三星已成功开发16层3D DRAM芯片
在近日举行的IEEE IMW 2024活动上，三星DRAM部门的执行副总裁Siwoo Lee宣布了一个重要里程碑：三星已与其他公司合作，成功研发出16层3D DRAM技术。同时，他透露，竞争对手美光也已将其3D DRAM技术扩展至8层。
然而，Siwoo Lee强调，尽管取得了这一显著成就，但三星目前并未计划立即进行大规模生产。相反，公司正专注于研究3D DRAM或垂直堆叠单元阵列晶体管（VS-CAT）技术的可行性和潜在应用。他强调，这项技术可能在未来对DRAM市场的格局产生深远影响。
Siwoo Lee去年加入三星，此前他在美光负责未来存储芯片的研发。他丰富的行业经验和深厚的技术背景为三星在DRAM领域的技术创新和战略布局提供了有力支持。随着3D DRAM技术的不断发展，我们有理由期待三星将在这一领域取得更多突破。
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