三星效仿SK海力士，采用竞争对手主导的芯片封装工艺

据路透社报道，三星电子已决定放弃原先一直采用的非导电薄膜 （NCF） 技术，转而采纳其竞争对手SK海力士主导的批量回流模制底部填充 （MR-MUF） 芯片封装工艺。此外，三星已启动采购设备以适应MR-MUF技术，并预计最早明年实现HBM3E高端芯片的量产。

就此，知情人士指出，三星此举体现出该公司提升HBM良率的决心。对此，一家行业分析机构表示，考虑到AI行业对HBM3及HBM3E芯片需求日益增长，三星有必要作出调整。

据了解，目前三星HBM3芯片制造良率约为10%-20%，而SK海力士则接近60%-70%。为满足市场需求，三星也正积极寻求多种途径提高HBM芯片产量。

值得一提的是，除了与材料供应商如日本长濑集团协商供货外，三星还计划在新款HBM芯片中同时运用NCF和MUF两种技术。但官方表示，其自主研发的NCF技术仍为HBM产品的“最佳选择”，将应用于其HBM3E芯片的生产。面对三星的发展方向，英伟达和长濑均未予以评论。