据路透社报道,三星电子已决定放弃原先一直采用的非导电薄膜 (NCF) 技术,转而采纳其竞争对手SK海力士主导的批量回流模制底部填充 (MR-MUF) 芯片封装工艺。此外,三星已启动采购设备以适应MR-MUF技术,并预计最早明年实现HBM3E高端芯片的量产。
就此,知情人士指出,三星此举体现出该公司提升HBM良率的决心。对此,一家行业分析机构表示,考虑到AI行业对HBM3及HBM3E芯片需求日益增长,三星有必要作出调整。
据了解,目前三星HBM3芯片制造良率约为10%-20%,而SK海力士则接近60%-70%。为满足市场需求,三星也正积极寻求多种途径提高HBM芯片产量。
值得一提的是,除了与材料供应商如日本长濑集团协商供货外,三星还计划在新款HBM芯片中同时运用NCF和MUF两种技术。但官方表示,其自主研发的NCF技术仍为HBM产品的“最佳选择”,将应用于其HBM3E芯片的生产。面对三星的发展方向,英伟达和长濑均未予以评论。
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