SK海力士公司宣布将主要应用于3D闪存的CTF结构与PUC技术结合起来

11月4日，SK海力士公司宣布，“公司将主要应用于3D闪存的CTF结构与PUC技术结合起来，在上月领先全球率先研发出96层512Gbit的4D Nand闪存半导体，计划在今年年内进行第一批量产”。96层Nand闪存是目前性能最强的Nand闪存半导体。

之所以称之为4D Nand是因为它是将3D Nand使用的电荷撷取闪存(CTF，Charge Trap Flash)结构与外围电路(PUC，Peri Under Cell)构造结合起来开发出的新技术。PUC技术将用来驱动晶胞的周边电路堆叠在储存数据的晶胞阵列下方，相当于将公寓楼(Nand闪存)所需要的停车场从公寓旁边改建到了地下空间，从而提高了空间使用效率。

4D Nand半导体体积比目前的72层512Gbit 3D Nand闪存缩小了30%以上，可以搭载到智能手机移动零部件之中，每张面板可以生产的记忆容量(bit)提升1.5倍，可同时处理的数据量更是提升一倍至业界最高水平的64KB，一个新的芯片产品可以取代2个原来的256Gbit 3D Nand闪存。SK海力士强调，“新芯片的读写能力分别比现在的72层产品提高了30%和25%”。

SK海力士的4D NAND闪存首先会量产TLC类型的，核心容量分别是512Gbt、1Tb，都是96层堆栈，IO接口速度1.2Gbps，不过两者的BGA封装面积是不一样的，1Tb版显然更大一些。

至于QLC类型的，这个未来会是SK Hynix量产的重点，核心容量1Tb，但量产时间会在明年下半年，还需要一些时间。

4D NAND闪存主要生产基地就是刚刚落成的M15工厂，总投资高达15万亿韩元，约合135亿美元。

SK海力士能否凭借新产品在竞争力相对弱势的NAND闪存市场站稳脚跟并争取NAND闪存市场的主导权，倍加受人关注。SK海力士在全球D-RAM市场仅次于三星电子排名第二，但在NAND闪存市场却以大约10%的份额之差排在三星电子、东芝、西部数据之后，排名第四。在去年SK海力士的销售额中，NAND闪存所占比重保持在22%左右，而在今年上半年，这一比例下降到了18%。

此外，随着半导体存储器的供应增加和需求停滞，Nand闪存半导体的价格在今年下降了9%以上，进一步助推了“半导体危机论调”。SK海力士计划通过扩大新产品的供应打破这样的危机论调。

SK海力士首先计划在年内推出搭载4D Nand闪存的1TB容量固态硬盘(SSD)。SK海力士公司常务金正泰表示，“搭载CTF技术的96层4D Nand闪存拥有业界最顶级的性能和成本优势，我们正利用这一技术研发新一代128层4D Nand闪存”。

SK海力士的4D NAND闪存将带给市场怎样的惊喜，非常值得期待。