UCC21520-Q1 是一款隔离式双通道栅极驱动器,具有 4A 拉电流和 6A 灌电流峰值电流。它设计用于驱动高达 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET。
输入侧通过 5.7kVRMS 增强型隔离栅与两个输出驱动器隔离,具有最小 125V/ns 的共模瞬态抗扰度 (CMTI)。两个次级侧驱动器之间的内部功能隔离允许高达 1500VDC 的工作电压。
*附件:ucc21520-q1.pdf
每个驱动器都可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个具有可编程死区时间 (DT) 的半桥驱动器。禁用引脚可同时关闭两个输出,并允许在保持开路或接地时正常工作。作为故障安全措施,初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。
每个器件都接受高达 25V 的 VDD 电源电压。3V 至 18V 的宽输入 VCCI 范围使驱动器适合与模拟和数字控制器连接。所有电源电压引脚均具有欠压锁定 (UVLO) 保护。
凭借所有这些高级功能,UCC21520-Q1 可实现高效率、高功率密度和稳健性。
特性
- 适用于汽车应用
- 符合 AEC-Q100 标准,结果如下:
- 设备温度等级 1
- 功能安全质量管理
- 结温范围 –40 至 +150°C
- 切换参数:
- 33ns 典型传播延迟
- 20ns 最小脉冲宽度
- 6ns 最大脉宽失真
- 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 125V/ns
- 浪涌抗扰度高达 10kV
- 隔离栅寿命 >40 年
- 4A 峰值拉电流、6A 峰值灌电流输出
- 3V 至 18V 输入 VCCI 范围,可与数字和模拟控制器连接
- 高达 25V VDD 输出的驱动电源
- 5V 和 8V VDD UVLO 选项
- 可编程重叠和死区时间
- 快速禁用电源排序
参数
方框图
概述
UCC0-Q是一款隔离型双通道栅极驱动器,专为驱动功率MOSFET、IGBT和SiC MOSFET设计。它具备高隔离电压、高共模瞬态免疫能力(CMTI)、可编程死区时间、欠压锁定(UVLO)保护和禁用引脚等功能,适用于汽车、工业和通信领域的电源转换和电机驱动应用。
主要特性
- 高隔离电压:具备5.7kV RMS的强化隔离电压,符合DIN EN IEC -7 (VDE 4-)标准。
- 高CMTI:大于5V/ns的共模瞬态免疫能力,提高系统稳定性。
- 宽输入电压范围:VCCI输入电压范围为3V至8V,兼容数字和模拟控制器。
- 可编程死区时间:通过DT引脚和电阻编程,防止上下桥臂直通。
- 多重保护:包括UVLO保护、输出短路保护和过温保护等。
- 高效驱动:具备4A峰值源电流和6A峰值沉电流,支持高达5MHz的开关频率。
- 长隔离寿命:隔离栅极寿命超过年,确保长期可靠性。
应用领域
功能描述
输入与输出
- 双通道隔离:通过.kV RMS的隔离屏障隔离输入与输出,防止电气干扰。
- 可编程死区时间:通过DT引脚调整死区时间,防止桥臂直通。
- 禁用引脚:将DIS引脚置高可同时关闭两个输出,提高系统安全性。
保护机制
- UVLO保护:监测VCCI、VDDA和VDDB电压,当电压低于阈值时关闭输出。
- 输出短路保护:在输出短路时限制电流,防止损坏。
- 热关断保护:结温超过限制时自动关闭输出,防止过热损坏。
电气特性
- 低传播延迟:输入到输出的传播延迟典型值为ns,匹配度小于ns。
- 高CMTI:能够承受大于V/ns的共模瞬态电压,提高系统抗干扰能力。
- 宽工作温度范围:工作结温范围为-°C至+0°C。
典型应用
UCC0-Q适用于各种半桥和全桥拓扑结构,如同步降压转换器、同步升压转换器、DC-AC逆变器等。其隔离特性和强大的驱动能力使得它成为汽车、工业和通信领域电源转换和电机驱动应用的理想选择。
设计指南
- 电源设计:选择合适的VCCI、VDDA和VDDB电压,确保满足UVLO阈值要求。
- 死区时间设置:根据具体应用需求调整DT引脚上的电阻值,设置合适的死区时间。
- 布局考虑:注意高电压隔离和信号完整性,确保PCB布局符合隔离要求。
- 电容选择:在VCCI、VDDA和VDDB引脚附近放置合适的旁路电容,以提供稳定的电源。
封装与订购信息
- 封装类型:SOIC-6封装。
- 温度范围:-°C至+0°C。
- RoHS合规性:符合RoHS标准。
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UCC21520-Q1 汽车类 4A/6A、5.7kVrms 隔离式双通道栅极驱动器
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UCC21520-Q1 具有双输入、禁用、死区时间的汽车类 4A、6A、5.7kVRMS 隔离式双通道栅极驱动器数据手册
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