三星明年将发布128层第六代V-NAND TLC实现了512 Gb

19日,在东京举行的“ Samsung SSD Forum 2019 Tokyo”会上。三星电子存储器部门产品规划团队高级董事总经理Jinman就所展示的解决方案进行了演讲。

Jinman解释说，该公司的堆叠NAND闪存“ V-NAND”实现了具有最新第六代产品的128层单堆叠，并通过TLC实现了512 Gb（千兆位）容量。它计划于2020年投放市场，并且正在针对在5年内达到500层或更多层的堆栈进行研究。

之后，他介绍了该公司针对云，消费者和自动驾驶的解决方案。

在云中，引入具有PCI Express Gen4（PCIe Gen4）连接的SSD作为宽带，并且需要高度稳定的存储解决方案。U.2外形尺寸“ PM1733”实现了连续读取6,400MB / s的高速传输，并引入了30.72TB的大容量模型。双端口设计吸引了它，即使两个控制器之一被损坏，它也将继续运行。

低延迟SSD产品“ Z-SSD”吸引了需要低访问延迟存储的场景，例如云服务。通过基于SLC的栅极宽度优化和更快的电压上升/下降等，基于TLC的标准SSD的读取延迟为1 / 5.5。

针对高速NAND闪存进行了优化的NVMe SSD是市场的主要驱动力，但我们仍在继续开发具有诸如HDD替换需求和热插拔支持等优势的SAS SSD产品。

除了由公司领导的NF1之外，还推出了各种外形尺寸的产品，包括由其他公司领导的标准，并且在引入PCIe Gen4产品之后不久，带宽就增加了一倍。该公司还宣布开发加速的PCIe Gen5 SSD。

未来的固态硬盘，例如“ SmartSSD”和“ EthernetSSD”，它们可以通过内置的FPGA代替CPU进行的处理，而“ EthernetSSD”可以通过以太网促进存储扩展，以及那些传统产品的扩展。

在消费者存储中，引入了用于智能手机的UFS 3。与iOS设备闪存相比，Android和UFS的结合吸引了人们在编写时没有性能下降的问题，并且稳定，快速。

UFS主要用于嵌入式eUFS，但三星还发布了可移动UFS卡，它不仅比竞争对手的microSD卡快，而且还具有硬件错误和数据丢失检测，错误恢复以及假定通过诸如自动重发的功能来提高稳定性。

它已经在韩国发布，并将于2020年在美国推出。参展商表示，该公司的某些笔记本电脑配备了UFS卡插槽。

此外，他介绍了固态硬盘已在面向消费者的游戏领域中部署，并解释说到2020年，NVMe固态硬盘不仅将安装在PC上，还将安装在消费者游戏机上。对于大存储游戏内容的播放更加流畅，而且SSD是必不可少的。

随着移动设备的增加，我们还致力于开发更节省空间的SSD，并且我们已经将尺寸为M.2 22x30的NVMe SSD商业化。并朝着1TB的容量前进，硬币大小且重量小于1g。