SK海力士将在2025年底量产400+层堆叠NAND

近日，韩国权威媒体ETNews爆出猛料，SK海力士正在积极筹备加速下一代NAND闪存的研发进程，并且已经设定了明确的发展时间表——计划在2025年底之前，全面完成高达400多层堆叠NAND的半成品制备工作，紧随其后，将于2026年第二季度正式启动并大规模投入生产。

值得一提的是，早在2023年，SK海力士就已经向外界展示过其321层堆叠NAND闪存的样品，并公开表示，这款产品有望在2025年上半年实现量产。

据该媒体透露，SK海力士在未来两代NAND闪存的研发周期内，将把时间压缩至大约1年左右，这一速度相对于行业平均水平来说，无疑是惊人且显著的。

需要注意的是，从各大厂商发布新一代NAND闪存的时间跨度来看，美光从232层NAND闪存升级到276层，耗费了整整两年的时间；而三星V8 NAND和V9 NAND之间的更新间隔则大约为1.5年。

在报道中，韩媒还特别强调了SK海力士即将推出的400+层堆叠NAND闪存所采用的独特架构：

SK海力士现有的4D NAND采用了PUC（Peri Under Cell，单元下外围）技术，即将外围控制电路置于存储单元之下，这种设计相较于传统的外围电路侧置设计，能够有效地缩小芯片占用空间。

然而，SK海力士未来的NAND闪存将会在两片晶圆上分别制作外围电路和存储单元，然后再通过W2W（晶圆对晶圆）形式的混合键合技术，将这两个部分完美融合成一个完整的闪存。

换言之，SK海力士也将借鉴长江存储Xtacking、铠侠-西部数据CBA等先进的结构设计理念。

据悉，SK海力士已经开始着手建立NAND混合键合所需的原材料及设备供应链，同时也在对混合键合技术及其相关材料进行深入研究和重新评估；此外，三星电子也在考虑在下一代NAND生产过程中引入混合键合技术。