12月7日,韩国半导体公司SK海力士表示,近期已成功研发出基于三层存储单元(TLC)的176层512Gb(千兆位)NAND闪存。
据韩联社12月7日报道,SK海力士介绍,第三代4D NAND闪存达到业界最高水平,比上一代128层产品提高了35%以上生产率,增强了产品成本竞争力。另外,SK海力士新产品的读取速度比上一代加快20%,数据传输速度达到每秒1.6Gb,提高了33%。
上月,SK海力士于向控制器企业提供了NAND样品,计划明年6月左右批量生产,并依次推出消费者级SSD、企业级SSD等产品,扩大各应用领域的市场。另一方面,韩国的三星电子也正在研发第七代V-NAND,预计明年批量生产。
责任编辑:tzh
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