三星即将量产290层V-NAND闪存

据韩国业界消息，三星最早将于本月开始量产当前业界密度最高的290层第九代V-NAND（3D NAND）闪存芯片。这是继236层第八代V-NAND之后的又一重大进步，是当前业界可量产的最高堆叠层数。此外，三星计划在2025年推出430层V-NAND产品。

290层V-NAND闪存芯片更高的密度将带来更低成本、更大单体容量，以及更好的性能表现。具体来说，三星将发布1Tb（128GB）QLC 3D NAND闪存芯片，存储密度达到28.5Gb平方毫米。性能上，其I/O速率达到了3.2 Gbps，相比现有第八代的2.4 Gbps有了显著提升。

在技术上，三星即将推出的第九代V-NAND采用双层键合技术提高生产效率，打破了业内专家的预测。此前曾认为要达到300层，需要三层键合技术。此次的突破展现了三星在半导体制造领域的领先技术实力。

随着人工智能领域从“训练”转向“推理”，需要处理大量数据，如图像和视频，因此需要大容量存储设备。三星此举旨在满足人工智能（AI）热潮下对于NAND闪存的需求。此外，三星对于其NAND业务在第一季度的盈利比较乐观，这也为即将开始的量产提供了有力的市场支撑。