英伟达CEO赞誉三星HBM内存，计划采购

据3月20日消息，英伟达CEO黄仁勋在加利福尼亚州圣荷西举行的新闻发布会上称，HBM内存制作困难且成本极高，堪称“技术奇迹”。他还强调，与传统DRAM相比，其能显著提升数据中心的效率并且能耗更低。

提及此前有人预测英伟达可能向三星购买HBM3或HBM3E等内存，黄仁勋在会上直接认可三星实力，称其为“极具价值的公司”。他透露目前已对三星HBM内存进行测试，未来可能增加采购量。对于SK海力士的角色，他指出该厂商已成为英伟达现代化HBM内存的主要来源之一。

IT之家提醒，AI加速卡现阶段主要瓶颈除CoWoS封装外，还有HBM。其中，由于HBM生产周期较DDR5更长，需经历投片至产出、封装等环节，整个过程至少需要两个季度。

英伟达目前主流H100加速卡采用HBM3内存，主要供应来自SK海力士，但难以满足整体AI市场需求。集邦咨询预计，三星将于2023年底以1Znm产品进军英伟达供应链，虽然份额仍较小，但足以证明其在HBM领域的进步。