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电子发烧友网>存储技术>三星投产2.4Gbps的HBM2存储芯片:号称是业界最快的DRAM

三星投产2.4Gbps的HBM2存储芯片:号称是业界最快的DRAM

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2020-04-14 08:55:4512821

SK海力士量产超高速DRAMHBM2E’ 人工智能迎来新春天

部全高清(FHD)电影(每部3.7GB),是目前业界速度最快DRAM解决方案。不仅如此,公司的HBM2E借助TSV(Through Silicon Via)技术将8个16Gb DRAM垂直连接,其容量达到了16GB,是前一代HBM2容量的两倍以上。
2020-07-03 08:42:19432

SK Hynix宣布HBM2E标准存储器已投入量产

几个月前,SK Hynix成为第二家发布基于HBM2E标准的存储的公司,就此加入存储市场竞争行列。现在,公司宣布它们改进的高速高密度存储已投入量产,能提供高达3.6Gbps/pin的传输速率及高达
2020-09-10 14:39:011988

赶日超美,韩国如何制霸全球存储芯片 27 年

存储芯片千年老二,SK 海力士一直在老大三星的光环下承压前行。这两家韩国公司的版图,已覆盖超过 72% 的全球 DRAM 市场和超过 45% 的全球 NAND 闪存市场。 凭借暴利的存储芯片三星和 SK 海力士一路赚得体满钵满,不断扩充疆域、扩大投资,付诸各种努力捍卫这块血赚的地盘。
2021-01-02 10:01:002770

2020年全球存储芯片市场现状情况分析

2020年全球存储芯片市场现状情况分析全球存储芯片行业发展至今可分为萌芽期、初步发展期、快速发展期三个阶段。1)萌芽期:在此阶段,各大企业都在积极研发RAM,且DRAM研究进展比ROM快,行业实现
2021-01-27 14:16:5114959

三星推出集成AI处理器的HBM2内存

三星宣布新的HBM2内存集成了AI处理器,最高可提供1.2 TFLOPS嵌入式计算能力,使内存芯片本身可以执行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作。
2021-02-20 16:35:461842

SK海力士成功开发出业界第一款HBM3 DRAM 内存芯片

韩国SK海力士公司刚刚正式宣布已经成功开发出业界第一款HBM3 DRAM内存芯片,可以实现24GB的业界最大的容量。HBM3 DRAM内存芯片带来了更高的带宽,每秒处理819GB的数据,相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:142055

ChatGPT带旺HBM存储

据韩媒报道,自今年年初以来,三星电子和SK海力士的高带宽存储器(HBM)订单激增。尽管HBM具有优异的性能,但其应用比一般DRAM少。这是因为HBM的平均售价(ASP)至少是DRAM的三倍。HBM
2023-02-15 15:14:444689

三星或将从第四季度开始向英伟达供应HBM3

有分析师爆料称三星将成为英伟达的HBM3存储芯片关键供应商,三星或将从第四季度开始向英伟达供应HBM3。
2023-09-01 09:46:5140553

存储芯片减产,AI芯片暴增!

、去库存,但市场行情是否筑底众说纷纭,整体产业回暖的迹象亦不明显。 然而,在生成式AI对算力需求的带动下,2023年初以来高带宽内存(HBM)在整个存储芯片产业中可谓“这边风景独好”。目前,三星、SK海力士、美光等存储芯片大厂均在布
2023-09-08 10:36:16442

三星存储芯片需求回暖!

美国消费者新闻与商业频道分析,这意味存储芯片市场可能触底回升。按这家媒体说法,三星电子是全球最大的动态随机存取存储芯片制造商。这家企业生产的存储芯片广泛应用于智能手机和电脑等设备。
2023-11-02 16:57:57530

三星第三季度同比下降77.57%,存储芯片有所回暖

 由于人工智能技术所需的高端存储芯片(如DDR5和HBM)的需求持续增长,第二季度DRAM产品的出货量已超出预期。在第四季度,DS部门将专注于销售高附加值产品,如HBM3等。
2023-11-02 17:17:32599

三星电子成立下一代芯片工艺研究部门

据gartner称,人工智能芯片市场规模有望从今年的534亿美元增长到2027年的1194亿美元。但在hbm和ddr5 dram等先进存储芯片市场上,三星落后于竞争企业。
2023-11-30 09:42:18176

浅谈存储芯片的分类

DRAM芯片称是动态随机存储器,是一种随机存储器(RAM),与CPU直接交换数据,可随时读写且速度快,断电后存储数据丢失,是易失性存储器,也就是俗称的“内存”。
2023-12-26 12:25:561020

半导体芯片研究:中国存储芯片行业概览

DRAM、NAND Flash、NOR Flash合计约占整体存储芯片市场的97%;自2022年初起,下游需求市场的萎缩以及宏观环境进一步恶化导致存储芯片市场不断承压,存储芯片价格持续下滑
2024-01-14 09:47:101059

三星电子成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAMHBM3E 12H

2024年2月27日 - 三星电子今日宣布,公司成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H,这是三星目前为止容量最大的HBM产品。
2024-02-27 11:07:00250

三星电子发布业界最大容量HBM

三星电子近日宣布,公司成功研发并发布了其首款12层堆叠HBM3E DRAM,即HBM3E 12H,该产品在带宽和容量上均实现了显著的提升,这也意味着三星已开发出业界迄今为止容量最大的新型高带宽存储器(HBM)。
2024-03-08 10:10:51158

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