UCC21330-Q1 汽车级 3kVRMS 4A/6A 双通道栅极驱动器，具有禁用逻辑和可编程死区时间数据手册

UCC21330-Q1 是隔离式双通道栅极驱动器系列，具有可编程死区时间和宽温度范围。它采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流设计，可驱动功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶体管。

UCC21330-Q1 可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过 3kVRMS 隔离栅与两个输出驱动器隔离，具有最小 125V/ns 的共模瞬态抗扰度 （CMTI）。
*附件：ucc21330-q1.pdf

保护功能包括：电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能，以及拒绝短于 5ns 的输入瞬变的集成去毛刺滤波器。所有电源均具有 UVLO 保护。

凭借所有这些高级功能，UCC21330-Q1 器件可在各种电源应用中实现高效率、高功率密度和稳健性。

特性

• 通用：双低侧、双高侧或半桥驱动器
• 符合 AEC-Q100 标准，结果如下
  • 设备温度等级 1
• 结温范围 –40 至 +150°C
• 高达 4A 的峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
• 共模瞬态抗扰度 （CMTI） 大于 125V/ns
• 高达 25V VDD 输出的驱动电源
  • 5V、8V、12V VDD UVLO 选项
• 切换参数：
  • 33ns 典型传播延迟
  • 5ns 最大脉宽失真
  • 10μs 最大 VDD 上电延迟
• 所有电源的 UVLO 保护
• 快速禁用电源排序

参数

方框图

一、产品概述

• ‌产品名称‌：UCC0-Q
• ‌类型‌：A/6A, 3kVRMS隔离双通道栅极驱动器
• ‌应用‌：车载电池充电器、高压DC-DC转换器、汽车HVAC、车身电子等

二、主要特性

• ‌通用性‌：支持双低侧、双高侧或半桥驱动配置
• ‌AEC-Q认证‌：设备温度等级1，结温范围-至+0°C
• ‌驱动能力‌：高达A峰值源电流和A峰值沉电流
• ‌ 共模瞬态免疫(CMTI) ‌：大于V/ns
• ‌隔离电压‌：3kV RMS
• ‌保护特性‌：UVLO保护、快速禁用功能、可编程死区时间、去抖动滤波器

三、电气特性

• ‌供电电压‌：
  • VCCI：.V至5.5V
  • VDDA/VDDB：多种选项，包括5V、V、V和V
• ‌输出电流‌：
  • 峰值源电流：A
  • 峰值沉电流：A
• ‌传播延迟‌：ns（典型）
• ‌脉冲宽度失真‌：ns（最大）
• ‌VDD上电延迟‌：µs（最大）

四、功能描述

• ‌可编程死区时间‌：通过DT引脚和外部电阻设置
• ‌禁用功能‌：DIS引脚高电平禁用两个输出
• ‌UVLO保护‌：所有电源均具有UVLO保护，防止电压过低时误操作
• ‌去抖动滤波器‌：内置去抖动滤波器，拒绝短于5ns的输入瞬态

五、应用信息

• ‌典型应用‌：用于驱动MOSFET、SiC、GaN和IGBT等功率晶体管
• ‌设计考虑‌：
  • 输入和输出滤波器的设计
  • 栅极电阻的选取，以调节开通和关断速度
  • 死区时间的设置，以避免交叉导通

六、封装与尺寸

• ‌封装类型‌：SOIC-6
• ‌尺寸‌：具体尺寸信息见文档详细规格

七、文档与支持

• ‌相关文档‌：包括半导体和IC封装热指标应用报告、隔离术语表等
• ‌支持资源‌：TI E2E支持论坛、文档更新通知、贸易标记信息等

该文档全面介绍了UCC0-Q隔离双通道栅极驱动器的技术规格、电气特性、功能描述、应用信息、封装尺寸以及相关的文档和支持资源。该驱动器适用于多种汽车和工业应用，提供高效、高功率密度和鲁棒性。