三星量产第九代V-NAND闪存芯片，突破最高堆叠层数纪录
三星公司预计将于今年四月份大批量生产目前行业内为止密度最大的290层第九代V-NAND （3D NAND） 闪存芯片，这是继之前的236层第八代V-NAND后的显著提升，也代表着当前行业中最高的可量产堆叠层数。据悉，该公司还计划于2025年推出430层V-NAND产品。
有业内人士分析称，三星此举主要是为了应对人工智能（AI）领域对NAND闪存的巨大需求。随着AI从“训练”向“推理”转变，需要处理海量的图像和视频等数据，因此对大容量存储设备的需求日益增长。同时，观察者们也注意到，三星对其NAND业务在第一季度的盈利状况持乐观态度。
值得一提的是，三星即将推出的第九代V-NAND采用了双层键合技术以提高生产效率，这一突破性进展打破了之前业内专家预测的需使用三层键合技术才能实现300层的观点。
研究机构TechInsights预测，三星将在2025年下半年批量生产第十代V-NAND，堆叠层数可高达430层，并直接越过350层。
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