三星HBM研发受挫，英伟达测试未达预期，如何满足AI应用GPU的市场需求？

由于低估高频宽存储器（HBM）市场潜力，三星正陷入焦虑之中。据悉，该公司自去年以来一直试图通过英伟达对其HBM3及HBM3E产品进行测试，然而由于发热和功耗等问题，测试尚未完成且需要更多验证。三星对此予以否认，宣称“正在与全球合作伙伴开展HBM供应测试工作”，并承诺致力提升产品质量和可靠性。

此外，三星电子芯片部门负责人庆桂显被撤换，新任负责人全永铉现年63岁，因其成功扭转亏损业绩而被誉为“后援投手”。此番人事变动发生在年末，引发业内对三星HBM开发进展的关注。

据DigiTimes报道，三星HBM3E未能通过英伟达测试可能源于台积电审批环节出现问题。三星与台积电在晶圆代工领域长期竞争，但在英伟达主导的HBM市场，三星不得不寻求与台积电合作。台积电作为英伟达GPU芯片的制造商和封装商，在验证过程中拥有较大的话语权，其采用的SK海力士HBM3E产品设定的检测标准或对三星产品参数产生影响。

在HBM技术路线选择上，SK海力士采用MR-MUF技术，三星则基于热压非导电薄膜（TC-NCF）技术。尽管使用热压缩薄膜可有效缩小堆叠芯片间的距离，但随着层数增多，与粘合剂材料相关的问题逐渐显现。

据了解，三星已订购用于处理MUF技术的芯片制造设备，以期提高HBM产量。然而，这一举措被指“屈从于SK海力士的技术”，三星坚称NCF技术才是HBM产品的“最佳解决方案”。

当前形势严峻，英伟达占据全球AI应用GPU市场约80%份额，能否满足其需求将决定HBM供应商未来发展。去年，SK海力士和美光向英伟达提供8层垂直堆叠的HBM3E（24GB）样品，并于年初通过验证赢得订单。而早在去年10月，三星便已与英伟达展开HBM产品技术验证合作，至今已有半年之久。若此次测试结果不佳，恐将进一步延缓三星HBM产品出货时间，进而影响市场占有率。

数据显示，SK海力士已取得五成市场份额，三星和美光分别占据四成和一成。美光、三星在HBM竞争中的不利地位，早在5年前甚至更早时期便已种下祸根。2011年，美光与英特尔合作研发HMC（混合内存立方体），旨在解决DDR3带宽问题，但最终因故搁置。至于三星，2019年因误判市场前景解散HBM团队，错失竞争先机。三星电子半导体部门员工曾自嘲为“SK海力士分包商”，因SK海力士已成为HBM市场的全球主力供应商，三星被迫承接其外溢订单。

鉴于当下形势，美光凭借美国本地化因素，HBM市场竞争中应对自如。然而，三星承受来自竞争对手及重返存储器霸主地位的压力，需加速出货现有的HBM产品并启动下一代开发计划。

对于三星是否能顺利通过英伟达测试，业内曾有传言称“英伟达挑起三星与SK海力士之间的竞争，借此降低HBM价格”，这暗示了英伟达可能有意扩大HBM供应商队伍。因此，三星通过测试并非难事。然而，三星是否转向使用MUF技术，或者同时引入NCF和MUF，甚至通过人事变动推出强有力的策略以扭转局面，仍待观察。

然而，时间紧迫。毕竟，HBM3E仅为小试牛刀，2025年前后的HBM4才是决定胜负的关键。