三星或重新设计1a DRAM以提升HBM质量

三星电子正面临严峻挑战，特别是在其半导体业务领域。除了代工业务停滞的问题，该公司在高带宽存储器（HBM）市场的竞争力也引发了广泛关注。据业内人士透露，为了提升在HBM领域的竞争力，三星可能会着手重新设计部分1a DRAM电路。

原本，三星计划在2024年第三季度开始向英伟达供应HBM3E产品。然而，其8层产品尚未通过质量测试，而12层产品的推出时间也可能被推迟至2025年的第二或第三季度。

专家指出，三星在DRAM技术上的问题可能是导致其HBM产品无法通过测试的主要原因。由于HBM是通过垂直堆叠多个DRAM芯片来实现的，其性能在很大程度上依赖于底层的DRAM技术。

早在2020年，三星就率先在DRAM制造中引入了EUV（极紫外）技术。然而，有分析师猜测，三星在HBM3E产品上遇到的竞争力挑战可能与1a DRAM的关键组件有关。三星在2021年下半年开始量产1a DRAM，并在五层中采用了EUV技术，而竞争对手SK海力士仅在一层中使用了EUV。然而，这种策略并未达到预期效果，使用EUV降低了大规模生产过程中的工艺稳定性，导致成本降低的目标未能实现。

此外，三星的DRAM设计（特别是用于服务器的DRAM）似乎并不尽如人意，这也是该公司在服务器DDR5领域推出时间晚于竞争对手的原因之一。2023年1月，SK海力士率先获得了英特尔的认证，并推出了基于其1a DRAM的服务器DDR5产品。

三星推迟为英伟达量产HBM3E产品引发了关于其是否应重新设计1a DRAM的讨论。有报告显示，三星的8层HBM3E产品的数据处理速度比SK海力士和美光的产品低了约10%。

为了恢复在服务器DRAM和HBM领域的竞争力，三星正在考虑进行战略调整以改进其DRAM产品。尽管尚未做出最终决定，但三星内部正在讨论重新设计部分1a DRAM电路的可能性。然而，这一决策存在重大风险。

近日，三星设备解决方案（DS）部门主管Jun Young-hyun在公布公司2023年第三季度初步业绩时表示歉意，因为该业绩低于市场预期。他强调，管理层将承担全部责任，并采取措施克服当前危机，带领公司重新崛起。

三星能否通过HBM3E的质量认证或选择放弃该项目，可能取决于其是否决定重新设计部分1a DRAM电路。如果决定进行重新设计，可能需要至少6个月的时间，最早可能在2025年第二季度开始量产。然而，即使重新设计工作进展顺利，考虑到当前的市场环境，确保及时供应产品仍将是一项艰巨的任务。