三星电子近日宣布,公司成功研发并发布了其首款12层堆叠HBM3E DRAM,即HBM3E 12H,该产品在带宽和容量上均实现了显著的提升,这也意味着三星已开发出业界迄今为止容量最大的新型高带宽存储器(HBM)。
据悉,HBM3E 12H支持全天候最高带宽达1280GB/s,这一数字相较于前代产品有了显著的增长。同时,其产品容量也达到了36GB,为高性能计算应用提供了更为强大的数据处理能力。
与三星之前推出的8层堆叠的HBM3 8H相比,HBM3E 12H在带宽和容量上的提升幅度超过50%。这一重大进步不仅体现了三星电子在半导体技术领域的持续创新和领先实力,也预示着高性能计算领域将迎来更为强劲的发展动力。
HBM3E 12H的发布,标志着三星在高性能存储器领域的又一重大突破。通过采用先进的12层堆叠技术,该产品实现了更高的集成度和更低的功耗,为人工智能、数据中心等高性能计算应用提供了更为可靠和高效的硬件支持。
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