞬态抗扰度 (CMTI) 至少为125V/ns。
2025-07-29 15:17:31
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用光耦隔离驱动的兄弟们,提供了一条无损升级的捷径!保留光耦的管脚便利性,性能却全方位吊打:电流更大(尤其关断猛)、速度快得多、抗干扰强几倍、还不用担心老化。SMP8封装安规到位,皮实耐操。#SLMi350DB-DG #SLMi350 #隔离驱动器 #门极驱动
2025-07-23 09:05:49
峰值灌电流,可驱动功率MOSFET和GaN晶体管。UCC21231可配置为两个低压侧、两个高压侧或半桥驱动器。输入端通过1.6kV~RMS~ 隔离栅与两个输出驱动器隔离。这种隔离的最低要求是125V/ns共模瞬态抗扰度(CMTI)。
2025-07-21 16:38:53
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在于解决了传统光耦驱动器的几个痛点:1.卓越的动态性能:-极低延迟与失真: 器件间延迟匹配最大仅25ns,脉宽失真最大35ns。这对于精确控制开关时序、减小死区时间、提升系统效率至关重要。-超高抗干扰能力
2025-07-21 08:56:31
兼容性以及高隔离等级 (5kVRMS) 于一体的优秀双通道隔离驱动器。其多种 UVLO 阈值选型为设计提供了便利。对于追求高效率、高功率密度和高可靠性的电源与逆变系统设计,SiLM8260A 是一个
2025-07-18 09:04:23
并行信号隔离的场景。典型应用领域:
工业控制
电机驱动
数据采集与转换
通信接口
总结:SiLM5720FCA-DG 凭借其高隔离耐压、超强抗干扰能力 (高 CMTI)、低功耗、宽电压兼容性以及车规
2025-07-16 08:19:55
电机控制器/工业BLDC驱动
总结:1. 12A驱动+4A米勒钳位=彻底解决IGBT动态导通痛点
2. DESAT软关断+故障反馈=主动防御过流炸机风险
3. 车规级可靠性+5kV隔离=工业与车载双场景
2025-07-15 09:25:36
设计的双通道、单输入、死区可编程的隔离栅极驱动器,在高速开关应用和高可靠性系统中表现出色。
核心优势聚焦:
独创死区可编程 (DT): SiLM8254的核心亮点在于其可编程死区时间功能。通过外部简单配置
2025-07-14 09:34:01
工程师和技术人员做出更科学的选择。 一、伺服专用变压器的核心作用与选型原则 伺服专用变压器主要用于为伺服驱动器提供稳定、纯净的电源,其主要功能包括电压转换、隔离保护和抑制电网干扰。与普通变压器相比,伺服专用变压器具有更高
2025-07-13 17:37:19
1007 
驱动器管脚完全兼容的同时,提供了显著超越的性能与可靠性,是工业电机驱动、逆变器和电源设计的理想选择。核心优势与技术亮点:
光耦兼容,轻松升级:
最大便利性在于管脚兼容传统光耦隔离驱动器。工程师可直接
2025-07-11 09:51:26
电子发烧友网为你提供()密封光隔离高速功率 MOSFET 驱动器相关产品参数、数据手册,更有密封光隔离高速功率 MOSFET 驱动器的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料,密封光隔离高速功率
2025-07-09 18:30:34

近期关注到SiLM824x系列 SiLM8246GAHB-DG 隔离栅极驱动器,其融合了小尺寸封装、高驱动能力与强抗干扰特性,在新能源与工业电源领域展现出独特潜力。今天想结合参数与设计逻辑,和大家
2025-07-04 08:45:16
电子发烧友网为你提供()用于混合组装的光隔离高速功率 MOSFET 驱动器相关产品参数、数据手册,更有用于混合组装的光隔离高速功率 MOSFET 驱动器的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料
2025-07-03 18:34:35

一、产品概述:高可靠性隔离驱动的集成化突破
SLMi8233BDCG是 双通道死区可编程隔离驱动器 ,专为高功率、高噪声环境设计。其核心采用双电容隔离技术与 OOK传输技术 ,实现5kVRMS隔离
2025-06-28 08:45:31
变频器开关噪声对控制板的耦合
四、典型应用场景
工业自动化
伺服驱动器 编码器信号隔离 (150Mbps传输抗电机绕组噪声)
PLC数字量输入模块 多通道隔离 (7kV浪涌防护应对现场感应雷击)
通信
2025-06-27 08:39:58
100kV/μs CMTI确保在48V轻混系统等共模噪声场景下的信号完整性。该器件凭借车规级温度范围与双安全认证,成为高可靠性工业电源及新能源汽车电力电子系统的优选驱动方案。
#SLMi823x #SLMi8233DDCG-DG #半桥驱动 #死区控制 #隔离驱动器 #Nsi6602CDWR
2025-06-21 09:44:16
一、产品概述
MAX13253ATB+T是一款 1A推挽式变压器驱动器 ,专为简化低EMI隔离电源设计而优化。其核心价值在于通过单芯片集成振荡器、功率开关及EMI抑制功能,替代传统分立方案。器件采用
2025-06-18 11:56:19
产品架构与功能深度剖析SiLM825x系列SiLM8253BBCL-DG 40V, 4A 双通道死区可编程隔离驱动器
核心定位
SiLM825x系列SiLM8253BBCL-DG是针对半桥/全桥
2025-06-12 09:35:46
隔离型门极驱动器,以卓越的电气性能、多元的功能配置及广泛的行业适用性,成为驱动 MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 等功率器件的理想选择。本文将深入解析其技术特性与应用价值。 一、产品概述:高集成度与高可靠性的完美融合 BTD5350x 系列是专为高压隔离场景设计的
2025-06-10 09:00:57
628 
供 3.3mm 的最小通道间距,从而实现更高的总线电压。
UCC2154x 系列可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过 5.7kVRMS 隔离栅与两个输出驱动器隔离,具有最小 125V/ns 的共模瞬态抗扰度 (CMTI)。
2025-05-24 16:00:00
638 
通过 5.7kVRMS 增强型隔离栅与两个输出驱动器隔离,具有最小 125V/ns 的共模瞬态抗扰度 (CMTI)。两个次级侧驱动器之间的内部功能隔离允许高达 1850V 的工作电压。
2025-05-24 15:47:00
686 
。
输入侧通过 5.7kVRMS 增强型隔离栅与两个输出驱动器隔离,具有最小 125V/ns 的共模瞬态抗扰度 (CMTI)。两个次级侧驱动器之间的内部功能隔离允许高达 1850V 的工作电压。
2025-05-24 15:41:00
581 
一流的传播延迟和脉宽失真。
输入侧通过 2.5kV 与两个输出驱动器隔离~RMS~隔离栅,具有最小 100V/ns 的共模瞬态抗扰度 (CMTI)。两个输出侧驱动器之间的内部功能隔离允许高达 700V 的工作电压 ~直流~ .
2025-05-24 14:51:00
447 
UCC21732-Q1 是一款电流隔离式单通道栅极驱动器,专为高达 2121V 直流工作电压的 SiC MOSFET 和 IGBT 而设计,具有先进的保护功能、一流的动态性能和稳健性
2025-05-24 14:20:00
505 
供 3.3mm 的最小通道间距,从而实现更高的总线电压。
UCC2154x 系列可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过 5.7kVRMS 隔离栅与两个输出驱动器隔离,具有最小 125V/ns 的共模瞬态抗扰度 (CMTI)。
2025-05-24 14:00:00
608 
5.7kVRMS 增强型隔离栅与两个输出驱动器隔离,具有最小 125V/ns 的共模瞬态抗扰度 (CMTI)。两个次级侧驱动器之间的内部功能隔离允许高达 1500VDC 的工作电压。
2025-05-19 15:34:43
1495 
宽失真。
输入侧通过 5.7kV 与两个输出驱动器隔离~RMS~增强型隔离栅,具有最低 100V/ns 的共模瞬态抗扰度 (CMTI)。两个次级侧驱动器之间的内部功能隔离允许高达 1500 V 的工作电压 ~直流~ .
2025-05-19 14:27:00
792 
延迟和脉宽失真。
输入侧通过 5.7kV 与两个输出驱动器隔离~RMS~增强型隔离栅,具有最低 100V/ns 的共模瞬态抗扰度 (CMTI)。两个次级侧驱动器之间的内部功能隔离允许高达 1500V 的工作电压 ~直流~ .
2025-05-19 14:21:04
568 
的传播延迟和脉宽失真。
输入侧通过 2.5kV 与两个输出驱动器隔离~RMS~隔离栅,具有最小 100V/ns 的共模瞬态抗扰度 (CMTI)。两个输出侧驱动器之间的内部功能隔离允许高达 700V 的工作电压 ~直流~ .
2025-05-19 13:50:53
693 
侧通过 5.7kVRMS 增强型隔离栅与两个输出驱动器隔离,具有最小 125V/ns 的共模瞬态抗扰度 (CMTI)。两个次级侧驱动器之间的内部功能隔离允许高达 1500VDC 的工作电压。
2025-05-19 10:25:29
1330 
UCC21220 和 UCC21220A 器件是基本和功能隔离式双通道栅极驱动器,具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。它们设计用于驱动 PFC、隔离式 DC/DC 和同步整流应用中的功率
2025-05-19 10:13:09
607 
UCC21220 和 UCC21220A 器件是基本和功能隔离式双通道栅极驱动器,具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。它们设计用于驱动 PFC、隔离式 DC/DC 和同步整流应用中的功率
2025-05-19 09:12:23
655 
一流的传播延迟和脉宽失真。
输入侧通过 2.5kV 与两个输出驱动器隔离~RMS~隔离栅,具有最小 100V/ns 的共模瞬态抗扰度 (CMTI)。两个输出侧驱动器之间的内部功能隔离允许高达 700V 的工作电压 ~直流~ .
2025-05-17 11:49:38
697 
UCC23511 是一款适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容单通道隔离式栅极驱动器,具有 1.5A 拉电流和 2A 灌电流峰值输出电流以及 5.7kV~RMS~增强
2025-05-17 11:44:58
1038 
UCC21710-Q1 是一款电流隔离式单通道栅极驱动器,专为高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT 而设计,具有先进的保护功能、一流的动态性能和稳健性。UCC21710-Q1
2025-05-17 11:28:26
1161 
UCC21750 是一款电流隔离式单通道栅极驱动器,专为工作电压高达 2121 V 直流的 SiC MOSFET 和 IGBT 而设计,具有先进的保护功能、一流的动态性能和稳健性。UCC21750
2025-05-17 10:54:56
1862 
UCC21739-Q1 是一款电流隔离式单通道栅极驱动器,专为高达 900V 直流工作电压的 SiC MOSFET 和 IGBT 而设计,具有先进的保护功能、一流的动态性能和稳健性
2025-05-17 10:27:13
691 
UCC21732 是一款电流隔离式单通道栅极驱动器,专为高达 2121V 直流工作电压的 SiC MOSFET 和 IGBT 而设计,具有先进的保护功能、一流的动态性能和稳健性。UCC21732具有
2025-05-16 18:00:09
807 
UCC21710 是一款电隔离式单通道栅极驱动器,旨在驱动高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT。它具有先进的集成保护、一流的动态性能和稳健性。UCC21710具有高达 ±10A
2025-05-16 17:26:07
845 
UCC21759-Q1 是一款电流隔离式单通道栅极驱动器,专为高达 900V 直流工作电压的 SiC MOSFET 和 IGBT 而设计,具有先进的保护功能、一流的动态性能和稳健性
2025-05-16 15:53:35
588 
供 3.3mm 的最小通道间距,从而实现更高的总线电压。
UCC2154x 系列可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过 5.7kVRMS 隔离栅与两个输出驱动器隔离,具有最小 125V/ns 的共模瞬态抗扰度 (CMTI)。
2025-05-16 15:45:33
768 
UCC23513-Q1 驱动器是适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容、单通道、隔离式栅极驱动器,具有 4.5A 的拉电流和 5.3A 的灌电流峰值输出电流和 5.7kV
2025-05-16 14:53:21
719 
UCC21737-Q1 是一款电流隔离式单通道栅极驱动器,专为高达 2121V 直流工作电压的 SiC MOSFET 和 IGBT 而设计,具有先进的保护功能、一流的动态性能和稳健性。该器件具有高达
2025-05-16 14:34:01
780 
UCC21755-Q1 是一款电流隔离式单通道栅极驱动器,专为高达 2121V 直流工作电压的 SiC MOSFET 和 IGBT 而设计,具有先进的保护功能、一流的动态性能和稳健性
2025-05-16 14:27:31
605 
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UCC21551x-Q1 可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过 5kVRMS 隔离栅与两个输出驱动器隔离,具有最小 125V/ns 的共模瞬态抗扰度 (CMTI)。DFJ28 封装提供 >5.3mm CH 到 CH 爬电距离,以支持高压系统。
2025-05-16 11:38:18
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UCC21717-Q1 是一款电隔离式单通道栅极驱动器,设计用于驱动高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT。它具有先进的集成保护、一流的动态性能和稳健性。UCC21717-Q1
2025-05-16 11:07:10
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UCC21551x 可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过 5kVRMS 隔离栅与两个输出驱动器隔离,具有最小 125V/ns 的共模瞬态抗扰度 (CMTI)。
2025-05-16 09:51:30
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UCC21550-Q1 可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过 5kVRMS 隔离栅与两个输出驱动器隔离,具有最小 125V/ns 的共模瞬态抗扰度 (CMTI)。
2025-05-16 09:30:59
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UCC21550 可配置为 2 个低侧驱动器、2 个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过 5kVRMS 隔离栅与两个输出驱动器隔离,具有最小 125V/ns 的共模瞬态抗扰度 (CMTI)。
2025-05-16 09:17:06
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UCC21330-Q1 可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过 3kVRMS 隔离栅与两个输出驱动器隔离,具有最小 125V/ns 的共模瞬态抗扰度 (CMTI)。
2025-05-15 17:43:58
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UCC21331 可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过 3kVRMS 隔离栅与两个输出驱动器隔离,具有最小 125V/ns 的共模瞬态抗扰度 (CMTI)。
2025-05-15 16:14:49
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UCC21331-Q1 可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过 3kVRMS 隔离栅与两个输出驱动器隔离,具有最小 125V/ns 的共模瞬态抗扰度 (CMTI)。
2025-05-15 16:09:14
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UCC21231 是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。该器件在极端温度条件下表现出一致的性能和稳健性。UCC21231 采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流设计,以
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