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三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存
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DRAM，NAND闪存价格分别下降11%，21% SK海力士预计今年设备投资削减40%
减少资本支出。该公司计划在服务器、NAND闪存及DRAM需求和价格下降的情况下灵活应对市场状况。 DRAM价格下降11%，NAND价格下降21% 随着2018下半年内存需求放缓，供应短缺得到解决，内存市场环境迅速变化。因此，SK海力士第四季度合并收入环比下降13％至9.94万
2019-01-27 00:35:00
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8617全球NAND闪存市场受日韩贸易战影响 涨价15%
目前韩国日本之间的纠纷还没摆平，但是考虑到韩国三星、SK海力士两家公司占了全球70%以上的内存、50%以上的闪存生产，日本制裁对韩国的存储芯片产业影响会很大，如果双方不解决供应限制的话。威刚方面看好NAND闪存涨价，预计NAND闪存芯片将涨价10%到15%，而SSD硬盘也会有差不多的涨幅。
2019-07-09 09:28:021465
1465SK海力士开始采样128层3D NAND SSD
SK海力士本周宣布，他们已经开始基于其128层3D NAND闪存采样产品，该产品不久将开始出现在最终用户设备中。一年前，他们推出了96层第5代3D NAND，但低价促使他们削减了产量，而第4代72L
2019-11-25 17:21:555462
546248层堆叠V-NAND存储器，将提升三星成本竞争契机
三星目前已完成32层堆叠第二代V-NAND的研发作业，计划第3季推出48层堆叠第三代V-NAND产品后，于2016年生产64层堆叠的V-NAND产品。
2015-08-11 08:32:00720
720三星48层3D V-NAND闪存技术揭秘
三星已经连续推出两代立体堆叠3D闪存，分别有24层、32层，并已用于850 EVO、850 Pro等多款固态硬盘产品，2015年8月正式量产首款可应用于固态硬盘（SSD）中的48层3bit MLC
2016-07-13 10:32:436006
6006SK Hynix月底量产48层堆栈3D NAND闪存 三星后第二家
目前NAND闪存需求依然居高不下，厂商也有动力扩大产能了，SK Hynix公司日前宣布本月底将量产48层堆栈的3D NAND闪存，这是三星之后第二家量产48层堆栈3D闪存的公司。
2016-11-09 11:35:16833
833海力士发布72层256G 3D闪存芯片
苹果供应商海力士（SK Hynix）今天发布了72层，256Gb 3D NAND 闪存芯片。这种芯片比 48层技术多1.5倍，单个 256Gb NAND 闪存芯片可以提供 32GB 闪存，这种芯片比 48 层 3D NAND 芯片的内部运行速度快两倍，读写性能快 20%。
2017-04-11 07:49:041500
1500PK三星闪存 紫光2019年将量产64层3D NAND闪存
国产手机势头越来越强劲，把三星和苹果的市场份额抢占不少，但繁荣背后是对核心产业链控制的缺失，就比如闪存芯片，这基本上被韩国厂商垄断了。近日，高启全接受媒体采访时表示，长江存储将在2019年开始量产64层堆栈的3D NAND闪存，这个消息无疑让人振奋，而在今年他们还将出样32层NAND闪存。
2017-05-09 15:10:042255
2255三星量产全球最快3D NAND闪存 64层速率高达1Gbps
电子发烧友早八点讯：三星今天在韩国宣布，开始大规模量产64层堆叠、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND闪存芯片，是为第四代3D闪存。
2017-06-16 06:00:002000
2000海力士发布全球首款基于128层NAND闪存的消费级SSD
SK海力士发布了全球首款基于128层NAND闪存的消费级SSD——SK海力士Gold P31，提供500GB和1TB两种存储容量，产品已上架亚马逊。
2020-08-19 13:59:423108
3108SK海力士收购英特尔NAND闪存和SSD业务获欧洲联盟委员会批准
SK海力士就拟收购英特尔NAND闪存和SSD业务的交易获得了欧洲联盟委员会（European Commission）的无条件批准。这是继去年美国联邦贸易委员会（U.S Federal Trade
2021-05-23 15:41:138076
8076SK海力士收购英特尔NAND闪存业务 先后获美国、欧盟、韩国相关监管机构批准
5月30日消息，据国外媒体报道，在获得美国和欧盟的批准之后，SK海力士90亿美元收购英特尔NAND闪存业务的交易，也已获得了韩国监管机构的批准。 从韩国媒体的报道来看，韩国公平贸易委员会较快批准
2021-05-31 10:00:073684
3684NAND需求疲软 东芝挫败成就美光
MAX3232EUE+T的比例从62%上升到了80%。 日本东芝第二季度NAND闪存产品销售额环比下降9.5个百分点。相比之下，美光科技公司NAND闪存芯片的销售在整个供货商中获得了强劲增长。同样，美光与三星都因东芝
2012-09-24 17:03:43
SK Hynix & Spansion & JSC NAND FLASH参数对比
大家好！小金子为各位介绍一款JSC品牌1Gbit NAND FLASH。这款JSHU271G08SCN-25型号的规格书与SK海力士和Spansion进行了对比，惊讶的发现竟然完全一样。唯一
2018-01-10 09:55:21
三星、西部数据、英特尔、美光、长江存储探讨3D NAND技术
三星大中华区首席技术官裵容徹先生表示，三星不断进行技术创新，新一代的QLC产品成本可以降低60%，同时还推出了容量高达1Tb的V-NAND技术，速度将会达到1200Mbps。在市场应用方面，三星推出
2018-09-20 17:57:05
三星位于西安的半导体工厂正式投产
韩国三星电子日前宣布，位于中国陕西省西安市的半导体新工厂已正式投产。该工厂采用最尖端的3D技术，生产用于服务器等的NAND闪存（V-NAND）。三星电子希望在IT（信息技术）设备生产基地聚集的中国
2014-05-14 15:27:09
三星布阵Asian Edge 第一岛链再成科技最前线
的商机仍然畅旺，在供给端仅有三星、SK海力士、美光，加上新技术量产困难，在这些现实下，2019年对存储器厂商而言仍会是个丰收的年度。如果要考虑供过于求的变量，可能是第二代10nm等级的DRAM技术
2018-12-25 14:31:36
DRAM技术或迎大转弯，三星、海力士搁置扩产项目
步伐。据韩媒Kinews等报导，三星2018年下半原计划对DRAM及NAND Flash进行新投资，传出将延至2019年，取而代之的是对现有产线进行补强投资，期望获利维持一定水平。同时，另一家半导体大厂
2018-10-12 14:46:09
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世代。而随着美光推出25奈米制程，三星和海力士也分别拿出27奈米和26奈米技术应战，未来NAND Flash大厂技术之战，在20奈米世代将更加激烈。。根据美光的技术蓝图规画，在25奈米制程技术以下，美
2022-01-22 08:05:39
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海力士也将在2021年中推出基于176层4D NAND新技术的UFS和SSD产品。而三星虽然还未宣布下一代产品具体层数，但是近期也在公开会议中表示，将在2021年量产第七代V-NAND，使用“双堆栈
2022-01-26 08:35:58
于SD卡测试结构的EMMC测试座，nand flashEMMC测试治具说明书
常见的MLC架构闪存每Cell可存放2bit，容量是同等SLC架构芯片的2倍，目前三星、东芝、海力士(Hynix)、IMFT(英特尔与美光合资公司)、瑞萨(Renesas)都是此技术的使用者，其发展速度远快于SLC架构。`
2013-05-27 22:01:53
分析：三星芯片业务助推Q3利润创新高
对DRAM芯片的强劲需求将继续超过供应，因三星和第二大记忆体芯片厂商SK海力士的新厂料在2019年前不会投产；此外，截至9月NAND闪存的需求则连续第六季超过供应。供苹果新手机使用的有机发光二极体（OLED）面板的销售增长，也支撑了第四季获利创纪录新高的预期。
2017-10-13 16:56:04
国内NAND Flash产业崛起撬动全球市场，但需求不足跌价成必然 精选资料分享
的3D闪存了，三星公司7月初宣布了第五代V－NAND闪存（3DNAND闪存中的一种），率先支持ToggleDDR4．0接口，传输速度达到了1．4Gbps，相比64层堆栈的V－NAND闪存提升了40
2021-07-13 06:38:27
新冠病毒对世界半导体影响
研究中心（DRAMeXchange）调查显示，从2019年第四季度全球NAND品牌厂商营收来看，三星排名第一，市场份额达到35.5%；SK海力士排名第六，市场份额为9.6%。2019年第四季度全球
2020-02-27 10:45:14
新技术世代即将来临，存储器依然炙手可热
2018年上半进入96层的技术规格，2018年中将3D的比重提高到85%以上。为了让每单位的记忆容量提高，美日韩存储器大厂都卯尽全力，在96层的堆栈技术上寻求突破。三星指出，第五代的96层V NAND量产
2018-12-24 14:28:00
芯片的3D化历程
代V-NAND技术。据三星官方消息显示，新款 V-NAND 运用三星电子有的“通道孔蚀刻”技术，向前代 9x 层单堆叠架构增加了约 40% 单元。这是通过构建由 136 层组成的导电模具堆栈，然后垂直
2020-03-19 14:04:57
高价回收海力士内存
高价回收海力士内存深圳高价收购海力士内存，回收8G内存芯片帝欧赵生***QQ1816233102/879821252邮箱dealic@163.com。专业回收现代字库，回收海力士 三星字库
2020-11-20 16:59:46
高价回收海力士内存，长期收购海力士内存
，镁光，南亚，尔必达，华邦，三星samsung，海力士SK hynix，现代hyniy，飞索 Spansion芯片，展讯SPREADTRUM，爱特梅尔ATMEL，英特尔intel等系列芯片...长期专业回收手机指纹、指纹芯片、定制指纹模组！
2021-08-02 17:44:42
三星与苹果合资生产NAND闪存芯片谈判胎死腹中
韩国三星电子公司周一说，它和苹果电脑公司就合资生产NAND闪存芯片的谈判已告失败。NAND闪存芯片是苹果最新便携音乐播放
2006-03-13 13:05:36389
389镁光年中量产25nm NAND闪存
镁光年中量产25nm NAND闪存
镁光公司NAND闪存市场开发部门的经理Kevin Kilbuck近日透露镁光计划明年将其NAND闪存芯片制程转向25nm以下级别，他表示镁光今年年中将开始批
2010-03-04 11:02:511088
1088NOR闪存/NAND闪存是什么意思
NOR闪存/NAND闪存是什么意思
NAND闪存芯片和NOR闪存芯片的不同主要表现在：
1) 闪存芯片读写的基本单位不同
2010-03-24 16:34:358226
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传SK海力士72层3D NAND存储器明年量产
SK 海力士最先进72 层3D NAND 记忆体传明年开始量产，韩联社26 日引述知情人事消息报导指出，海力士计划于2017 上半年完成芯片设计，位在利川（Icheon）的M14 厂将可在下半年开始生产。
2016-12-27 14:15:111032
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韩企 3D NAND 闪存今年第三季有望占据全球过半份额
市场调查机构DRAMeXchange周五发布的调查结果显示，到今年三季度，三星电子、SK海力士等韩企的3D NAND闪存半导体在全球整体NAND闪存市场所占份额有望超过50%。
2017-05-06 01:03:11633
633NAND闪存售价下降,需求量猛增,SK海力士Q3创新高销售额达到477亿元
SK海力士预计第四季度D-RAM和NAND闪存需求不断增长。公司计划第四季度批量生产10纳米级D-RAM和72层NAND闪存，明年业绩仍将向好。
2017-10-27 09:15:15595
595东芝计划建第7座闪存工厂(Fab7),与三星、Intel一决高下
据悉，东芝的第 6 座工厂（Fab 6）还没有完工，东芝就宣布将在日本兴建第7座NAND Flash工厂，韦德就是能在2018年与三星，Intel、及 SK 海力士进行实力竞争。94 层 V-NAND 闪存生产将会是东芝的下一个计划。
2017-12-27 14:06:091773
1773空气产品公司与三星达成合作 为西安3D V-NAND芯片厂供应工业气体
西安3D V-NAND芯片厂是三星最大的海外投资项目之一，也是是三星第二座3D V-NAND芯片厂。今日报道，工业气体供应商空气产品公司将助力三星生产的3D V-NAND闪存芯片，宣布将为3D V-NAND芯片厂供气。
2018-02-03 11:07:271030
1030哪些芯片厂商全面看好NAND闪存，正大刀阔斧地加码3D NAND闪存产能？
美光、三星释放信号仅是个开端，SK海力士、Intel、东芝、西数/闪迪等都表态在几年内将持续扩充闪存产能，为跨入96层、甚至更高层数而加大投入力度。可见，3D NAND闪存已经成为国际存储器厂商间的“主战场”。
2018-07-17 10:34:084865
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三星已经开始批量生产第五代V-NAND 3D堆叠闪存
三星第五代V-NAND 3D堆叠闪存业界首次采用Toggle DDR 4.0接口，传输速率提升至1.4Gbps，与前代64层堆栈的V-NAND闪存相比提升了40%。数据写入延迟仅为500微秒，比上代提升30％，而读取信号响应时间也大幅缩短到50微秒。
2018-07-17 11:52:172678
2678三星开始量产第五代V-NAND闪存，了解其性价比
面对2018年各大闪存颗粒厂商已经大规模量产64层堆栈3D NAND的情况，三星正式宣布开始量产第五代V-NAND闪存颗粒，堆栈数将超过90层。
2018-07-24 14:36:327167
7167三星五代V-NAND闪存芯片，使生产效率提高了30%以上
此外，新的V-NAND数据写入速度仅延迟了500微妙，与前一代相比改进了30%，读取信号时间已降低到50微妙。值得一提的是新的96层V-NAND闪存芯片也更加节能，电压从1.8V降至1.2V。
2018-07-27 17:11:00978
978新一代立体堆叠闪存方案有什么优势?美光,SK海力士,长江存储等都在使用
今年的闪存技术峰会，美光、SK海力士包括长江存储都宣布了新一代的立体堆叠闪存方案，SK海力士称之为“4D NAND”，长江存储称之为Xtacking，美光则称之为“CuA”。CuA是CMOS under Array的缩写
2018-08-12 09:19:286688
6688SK海力士计划明年增产96层3D NAND闪存
SK海力士在清州建设M15工厂的建成仪式将于9月17日在清州举行。SK海力士计划通过从明年初开始增产96层3D NAND闪存的策略，来巩固其市场主导地位。
2018-09-07 16:59:043196
3196SK海力士韩国M15工厂落成 总投资15万亿韩元
SK海力士完成M15工厂有两大意义。首先，NAND Flash快闪存储器因为工业4.0应用而快速成长，而新工厂将帮助SK海力士更积极因应全球对3D NAND Flash快闪存储器的需求。
2018-10-12 16:17:004779
4779SK海力士公司宣布将主要应用于3D闪存的CTF结构与PUC技术结合起来
SK海力士能否凭借新产品在竞争力相对弱势的NAND闪存市场站稳脚跟并争取NAND闪存市场的主导权，倍加受人关注。SK海力士在全球D-RAM市场仅次于三星电子排名第二，但在NAND闪存市场却以大约10
2018-11-09 15:49:514689
468964层/72层3D NAND开始出货 SSD市场将迎来新的局面
6月15日，三星电子宣布已经开始量产第四代64层256Gb V-NAND，与48层256Gb V-NAND相比，生产效率将提高30%以上。东芝/西部数据、美光、SK海力士等在2017上半年也均宣布
2018-12-10 10:00:571115
1115关于不同NAND闪存的种类对比浅析
由于闪存的成本取决于其裸片面积，如果可以在同样的面积上存储更多数据，闪存将更具成本效益。NAND闪存有三种主要类型：单层单元（SLC）、多层单元（MLC）和三层单元（TLC）。顾名思义，在相同
2018-12-17 15:50:241684
1684你知道NAND闪存的种类和对比？
由于闪存的成本取决于其裸片面积，如果可以在同样的面积上存储更多数据，闪存将更具成本效益。NAND闪存有三种主要类型：单层单元(SLC)、多层单元(MLC)和三层单元(TLC)。顾名思义，在相同
2019-04-17 16:32:345462
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SK海力士全球首个量产128层堆叠4D闪存：冲击176层
SK海力士宣布，已经全球第一家研发成功，并批量生产128层堆叠的4D NAND闪存芯片，此时距离去年量产96层4D闪存只过去了八个月。
2019-06-27 15:23:282931
2931SK海力士量产业界首款128层4D NAND芯片 同时继续推出各种解决方案
SK海力士近日正式宣布，已成功开发并开始量产世界上第一款128层1Tb TLC 4D NAND闪存芯片。而就在8个月前，该公司宣布了96层4D NAND芯片。
2019-07-01 17:11:152822
2822SK海力士拟减产NAND闪存 以应对出口管制措施
.据日经新闻报道，韩国内存大厂SK海力士今日表明，为了应对日本对韩国部分关键半导体材料的出口管制，该公司在2019年NAND型闪存产量将比2018年时减产15％。
2019-07-26 15:39:412550
2550回顾三星96层V-NAND的性能分析介绍
在2016年的旧金山闪存峰会上，三星公布了Z-NAND与Z-SSD的相关信息。后者基于第四代V-NAND，但由于具有一些新的特性（介于DRAM内存和NAND闪存之间）、包含独特的电路设计与优化后的主控，三星于是用Z-NAND来命名这款闪存芯片。
2019-08-31 09:43:425566
5566SK 海力士将推出新NAND Flash 产品
目前，两大韩系NAND Flash 厂商──三星及SK 海力士在之前就已经公布了新NAND Flash 产品的发展规划。其中，三星宣布推出136 层堆叠的第6 代V-NAND Flash 之外，SK
2019-08-15 09:05:122382
2382三星推出闪存更快功耗更低的V-NAND存储器
三星推出了第六代V-NAND内存，为了进一步提高容量和密度，它拥有100多个活动层。从性能的角度来看，要使V-NAND具有超过100层的可行性，三星公司不得不使用新的电路设计技术。
2019-09-03 10:38:04624
624三星960 Evo硬盘来袭，拥有全新架构和高端性能
固态硬盘市场的霸主三星，是四大NAND闪存厂商中最早量产3D NAND闪存的，也是目前技术最强的，已经发展了三代V-NAND闪存，堆栈层数达到了48层。
2019-12-22 11:19:011073
1073SK海力士128层堆栈的4D闪存量产，国产闪存的差距缩小
在CES展会上，SK海力士正式宣布了128层堆栈的4D闪存（本质还是3D闪存，4D只是商业名称），已经用于自家的PCIe硬盘中，这是六大闪存原厂中第一个量产128层堆栈闪存的，预计三星、西数、东西都会在今年跟进100多层的闪存。
2020-01-08 08:47:302953
29532020年NAND闪存发展趋势如何
在CES展会上，SK海力士正式宣布了128层堆栈的4D闪存（本质还是3D闪存，4D只是商业名称），已经用于自家的PCIe硬盘中，这是六大闪存原厂中第一个量产128层堆栈闪存的，预计三星、西数、东西都会在今年跟进100多层的闪存。
2020-01-08 10:34:135022
5022SK海力士新款4D闪存有什么新的特点
在最近举办的CES 2020展会上，SK海力士展出了两款新的高端SSD，分别是Gold P31、Platinum P31，最大特点采用了SK海力士自家的4D TLC NAND闪存。
2020-01-13 11:45:552832
2832兆易创新NOR闪存累计出货量超过100亿颗 将推动研发24nm工艺NAND技术
在NAND闪存市场，三星、东芝、西数、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的产能，留给其他厂商的空间并不多。国内公司中，兆易创新表示能做38nm的SLC闪存，还在推进24nm闪存研发。
2020-04-02 08:54:342726
2726兆易创新推进24nm闪存研发 NOR闪存出货超100亿颗
在NAND闪存市场，三星、东芝、西数、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的产能，留给其他厂商的空间并不多。国内公司中，兆易创新表示能做38nm的SLC闪存，还在推进24nm闪存研发。
2020-04-02 08:46:522302
2302SK海力士推出128层1Tb TLC 4D NAND SSD高容量存储解决方案
4月8日消息，近日，SK海力士宣布推出基于首款 128 层 1Tb TLC 4D NAND 闪存的企业级 SSD-- PE8111，是针对读取密集型应用设计的高容量存储解决方案。SK海力士是一家全球存储器半导体制造商，其产品组合中包括 DRAM，NAND 闪存和控制器，以及 SSD 的全套技术。
2020-04-09 14:09:193527
3527三星正在研发160层及以上的3D闪存
据了解，136层第六代V-NAND闪存是三星今年的量产主力。韩媒报道称三星可能会大幅改进制造工艺，从现在的单堆栈（single-stack）升级到双堆栈（double-stack），以便制造更高层数的3D闪存。
2020-04-20 09:06:01473
473SK海力士完成业内首款多堆栈176层容量达512Gb的4D闪存
存储芯片大厂SK海力士宣布完成了业内首款多堆栈176层4D闪存的研发，TLC颗粒，容量达512Gb（64GB）。 据，SK海力士透露，该闪存单元架构为CTF（电荷捕获），同时集成了PUC技术
2020-12-14 15:55:321072
1072SK海力士收购英特尔NAND闪存及存储业务
SK海力士作为全球半导体领头企业之一，旨在强化其NAND闪存解决方案相关竞争力，发展存储器生态系统，进而给客户、合作伙伴、公司员工和股东带来更多利益。
2020-10-20 09:53:011833
1833英特尔已同意将Nand闪存业务出售给SK海力士
据报道，英特尔已同意将Nand闪存业务出售给韩国公司SK海力士，价格约90亿美元。英特尔正在采取全面措施，专注于主营业务的经营。
2020-10-20 14:33:351646
1646SK海力士鲸吞Intel的闪存及存储业务，意欲与三星争夺第一宝座
2020年10月20日上午消息，存储大厂SK海力士与Intel在韩国当地时间10月20日上午共同宣布签署收购协议，根据协议约定，SK海力士将以90亿美元收购Intel的NAND闪存及存储业务。
2020-10-20 16:51:392273
2273
SK海力士收购英特尔NAND业务，国产存储芯片企业将会受益？
工厂。 两家公司将争取在2021年底前取得所需的政府机关许可。之后，SK海力士将首先支付70亿美元获得英特尔的NANDSSD业务（包括NANDSSD相关知识产权和员工）以及大连工厂。 预计到2025年3月，SK海力士最终支付20亿美元收购其余相关资产，包括NAND闪存晶圆的生产及设计相关的
2020-10-20 17:18:286455
6455SK海力士宣布与英特尔达成NAND闪存单元协议
韩国存储芯片制造商SK海力士（SK Hynix）已宣布与英特尔达成NAND闪存单元协议。根据协议，SK海力士将向英特尔支付90亿美元。该协议的范围包括在中国大连的NAND SSD部门，NAND部件
2020-10-21 14:30:372096
2096SK海力士出资600亿收购英特尔NAND闪存及存储业务！
据国外媒体报道，SK海力士宣布出资600亿收购英特尔NAND闪存及存储业务！ SK海力士已在官网宣布了他们将收购英特尔NAND闪存及存储业务的消息，SK海力士在官网上表示，两家公司已经签署了相关
2020-10-23 11:05:152133
2133SK海力士收购英特尔NAND业务，对中国有哪些影响？
10月20日，SK海力士和英特尔在韩国共同宣布签署收购协议，根据协议约定，SK海力士将以90亿美元收购英特尔的NAND闪存及存储业务。本次收购包括英特尔NAND SSD业务、NAND部件及晶圆业
2020-10-23 18:00:167502
7502海力士收购英特尔业务后，其NAND业务全球市场占有率姜提升至第二
英特尔NAND SSD业务、NAND部件及晶圆业务，以及其在中国大连的NAND闪存制造工厂。英特尔将保留其特有的英特尔傲腾TM业务。 业内人士认为，SK海力士收购英特尔业务后，其NAND业务全球市场占有率姜提升至第二，仅次于三星，将加速存储产业全球格局的变化。这也标志这英特尔
2020-10-26 14:21:272053
2053消息人士：闪存价格持续下滑可能影响SK海力士收购英特尔闪存及存储业务
据英文媒体报道，上月 20 日，SK 海力士在官网宣布，他们同英特尔达成了最终协议，将斥资 90 亿美元收购英特尔的 NAND 闪存及存储业务。 但消息人士日前表示，NAND 闪存目前的市场行情并不
2020-11-03 15:08:331576
1576SK海力士90亿美元收购英特尔NAND闪存及存储业务
SK海力士与英特尔将争取在2021年底前取得所需的政府机关许可。在获取相关许可后，SK海力士将通过支付第一期70亿美元对价从英特尔收购NAND SSD业务（包括NAND SSD相关知识产权和员工）以及大连工厂。
2020-11-04 15:06:001599
1599SK海力士收购Intel的NAND闪存业务后销售额大涨
前不久，Intel突然宣布以90亿美元（约601亿）的价格将旗下的NAND闪存业务出售给了SK海力士，业内哗然。
2020-11-05 09:37:321345
1345600亿买下Intel闪存业务 SK海力士：预期5年内公司收入增加2倍
前不久，Intel突然宣布以90亿美元（约601亿）的价格将旗下的NAND闪存业务出售给了SK海力士，业内哗然。 尽管外界批评SK海力士买亏了、且目前闪存处于价格下行轨道，但后者似乎决心已定，并不
2020-11-05 09:41:541253
1253SK海力士将以90亿美元收购英特尔的NAND闪存及存储业务
SK海力士与英特尔将争取在2021年底前取得所需的政府机关许可。在获取相关许可后，SK海力士将通过支付第一期70亿美元对价从英特尔收购NAND SSD业务（包括NAND SSD相关知识产权和员工）以及大连工厂。
2020-11-05 10:11:261848
1848SK海力士扩大布局在中国的晶圆代工业务，200mm晶圆产线移至无锡
前不久，SK海力士收购了英特尔的NAND闪存业务及大连工厂，最近，据BusinessKorea报道，SK海力士正扩大布局在中国的晶圆代工业务。
2020-11-10 14:46:512214
2214SK海力士已签署协议收购英特尔的NAND内存和存储业务
SK海力士在声明中称，已签署协议收购英特尔的NAND内存和存储业务。此次收购包括英特尔的固态硬盘、Nand闪存和晶片业务，以及位于大连的工厂。但将以两次付款的形式进行，最终交易要到2025年3月份才会完成。
2020-11-11 14:53:021881
1881SK海力士将收购英特尔旗下NAND闪存芯片业务
据悉，SK海力士将收购所有英特尔NAND闪存业务，包括固态硬盘业务、NAND闪存芯片产品和晶圆业务、英特尔位于中国大连的生产工厂，但不包含英特尔Optane存储部门。对于英特尔来说，剥离非核心业务将有助于其解决芯片技术困境。
2020-11-16 15:04:572505
2505SK海力士完成业内首款多堆栈176层4D闪存的研发，容量512Gb（64GB），TLC
继美光后，SK海力士宣布完成了业内首款多堆栈176层4D闪存的研发，容量512Gb（64GB），TLC。 SK海力士透露，闪存单元架构为CTF（电荷捕获），同时集成了PUC技术。 4D闪存是SK
2020-12-07 13:49:271552
1552SK海力士发布176层TLC 4D NAND闪存
根据外媒 TechPowerUp 的消息，SK 海力士公司发布了 176 层 512 Gb 三层 TLC 4D NAND 闪存。 SK 海力士表示新的 176 层 NAND 闪存采用加速技术
2020-12-07 16:16:232416
2416三星电子正在研发第七代V-NAND,预计明年批量生产
12月7日，韩国半导体公司SK海力士表示，近期已成功研发出基于三层存储单元（TLC）的176层512Gb（千兆位）NAND闪存。
2020-12-08 11:01:411697
16973D NAND技术堆叠将走向何方?
层3D NAND；长江存储于今年4月份宣布推出128层堆栈的3D NAND闪存。转眼来到2020年末，美光和SK海力士相继发布了176层3D NAND。这也是唯二进入176层的存储厂商。不得不说，存储之战没有最烈，只有更烈。
2020-12-09 14:55:373659
3659SK海力士成功收购英特尔NAND闪存业务
SK海力士就拟议的英特尔NAND闪存业务收购获得了美国外国投资委员会(The Committee on Foreign Investment in the United States,简称CFIUS)的许可！
2021-03-19 14:19:222077
2077SK海力士收购Intel闪存业务通过欧盟审批
去年10月份，Intel宣布将旗下的NAND闪存业务以90亿美元的价格出售给SK海力士。这笔交易在3月份通过了美国审批，日前通过了欧盟的审批，中国的审批会是未来的关键之一。 上周末欧盟
2021-05-27 09:23:571847
1847SK海力士将在大连新建NAND闪存工厂，并继续加强在中国的投资
近日，SK海力士宣布将在中国大连新建闪存工厂，该工厂属于SK海力士的非易失性存储器制造项目的一部分，将被用于生产非易失性存储器3D NAND芯片。 SK海力士在2020年宣布了收购Intel闪存业务
2022-05-19 14:32:533109
3109SK海力士研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存
SK海力士在美国圣克拉拉举行的2022闪存峰会（Flash Memory Summit 2022）上首次亮相了238层NAND闪存新产品。
2022-08-04 15:53:4915363
15363三星开始量产第8代V-NAND，存储密度高达1Tb
* 三星第8代V-NAND具有目前三星同类产品中最高的存储密度，可更高效地为企业扩展存储空间 深圳2020年11月8日 /美通社/ -- 作为全球化的半导体企业，正如在2022年度闪存峰会
2022-11-08 13:37:36577
577SK海力士量产世界最高238层4D NAND闪存
sk海力士表示：“以238段nand闪存为基础，开发了智能手机和pc用客户端ssd （client ssd）解决方案产品，并于5月开始批量生产。该公司通过176层、238层的产品，在成本、性能、品质等方面确保了世界最高的竞争力。
2023-06-08 10:31:531564
1564SK海力士发布全球首款321层NAND！
SK海力士宣布将首次展示全球首款321层NAND闪存，成为业界首家开发出300层以上NAND闪存的公司。他们展示了321层1Tb TLC 4D NAND闪存的样品，并介绍了开发进展情况。
2023-08-10 16:01:47704
704三星、SK海力士存储器库存破表 牵动南亚科、华邦、群联等后市
据dram领域的调查企业trend force称，去年第四季度在dram领域，三星以45.1%的世界市场占有率居首位，sk海力士以27.7%位居第二。在nand闪存领域，三星以世界第1位占据了第4季度的世界市场占有率33.8%，sk海力士（包括solidm）以17.1%占据了第3位。
2023-08-17 09:38:58292
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