的堆叠NAND闪存 V-NAND实现了具有最新第六代产品的128层单堆叠，并通过TLC实现了512 Gb（千兆位）容量。它计划于2020年投放市场，并且正在针对在5年内达到500层或更多层的堆栈
2019-11-25 09:52:31
6442 三星目前已完成32层堆叠第二代V-NAND的研发作业，计划第3季推出48层堆叠第三代V-NAND产品后，于2016年生产64层堆叠的V-NAND产品。
2015-08-11 08:32:001030 256Gb 3D V-NAND闪存芯片。目前备受瞩目的三星48层V-NAND 3D快闪存储器已经出现在市场上了，TechInsights的拆解团队总算等到了大好机会先睹为快。
2016-07-13 10:32:437470 电子发烧友早八点讯：三星今天在韩国宣布，开始大规模量产64层堆叠、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND闪存芯片，是为第四代3D闪存。
2017-06-16 06:00:002458 作为对比，上一代 Intel SSD 660p 仅采用了 64 层 3D QLC NAND 。为了与西部数据（WD）争抢上市，英特尔率先推出了 1TB 的版本，2TB 版本则要等到 2020 年 1 季度。
2019-11-26 16:32:051611 V-NAND 1Tb TLC达290层，已开始量产。根据规划，2025年主流闪存厂商的产品都将进入300层+，甚至400层以上。至于远期，到2030年闪存有望突破1000层。 2024 年三星第9 代
2024-05-25 00:55:005554 
1080p视频录制。别忘了，三星GALAXY Grand还搭载一颗200万像素的前置摄像头。 最后，三星GALAXY Grand其他规格还包括1GB运行内存，8GB的内置存储容量并支持SD扩展，支持蓝牙
2012-12-19 15:54:04
的存储卡，那三星就是你的菜。三星公司的高端MicroSD存储卡产品线Pro Plus最新推出128GB容量版本。天啊，还真不便宜！该款存储卡起售价$199.99，对于一张存储卡而言，这个定价可以算得
2015-12-16 11:31:26
请教大师们，三星ARM920T 的一个普通的寄存器容量有多大？比如说R0，R1
2013-09-01 19:04:11
三星大中华区首席技术官裵容徹先生表示，三星不断进行技术创新，新一代的QLC产品成本可以降低60%，同时还推出了容量高达1Tb的V-NAND技术，速度将会达到1200Mbps。在市场应用方面，三星推出
2018-09-20 17:57:05
`三星事件引发手机安全新思考：垦鑫达报三星（垦鑫达注：NOTE7电池爆炸召回事件）已经证实被召回机型为三星最新的智能手机NOTE 7 ,这是有关此前有报道三星一些设备发生爆炸。设备推出不到一个月
2016-09-03 12:45:17
韩国三星电子日前宣布，位于中国陕西省西安市的半导体新工厂已正式投产。该工厂采用最尖端的3D技术，生产用于服务器等的NAND闪存（V-NAND）。三星电子希望在IT（信息技术）设备生产基地聚集的中国
2014-05-14 15:27:09
三星宣布将开发手持式装置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）读取芯片，能让使用者透过手机得知产品和服务信息，但三星并未透露产品何时上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
华为三星苹果高通的差异买IP做集成不宜包装为掌握核心科技
2021-01-28 07:21:57
，收购原装字库，回收三星CPU,收购三星拆机字库，回收三星原装IC,有货速联系，型号如下：KMK2U000VM-B604、KMK1U000VM-BA04、KAT007012B-BRTT
2021-08-20 19:11:25
的3D闪存了，三星公司7月初宣布了第五代V－NAND闪存（3DNAND闪存中的一种），率先支持ToggleDDR4．0接口，传输速度达到了1．4Gbps，相比64层堆栈的V－NAND闪存提升了40
2021-07-13 06:38:27
女性的最爱 三星粉色GALAXY Note上市手机之家资讯中心4月9日消息，三星向来有推出粉色经典机型的习惯，如今这一颜色也用在了GALAXY Note上了，该机将于近期在香港上市，售价为5998
2012-04-13 18:49:11
三星的K9F1G08U0A nand flash芯片，手册说有Unique ID可以用，但是没有说明具体怎么操作。另外在其他三星nor flash芯片手册中有看到OTP区域，可以来保存Unique
2017-03-21 09:22:02
` 【PConline 资讯】12英寸的平板真的会推出么？前段时间业内人士的预测引来无数猜想。近日，taiwan《Digitimes (电子时报)》引述计算机产业上游供应链消息称，苹果和三星均在计划
2013-10-29 10:18:00
三星推出64GB moviNAND闪存芯片
三星近日公布了两款采用新制程技术的闪存产品。其中moviNAND闪存芯片产品使用了三星最新的3xnm制程NAND芯片，单片封装的最大容量可达64GB
2010-01-14 17:00:041005 闪存巨头再度发力：三星公司在本届闪存记忆体峰会上连续公布了32 TB SSD、1TB BGA以及一款高速Z-SSD方案。其中32TB SSD利用64层3D NAND构建而成，即三星旗下的V-NAND品牌，同时配合TLC（即三层单元）设计。
2016-08-19 15:57:111041 三维闪存“V-NAND”技术实现了每芯片32GB（256Gbit）的大容量化。也就是运用MLC（Multi Level Cell）技术的第三代V-NAND，尝试在每个芯片内垂直堆叠了48层存储单元。
2016-10-31 17:57:241111 三星开始生产30TB SSD固态硬盘了，早在去年8月的时候就有了关于这款30TB SSD的各种消息，当时的预计是在2017年发布。这款SSD的容量是最大磁盘驱动器容量的2倍以上，24个SSD可插入
2018-07-18 17:40:002663 近日三星推出了基于小型下一代小型（NGSFF）（*）的最高容量NVMe SSD - 一个8TB NF1 （**） SSD。
2018-07-18 10:53:002322 三星表示，这款512GB的闪存芯片专门面向移动设备开发，其中整合了八个多层存储数据的V-NAND芯片。和过去三星256GB的芯片相比，虽然容量翻一倍，但是使用的空间却相同。这给手机设计带来了福音。
2017-12-06 11:03:441513 西安3D V-NAND芯片厂是三星最大的海外投资项目之一，也是是三星第二座3D V-NAND芯片厂。今日报道，工业气体供应商空气产品公司将助力三星生产的3D V-NAND闪存芯片，宣布将为3D V-NAND芯片厂供气。
2018-02-03 11:07:271538 的一部分。此前我们曾评测过4TB 860PRO版本，今天继续为大家带来1TB容量评测。 三星860PRO 1TB SSD属于850 PRO SSD的替代型号，他们的外观和风格基本一致，860 PRO主体
2018-02-15 06:11:0012758 位于西安高新技术开发区的芯片厂是三星电子最大的海外投资项目之一，也是中国最先进的半导体工厂之一。其生产的3D V-NAND闪存芯片广泛应用于嵌入式NAND存储、固态硬盘、移动设备和其它消费电子产品。
2018-02-09 10:18:468075 的10倍之多，用起来更放心，只不过4TB容量的SSD现阶段售价太贵，1．1万元的价格不是普通人能接受得了的。好在三星还提供了多种容量组合，需要兼顾容量、性能、价格的用户可以考虑1TB容量的，目前售价2399元，比上代还要便宜一些，同时使用寿命是上代产品的4倍。
2018-06-04 09:42:0053847 三星电子今天发布了一款全新的SSD固态硬盘，型号“PM883”，最大特点是第一次用上了LPDDR4内存作为缓存颗粒。PM883面向数据数据中心市场，采用标准的2.5寸SATA规格，主控方案未知（估计是三星自家的），闪存是三星64层3D V-NAND颗粒，容量4TB、8TB两种可选。
2018-06-26 16:07:0013654 三星电子今天宣布，已经开始批量生产业内首款512GB嵌入式通用闪存（eUFS），以用于下一代移动设备。据介绍，三星512GB eUFS采用了三个三星最新的64层512千兆（Gb）V-NAND芯片和一个控制器芯片。
2018-07-10 09:39:001189 三星终于宣布开始大规模生产其第五代V-NAND存储芯片，声称其堆叠层数超过90层，可能指的是其96层，制造生产率可提高30%以上。三星新的V-NAND支持Toggle DDR4.0 NAND接口，可拥有更高的传输速度。
2018-07-12 14:46:002034 据外媒7月10日报道，顶级NAND闪存芯片制造商三星宣布已开始大规模生产其第五代V-NAND闪存芯片。
2018-07-13 14:22:054460 三星第五代V-NAND 3D堆叠闪存业界首次采用Toggle DDR 4.0接口，传输速率提升至1.4Gbps，与前代64层堆栈的V-NAND闪存相比提升了40%。数据写入延迟仅为500微秒，比上代提升30％，而读取信号响应时间也大幅缩短到50微秒。
2018-07-17 11:52:173338 面对2018年各大闪存颗粒厂商已经大规模量产64层堆栈3D NAND的情况，三星正式宣布开始量产第五代V-NAND闪存颗粒，堆栈数将超过90层。
2018-07-24 14:36:328259 三星电子有限公司今天宣布推出三星移动固态硬盘T5-全新的移动固态硬盘（PSSD），提升了外部存储产品的性能标准。T5采用三星最新的64层V-NAND（垂直NAND）技术和紧凑耐用的设计，具有业界领先的传输速度和加密的数据安全性，使消费者更轻松随时随地访问其最有价值的数据。
2018-07-26 17:43:092951 此外，新的V-NAND数据写入速度仅延迟了500微妙，与前一代相比改进了30%，读取信号时间已降低到50微妙。值得一提的是新的96层V-NAND闪存芯片也更加节能，电压从1.8V降至1.2V。
2018-07-27 17:11:001477 韩国业界最近指出，三星电子2019年的NAND Flash资本支出将达90亿美元，预计将以韩国平泽、中国西安为主，扩大高容量3D NAND生产规模，期望拉大与其它竞争对手间的差距。
2018-08-05 11:53:421632 三星电子也不甘示弱，早先已经宣布量产96层堆叠第五代V-NAND闪存，并宣布会在年内推出全球第一款32TB超大容量SSD。
2018-08-07 14:32:115170 很显然从今年开始，厂商们都开始将目光转向了QLC闪存，之前Intel就已经推出了首款搭载QLC闪存的SSD，而现在三星也正式宣布量产首款搭载QLC闪存的SSD，这些SSD从1TB起步，共有1TB、2TB和4TB三种规格。
2018-08-07 17:00:031359 供货吃紧的时期，三星产能优先满足高速增长且利润较高的企业 SSD，由于 Z-NAND 在读延迟上要比 V-NAND 低数倍，三星基于 Z-NAND 技术推出的 SZ985 系列 Z-SSD，读延迟仅
2018-08-08 16:51:117721 
两年前三星以 15.36TB 的数字，获得世上最高容量 SSD 的称号。今天这位置要让出来。.. 给同门的新品 PM1643。这款 2.5 吋规格的 SSD 有着翻倍的容量和速度，达 30.72TB；读写速度分别为 2，100 MB/s 和 1，700 MB/s。
2018-08-13 11:53:004053 今年8月初，NAND闪存巨头三星电子宣布开始量产业界首款消费级QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64层3D堆叠，单芯片容量1Tb（128GB）。
2018-11-23 08:36:521379 三星新一代860 QVO系列固态硬盘于今日上架美国官网，作为三星首款面向消费者的QLC固态硬盘，它采用传统的2.5寸盘规格，内部为三星自主MJX主控、三星自产V-NAND QLC闪存颗粒，容量规格有1TB、2TB、4TB。1TB版本官方建议零售价149.99美元。
2018-11-30 14:08:012848 2019年1月23日 –三星电子有限公司今天推出了其非易失性存储器（NVMe）SSD产品线的最新增强版三星970 EVO Plus。凭借业界领先的性能和高达2TB的超大容量，三星970 EVO
2019-01-25 09:04:323444 天字一号闪存企业三星电子今天（1月30日）宣布开始量产单芯片1TB容量的UFS存储产品，主力用于智能手机。
2019-02-11 11:33:414436 
®c200 1TB microSDXC UHS-I 卡——全球容量最高的 microSD 卡，可提供一兆兆字节 （1TB）1 高性能可移动存储。c200 1TB microSD 卡是全球首款采用美光先进
2019-02-26 17:26:511306 另一方面，市场经过一定时间的供需调整，再加上2019年新一代的旗舰机产品纷纷推出，尤其是三星、华为、OPPO、小米等5G手机、折叠手机等引爆市场商机，且搭载的Mobile DRAM容量向12GB升级，NAND Flash容量提高到1TB，将对存储芯片需求快速增加。
2019-02-27 15:57:314840 SK海力士宣布已向主要SSD（固态硬盘）控制器公司提供新的1Tb QLC NAND样品，并开发了自己的QLC软件算法和控制器，计划扩大基于96层1Tb QLC 4D NAND的组合产品。
2019-07-25 15:08:544100 在2016年的旧金山闪存峰会上，三星公布了Z-NAND与Z-SSD的相关信息。后者基于第四代V-NAND，但由于具有一些新的特性（介于DRAM内存和NAND闪存之间）、包含独特的电路设计与优化后的主控，三星于是用Z-NAND来命名这款闪存芯片。
2019-08-31 09:43:426632 8月6日，三星电子宣布已开始批量生产250千兆字节（SATA）固态硬盘（SSD），该硬盘集成了该公司的第六代（1xx层）256Gb，适用于全球PC OEM的三位V-NAND。通过在短短13个月内推出新一代V-NAND，三星已将批量生产周期缩短了四个月，同时确保了业界最高的性能，功效和制造生产率。
2019-08-07 17:10:553350 
目前，两大韩系NAND Flash 厂商──三星及SK 海力士在之前就已经公布了新NAND Flash 产品的发展规划。其中，三星宣布推出136 层堆叠的第6 代V-NAND Flash 之外，SK
2019-08-15 09:05:123089 三星推出了第六代V-NAND内存，为了进一步提高容量和密度，它拥有100多个活动层。从性能的角度来看，要使V-NAND具有超过100层的可行性，三星公司不得不使用新的电路设计技术。
2019-09-03 10:38:04981 三星推出了第六代V-NAND内存，为了进一步提高容量和密度，它拥有100多个活动层。从性能的角度来看，要使V-NAND具有超过100层的可行性，三星公司不得不使用新的电路设计技术。
2019-09-09 16:05:251778 美光宣布推出一系列全新micro SD存储卡，称为i300系列，其容量从32GB到1TB不等，以满足视频监控市场和其他工业应用的边缘存储需求，其中具有最大存储容量的型号是美光i3001TB3microSDXC UHS-I，可容纳1TB数据，是所有micro SD卡的最高容量。
2019-11-19 10:40:191625 660p 仅采用了 64 层 3D QLC NAND 。为了与西部数据（WD）争抢上市，英特尔率先推出了 1TB 的版本，2TB 版本则要等到 2020 年 1 季度。
2019-11-26 15:20:383770 NAND闪存巨头三星电子宣布开始量产业界首款消费级QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64层3D堆叠，单芯片容量1Tb（128GB）。
2019-12-13 11:35:481655 三星S10 Lite正面搭载20:9的6.7英寸Super AMOLED屏幕，屏幕分辨率为1080 X 2400，同时采用挖孔屏设计，开孔的位置位于屏幕顶部中央；搭载高通骁龙855移动平台，辅以8GB+128GB内存组合，支持最大1TB microSD卡拓展。
2019-12-20 11:40:173221 固态硬盘市场的霸主三星，是四大NAND闪存厂商中最早量产3D NAND闪存的，也是目前技术最强的，已经发展了三代V-NAND闪存，堆栈层数达到了48层。
2019-12-22 11:19:011518 今日凌晨，XDA主编Max Winebach爆料称，三星Galaxy S20 Ultra 5G将保留SD卡插槽，最高支持1TB存储卡扩展。
2020-01-14 14:15:2011161 
存储公司Patriot宣布推出P300 Gen3 x4 NVMe M.2 SSD，容量从256GB到1TB。
2020-03-03 16:09:24991 从去年底到现在，NAND闪存价格止跌回升，连带着SSD硬盘价格也上涨了不少，现在1TB容量的SSD全面回到了千元甚至更高价位。什么时候1TB SSD硬盘才能降到300多元呢？这还得再等等，需要第四代QLC闪存了。
2020-04-01 09:14:261332 4月8日消息，近日，SK海力士宣布推出基于首款 128 层 1Tb TLC 4D NAND 闪存的企业级 SSD-- PE8111，是针对读取密集型应用设计的高容量存储解决方案。SK海力士是一家全球存储器半导体制造商，其产品组合中包括 DRAM，NAND 闪存和控制器，以及 SSD 的全套技术。
2020-04-09 14:09:194477 长江存储宣布推出致钛系列PC005 Active NVMe 1TB版本消费级固态硬盘（SSD），并于致钛京东店铺开启预售，11月1日正式开售。预售期间，下单即可享受20元抵100元的定金膨胀活动
2020-10-27 15:13:523746 SSD快12.7倍。 其提供256GB/512GB/1TB三种容量可选，售价分别为629元、1049元、1999元。 我们快科技以及拿到了1TB版本，下面为大家带来图赏。 外性方面，采用紧凑型M.2
2020-10-28 15:44:472773 容量高达 1TB 的 PRO Elite SDXC 闪存卡。对于摄影师等专业人士来说，显然会感到极大的惊喜。 这款 UHS-I 存储卡的标称速度等级为 C10 / U3 / V30（支持 4K 视频
2020-12-10 13:52:422163 当市场中“TLC党”和“MLC党”还在争论不休的时候，三星决然的将顶级980PRO SSD改用了TLC闪存，而入门级别的860EVO之后一直没有新品，倒是接连推出了采用QLC闪存的860QVO
2021-01-04 10:03:319530 1 月 19 日消息 根据外媒 WinFuture 的消息，三星即将发布新款的 870 EVO SSD ，采用了 TLC 颗粒，SATA 3 接口，最高 4TB 容量。 IT之家了解到，三星 870
2021-01-19 17:52:314575 据外媒最新消息称，iPhone 13将提供1TB容量版本，而目前iPhone 12 系列最高容量选择为512GB。
2021-03-01 09:30:342048 据供应链消息，今年 iPhone Pro 系列的最高存储容量将从 512GB 翻倍到 1TB。
2021-03-05 16:35:20892 从昨天苹果发布的iPhone13系列新机来看，暂时只有iPhone 13 Pro和iPhone 13 Pro Max有1TB的内存版本，售价分别是11999元和12999元。那么1TB到底是多少呢？
2021-09-16 10:46:3654681 iphone13promax价格1tb官网售价12999元起，这是苹果13机型中最贵的一款机型，iphone13promax规格1tb版本主要适用于对储存容量、屏幕方面有很大需求的用户。毕竟容量越大，版本越高价格就越贵，iphone13promax 1TB价格真香！
2021-09-27 10:14:1925737 三星的UFS4.0闪存芯片采用全新第7代V-NAND技术，传输带宽每通道达到23.2Gbps，相较UFS3.1提升一倍，顺序读取速度可以达到4200MB/s，同时顺序写入速度也提升到2800MB/s
2022-05-05 10:45:274464 
市场对更高密度、更大容量存储的需求，推动了V-NAND层数的增加，三星采用3D缩放（3D scaling）技术，减少表面积并降低高度，同时避免了缩小时通常会发生的单元间的干扰。我们的第8代V-NAND将有助于满足快速增长的市场需求，更好地提供差异化产品和解决方案，有望成为未来存储创新的基础。
2022-11-07 10:33:551380 和2022年度三星内存技术日上所承诺的，三星今日宣布，已开始量产三星产品中具有最高存储密度的1Tb（太字节）三比特单元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存储密度，可为全球企业系统提供容量更大、密度更高的存储解决方案。 三星电子第八代V-NAND，
2022-11-08 13:37:361626 1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存储密度，可为全球企业系统提供容量更大、密度更高的存储解决方案。
2022-12-06 10:39:311027 基于先进的5纳米工艺控制器和第七代 V-NAND 技术，PM9C1a将个人计算机日常工作效率提升至新高度，同时，可处理高要求的计算和游戏任务 深圳2023年1月12日 /美通社/ -- 今日，三星
2023-01-12 21:32:101153 三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈，三星电子计划在2023年正式生产第9代V-NAND闪存，三星第9代V-NAND闪存
2023-08-21 18:30:53888 正式进入中国市场。990 PRO系列属于高性能PCIe【1】 4.0固态硬盘系列，采用三星第8代V-NAND技术和三星自研控制器。 990 PRO系列拥有强悍的速度和优秀的功效，并且针对3D/4K图形处理
2023-09-07 09:35:411163 
2023年9月6日三星电子宣布推出固态硬盘990 PRO系列4TB（万亿字节）产品，预计将于10月正式进入中国市场。990 PRO系列属于高性能PCIe【1】4.0固态硬盘系列，采用三星第8代V-NAND技术和三星自研控制器。
2023-09-07 09:44:151751 
在硬件设施方面，三星选用的是具有1RU机架大小的PB SSD v2存储服务器。据悉，每个PB SSD v2服务器均配备1颗AMD EPYC处理器及16个EDSFF E3.S规制的固态硬盘，每个硬盘容量高达15.36TB。
2024-03-21 14:21:561556 据韩媒Hankyung透露，第九代V-NAND闪存的堆叠层数将高达290层，但IT之家此前曾报道过，三星在学术会议上展示了280层堆叠的QLC闪存，其IO接口速度可达3.2GB/s。
2024-04-12 16:05:391415 据韩国业界消息，三星最早将于本月开始量产当前业界密度最高的290层第九代V-NAND（3D NAND）闪存芯片。
2024-04-17 15:06:591504 三星公司预计将于今年四月份大批量生产目前行业内为止密度最大的290层第九代V-NAND （3D NAND） 闪存芯片，这是继之前的236层第八代V-NAND后的显著提升，也代表着当前行业中最高的可量产堆叠层数。
2024-04-18 09:49:201500 近日，三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC产品开始量产，这将有助于巩固其在NAND闪存市场的卓越地位。
2024-04-23 11:48:051287 据了解，日本存储巨头铠侠于近日宣布推出全新第四代UFS 4.0闪存颗粒。该系列闪存包含256GB、512GB及1TB三种容量版本，主要面向高端智能手机等新一代移动设备领域。
2024-04-23 14:28:522421 作为九代V-NAND的核心技术，双重堆叠技术使旗舰V8闪存的层数从236层增至290层，主要应用于大型企业服务器及人工智能与云计算领域。据了解，三星计划于明年推出第十代NAND芯片，采用三重堆叠技术
2024-04-28 10:08:011540 在技术层面，第九代V-NAND无疑展现出了三星的卓越技术实力。它采用了双重堆叠技术，在原有的旗舰V8闪存236层的基础上，再次实现了技术上的重大突破，堆叠层数飙升至惊人的290层。
2024-04-28 16:02:241874 第九代V-NAND采用双堆叠设计，将旗舰版V8闪存原先的236层进一步增加至290层，主要应用于大型企业服务器及人工智能与云计算设备领域。
2024-04-28 17:36:181369 据悉，Switch 2游戏机可能搭载由三星代工厂生产的SoC（英伟达Tegra T239芯片，采用三星7LPH工艺节点）。此外，任天堂还计划采用三星第五代V-NAND存储技术以及三星作为显示面板供应商。
2024-04-29 10:23:182172 据报道，三星Galaxy S24 Ultra已现身市场，其存储版本分别有256GB、512GB及1TB三款，但内存皆为12GB。然而，最新传闻称三星将于明年推出的Galaxy S25 Ultra或将内存提升至16GB。
2024-05-10 14:25:371355 在人工智能（AI）技术日新月异的今天，数据中心对大容量固态硬盘（SSD）的需求呈现出前所未有的增长态势。业内最新消息显示，由于NAND闪存供应可能在下半年出现短缺，三星电子的V8-NAND技术正成为市场关注的焦点。
2024-07-01 10:11:121152 据韩国媒体最新报道，三星电子在其第9代V-NAND闪存技术中实现了重大突破，首次在“金属布线”工艺中引入了钼（Mo）技术。这一创新标志着三星在半导体制造领域的又一次技术飞跃。
2024-07-04 09:23:501262 microSD 存储卡 PRO Plus 和 EVO Plus 采用三星先进的 V-NAND 技术，可安全可靠地捕捉和存储日常瞬间 性能提升后，顺序读取速度高达 180MB/s，传输速度达
2024-08-01 09:24:59700 
三星电子今日宣布了一项重大里程碑——其自主研发的1太比特（Tb）容量四层单元（QLC）第九代V-NAND闪存已正式迈入量产阶段。这一成就不仅标志着三星在存储技术领域的持续领先，也预示着数据存储市场即将迎来一场革命性的变革。
2024-09-12 16:27:311109 三星电子在NAND闪存技术领域再次迈出重要一步，其最新推出的QLC V-NAND第九代产品，集成了多项前沿技术突破，标志着数据存储性能与容量的全新飞跃。这款基于双堆栈架构的QLC V-NAND，通过创新的通道孔蚀刻技术，实现了业界领先的单元层数，为各类AI应用提供了前所未有的内存解决方案。
2024-09-23 14:53:521480 三星电子在车载存储技术领域迈出了重要一步，正式宣布成功研发出业界首款基于其先进第八代V-NAND技术的PCIe 4.0车载SSD——AM9C1。这一创新成果不仅标志着三星在车载数据存储领域的深厚积累与前瞻布局，更为未来智能汽车的高性能、高效率数据存储需求提供了强有力的支持。
2024-09-24 15:24:031104 b nm DRAM。 这一新版DRAM工艺项目被命名为D1B-P，其重点将放在提升能效和散热性能上。这一命名逻辑与三星此前推出的第六代V-NAND改进版制程V6P相似，显示出三星在半导体工艺研发上的持续创新与投入。 据了解，在决定启动D1B-P项目时，三星现有的12nm级DRAM工艺良率
2025-01-22 14:04:071411 还将进一步迈出重要一步——建设第九代V-NAND(286层技术)产线。 报道指出，为了实现这一目标，三星西安NAND厂将在今年上半年引入生产第九代V-NAND所需的新设备。这些先进设备的导入，将为产线建设提供坚实的基础，确保技术升级顺利进行。 据悉，三星西安NAND厂的目标
2025-02-14 13:43:271092
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