UCC21220 和 UCC21220A 器件是基本和功能隔离式双通道栅极驱动器,具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。它们设计用于驱动 PFC、隔离式 DC/DC 和同步整流应用中的功率 MOSFET 和 GaNFET,通过大于 125V/ns 的共模瞬态抗扰度 (CMTI) 实现快速开关性能和强大的接地反弹保护。
*附件:ucc21220a.pdf
这些器件可配置为 2 个低侧驱动器、2 个高侧驱动器或半桥驱动器。两个输出可以并联形成一个驱动器,由于具有一流的延迟匹配性能,因此在重负载条件下的驱动强度增加了一倍。
保护功能包括:DIS 引脚在设置为高电平时同时关闭两个输出,所有电源均具有欠压锁定 (UVLO) 功能,有源下拉保护在未通电或浮动时将输出箝位在 2V 以下。
凭借这些特性,这些器件可在各种电源应用中实现高效率、高功率密度和稳健性。
特性
- 通用:双低侧、双高侧或半桥驱动器
- 支持基本和功能隔离
- CMTI 大于 125V/ns
- 高达 4A 的峰值拉电流、6A 峰值灌电流输出
- 切换参数:
- 33ns 典型传播延迟
- 5ns 最大脉宽失真
- 10μs 最大 VDD 上电延迟
- 高达 25V VDD 输出的驱动电源
- 5V 和 8V VDD UVLO 选项
- 结温范围 (Tj) –40°C 至 150°C
- 窄体 SOIC-16 (D) 封装
- TTL 和 CMOS 兼容输入
参数
方框图
1. 主要特性
- 通用性:支持双低侧、双高侧或半桥驱动配置。
- 隔离功能:支持基本和功能性隔离。
- 高抗共模瞬态干扰(CMTI) :大于5V/ns。
- 输出能力:峰值源电流A,峰值漏电流A。
- 快速切换:典型传播延迟3ns,最大脉冲宽度失真ns,最大VDD上电延迟0μs。
- 宽电源范围:VDD输出驱动电源高达V,支持V和8V UVLO选项。
- 温度范围:结温范围-°C至°C。
- 封装:窄体SOIC-封装。
- 输入兼容性:TTL和CMOS兼容输入。
- 安全认证:计划获得多项安全认证,包括2V PK隔离(DIN EN IEC -7)、V RMS隔离(UL )和CQC认证(GB3.1-)。
2. 应用领域
3. 功能描述
- 保护特性:DIS引脚可同时关闭两个输出,所有电源具有欠压锁定(UVLO)功能,无电源或浮动时输出通过主动下拉保护钳制在V以下。
- 高效率和功率密度:快速切换性能和稳健的接地反弹保护,适用于多种功率应用。
4. 引脚配置与功能
- 输入引脚(INA、INB):TTL/CMOS兼容输入信号,内部下拉电阻。
- 输出引脚(OUTA、OUTB):连接至功率MOSFET或IGBT的栅极。
- 电源引脚(VCCI、VDDA、VDDB、VSSA、VSSB):提供隔离和非隔离电源。
- DIS引脚:禁用引脚,高电平或浮空时禁用两个输出。
- GND引脚:初级侧地参考。
5. 规格参数
- 绝对最大额定值:包括输入偏置引脚供电电压、输出信号电压、结温等。
- 推荐工作条件:VCCI输入供电电压3V至.V,VDDA/VDDB驱动输出偏置供电电压根据UVLO版本不同,范围为6.5V至5V。
- 热信息:包括结到环境的热阻、结到壳体的热阻等。
- 电气特性:包括供电电流、输入/输出阈值电压、输出电阻、上升/下降时间、传播延迟等。
6. 应用与实施
- 典型应用:提供了半桥配置的参考设计,适用于同步降压、同步升压、半桥/全桥隔离拓扑和三相电机驱动应用。
- 设计要求:包括输入滤波器设计、外部自举二极管及其串联电阻选择、栅极驱动输出电阻选择等。
- 功率损耗估计:包括静态功率损耗和开关操作损耗的计算方法。
- 结温估计:提供了结温估计的公式和注意事项。
7. 布局指南
- 组件放置:低ESR/ESL电容器应尽可能靠近设备放置。
- 接地考虑:高峰值电流应限制在最小物理区域内,以减小环路电感和栅极终端噪声。
- 高压考虑:避免在驱动器设备下方放置任何PCB迹线或铜,以增加爬电距离。
- 热考虑:增加连接到VDDA、VDDB、VSSA和VSSB引脚的PCB铜量,以改善热耗散。
8. 安全与认证
- 计划获得多项安全认证,确保设备在安全和关键应用中的可靠性。
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