最高的64层3D NAND芯片。据techweb的消息显示,长江存储今年年底预计正式量产64层堆栈的3D闪存,明年开始逐步提升产能,预计2020年底有望将产能提升至月产6万片晶圆的规模。
2019-08-27 09:32:51
2672 9月2日,长江存储正式对外宣布,其基于Xtacking®架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存(每颗裸芯片的存储容量为256千兆字位,每个存储单元为三个字位的三维闪存)正式量产,以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
2019-09-02 14:31:15
1919 。 继96层QLC之后,将于2020年作为Arbordale + DC推出144层QLC 图1:NAND闪存随着SLC,MLC,TLC,QLC发展 3D NAND是当前SSD中常用的闪存技术。换句话说
2019-10-04 01:41:00
5916 SK海力士本周宣布,他们已经开始基于其128层3D NAND闪存采样产品,该产品不久将开始出现在最终用户设备中。一年前,他们推出了96层第5代3D NAND,但低价促使他们削减了产量,而第4代72
2019-11-25 17:21:55
6386 2020年下半年制造48层的3D NAND存储。然后,该公司计划在2021年开始出货96层3D NAND,并在2022年开始出货192层3D NAND。目前,该公司用于制造NAND的最先进技术是其19纳米
2019-12-14 09:51:29
5966 Western Digital和Kioxia宣布成功开发了最新一代的3D NAND闪存。他们的第五代BiCS 3D NAND已以512 Gbit TLC部件的形式开始生产,但要到今年下半年才能增加到
2020-02-13 01:00:00
7244 7月24日国外消息:SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技术路线-- 在同一个区域记录层的堆叠在一个闪存芯片放到另一个提供更多的容量之内。
2013-07-25 10:24:23
1561 256Gb 3D V-NAND闪存芯片。目前备受瞩目的三星48层V-NAND 3D快闪存储器已经出现在市场上了,TechInsights的拆解团队总算等到了大好机会先睹为快。
2016-07-13 10:32:43
7470 目前NAND闪存需求依然居高不下,厂商也有动力扩大产能了,SK Hynix公司日前宣布本月底将量产48层堆栈的3D NAND闪存,这是三星之后第二家量产48层堆栈3D闪存的公司。
2016-11-09 11:35:16
1088 各大原厂已经在2016年研发了基于48层或32层的3D NADN闪存颗粒,由于技术不成熟以及2D NAND生产线替换问题,如今3D NAND的良品率并不高,总产量也不够高,因而才引发了当下固态硬盘市场价格的疯涨。
2016-11-09 17:37:38
3369 SK 海力士最先进 72 层 3D NAND 内存传明年开始量产,韩联社 26 日引述知情人事消息报导指出,海力士计划于 2017 上半年完成芯片设计,位在利川(Icheon)的 M14 厂将可在下半年开始生产。
2016-12-27 09:06:35
1594 西数公司日前表示今年会试产512Gb核心容量的64层堆栈3D NAND闪存,单颗核心容量就达到了64GB,比目前主流水平翻倍,制造超大容量SSD硬盘更容易了。
2017-02-07 14:21:31
1053 据外媒报道,东芝今天宣布正式出货BiCS FLASH 3D闪存,采用64层堆叠,单晶粒容量512Gb(64GB,TLC),相对于上一代48层256Gb,容量密度提升了65%,这样封装闪存芯片的最高容量将达到960GB。
2017-02-23 08:33:40
1752 以各原厂的技术进展来看,三星去年进度最快已成功量产3D NAND,去年底出货占比已达35%,最先进的64层芯片将在今年第1季放量投片,3D NAND的出货比重将在本季达到45%。另外,三星不仅西安厂全面量产3D NAND,韩国Fab 17/18也将投入3D NAND量产。
2017-03-02 10:40:25
1179 苹果供应商海力士(SK Hynix)今天发布了72层,256Gb 3D NAND 闪存芯片。这种芯片比 48层技术多1.5倍,单个 256Gb NAND 闪存芯片可以提供 32GB 闪存,这种芯片比 48 层 3D NAND 芯片的内部运行速度快两倍,读写性能快 20%。
2017-04-11 07:49:04
2003 国产手机势头越来越强劲,把三星和苹果的市场份额抢占不少,但繁荣背后是对核心产业链控制的缺失,就比如闪存芯片,这基本上被韩国厂商垄断了。近日,高启全接受媒体采访时表示,长江存储将在2019年开始量产64层堆栈的3D NAND闪存,这个消息无疑让人振奋,而在今年他们还将出样32层NAND闪存。
2017-05-09 15:10:04
2528 电子发烧友早八点讯:三星今天在韩国宣布,开始大规模量产64层堆叠、256Gb(32GB)、3bit的V-NAND闪存芯片,是为第四代3D闪存。
2017-06-16 06:00:00
2458 六大NAND Flash颗粒制造商之一的东芝也宣布了自家96层3D NAND产品的新消息:他们正式推出了旗下首款使用96层3D NAND闪存的固态硬盘产品XG6。在性能方面,XG6也算是追上了目前
2018-07-24 10:57:35
5877 日本东芝记忆体与合作伙伴西部数据为全新的半导体设施Fab 6 (6号晶圆厂)与记忆体研发中心举行开幕仪式;东芝记忆体总裁Yasuo Naruke无惧芯片价格下跌疑虑,表示将于9月量产96层3D NAND快闪芯片。
2018-09-20 09:25:42
5627 集微网消息,9月19日,2018年中国闪存市场峰会(CFMS2018)在深圳举行,长江存储总经理杨士宁博士以“创新Xtacking™架构:释放3D NAND潜能”为主题,介绍长江存储Xtacking™架构的技术优势和长江存储3D NAND新进展。
2018-09-20 10:22:07
5992 提升, 已成为闪存市场的主要供应厂商之一,并在今年成功推出128层QLC 3D NAND闪存芯片, 是目前行业内首款单颗Die容量1.33Tb的NAND闪存。慧荣科技身为SSD主控芯片的
2020-09-11 10:03:29
3528 在三星、东芝存储器(TMC)、西部数据、美光、SK海力士等3D技术快速发展的推动下,不仅NANDFlash快速由2DNAND向3DNAND普及,2019下半年原厂将加快从64层3DNAND向96层
2019-07-05 09:11:11
7106 11月12日消息今日,美光科技宣布已批量出货全球首款176层3D NAND闪存,刷新行业纪录,实现闪存产品密度和性能上的提升。这款176层NAND产品采用美光第五代3D NAND技术和第二代替换栅极架构。
2020-11-13 09:40:16
3599 电子发烧友网报道(文/黄晶晶)早在2022年闪存芯片厂商纷纷发布200+层 3D NAND,并从TLC到QLC得以广泛应用于消费电子、工业、数据中心等领域。来到2024年5月目前三星第9代
2024-05-25 00:55:00
5554 
3D NAND能否带动SSD市场爆炸性成长?如何提升SSD寿命及效能?3D NAND及PCIe NVMe SSD能晋升巿场主流的原因是什么?
2021-04-02 07:17:39
3D NAND提高市场竞争力,控制芯片选择了Silicon Motion SM2262EN。原厂早在2018下半年开始量产96或92层3D NAND,并陆续推出了新制程的SSD,比如:三星970
2022-02-06 15:39:12
,大数据存储需求持续增加,一直到2021年NAND Flash平均每年增长率达40%-45%,而美光NAND技术从40nm到16nm,再到64层3D技术,一直为市场提供更好的产品和解决方案。就在几个月前美
2018-09-20 17:57:05
减少NAND闪存产能投资,以便减少NAND供应,缓解市场对降价的预期。 64层和96层堆栈闪存命运各不同今年将是96层3D闪存爆发的元年。在64层堆栈之后,2018年下半年各大厂商也开始量产96层堆栈
2021-07-13 06:38:27
128层甚至更高,外围电路可能会占到芯片Xtacking技术将外围电路连接到存储单元之上,从而实现比传统3D NAND更高的存储密度。据悉,长江存储的64层3D NAND闪存产品将在2020年进入
2020-03-19 14:04:57
上周东芝及西部数据宣布,已研发出堆叠64层的3D NAND Flash制程,并将于2017年上半年开始量产,不过恐怕仍无法超车NAND Flash市占王三星。
2016-08-02 14:53:26
1430 SK 海力士最先进72 层3D NAND 记忆体传明年开始量产,韩联社26 日引述知情人事消息报导指出,海力士计划于2017 上半年完成芯片设计,位在利川(Icheon)的M14 厂将可在下半年开始生产。
2016-12-27 14:15:11
1317 
据报道,苹果供应商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三级单元阵列的 72 层,256Gb 的 3D NAND 闪存芯片。通过堆叠,这比以前的 48 层技术多出 1.5 倍的单元,单个
2017-04-12 01:07:11
1359 现在,西数全球首发了96层堆栈的3D NAND闪存,其使用的是新一代BiCS 4技术(下半年出样,2018年开始量产),除了TLC类型外,其还会支持QLC,这个意义是重大的。
2017-06-28 11:22:40
937 6月29日消息 据外媒NEOWIN报道,英特尔今天宣布推出SSD 545s固态硬盘,它是主流的SATA驱动器,使用Silicon Motion控制器和IMFT的64层3D TLC闪存。 这是世界上首款可供商用的64层3D NAND SSD产品,且目前仅提供512 GB容量版本。
2017-06-29 17:56:05
1179 东芝在SSD技术上已经是领先各大厂商,东芝对于64层堆叠设计的3D TLC闪存真是爱的太深,产品布局之神速令人惊叹。现在又将64层堆叠设计的3D TLC闪存带到了企业及产品上,得益于这种高容量堆叠
2017-08-08 15:56:27
2744 近日,东芝首款64层3D NAND SSDTR200 SATA固态硬盘系列正式上市。TR200系列可提供给个人电脑和笔记本电脑更强的性能表现,并且满足用户对大容量SSD的使用要求。其具备高效能
2017-10-31 16:01:19
1180 2018年是3D NAND产能快速增长的一年,主要是因为Flash原厂三星、东芝、SK海力士、美光等快速提高64层3D NAND生产比重,而且相较于2D NAND技术,64层256Gb和512Gb在市场上的广泛应用,使得高容量的NAND Flash相关产品价格持续下滑
2018-07-16 09:48:00
918 长江存储研发的这颗 3D NAND 芯片是 32 层技术,对比三星电子、美光、东芝、SK 海力士主流的 64 层和 72 层技术,还有一段距离,而这些国际大厂在 2018 年即将大步跨入 96 层 3D NAND 技术,驱动芯片的密度提升、成本再下降。
2017-12-11 14:29:51
3786 层3D闪存的产能良率(四季度超80%)爬升,市场会处在一种供需平衡的局面,从而自然延续NAND Flash合同价的下降趋势。
2018-06-28 10:19:00
1151 层数的增加也就意味着对工艺、材料的要求会提高,要想达到140层堆叠就必须使用新的基础材料。而且在堆叠层数增加的时候,存储堆栈的高度也在增大,然而每层的厚度却在缩小,以前的32/36层3D NAND
2018-05-28 16:25:48
51340 而且在堆叠层数增加的时候,存储堆栈的高度也在增大,然而每层的厚度却在缩小,以前的32/36层3D NAND的堆栈厚度为2.5μm,层厚度大约70nm,48层的闪存堆栈厚度为3.5μm,层厚度减少到
2018-06-03 09:50:55
6262 随着上游NAND Flash原厂的64层3D NAND产能持续开出,且被大量应用在SSD产品线,今年以来高容量SSD价格持续下滑,6月中旬主流的240GB TLC SSD现货价已降至40~43美元
2018-06-26 15:39:49
4535 
美光科技公司推出了5200系列 SATA SSD,该产品基于64层3D NAND技术,5200系列固态盘为经济实惠的虚拟化工作负载提供了成本优化的SATA平台,这些工作负载在HDD,BI / DSS,VDI,块/对象和媒体流。
2018-07-23 17:01:00
6867 由于NAND闪存价格上涨,SSD普及的道路走的异常艰难,同容量下SSD和HDD的价格始终相差悬殊,但美光今天新推出MX500系列SSD采用了64层3D TLC NAND闪存,把SSD的价格和性能控制在一个很好的平衡点,具有极高的性价比和极强的市场竞争力,或许可以打破这一困境。
2018-07-24 16:01:36
5391 )BiCS FLASH™存储器,为电脑游戏玩家和DIY爱好者提供公司首款采用64层3D闪存的升级版SSD。
2018-07-25 17:11:25
1201 在Dell EMC World 2017大会上,东芝美国电子元件公司TAEC展示了采用64层BiCS 3D堆叠技术的SSD产品,归属于XG3系列,也就是OCZ RD400的OEM版。
2018-07-30 16:25:35
2131 随着原厂3D技术的快速发展,2018下半年各家原厂在96层和QLC技术上竞争激烈,其中,三星已在7月份宣布量产96层3D NAND。据DIGITIMES报道称,东芝存储器(TMC)96层3D NAND将在Q4扩大出货,代表着NAND Flash市场霸主之争正式拉开序幕。
2018-08-05 11:50:16
1646 NAND Flash价格在经历了2016年和2017年暴涨之后,2018上半年市场行情回归理性,在原厂扩大64层3D NAND产出下,NAND Flash基本已回到2016年的价格水平。随着各家
2018-08-11 09:35:00
3365 
紫光集团旗下长江存储发展储存型快闪存储器(NAND Flash)报捷,已自主开发完成最先进的64层3D NAND芯片专利,预计明年完成生产线建置、2020年量产,震撼业界。
2018-08-13 09:45:00
2770 在SK Hynix的72层(72L) TLC NAND闪存中,所谓的P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scalable)单元,是利用管线式(pipe)闸极链接每一个NAND
2018-08-29 11:10:00
10510 
上周,美光系与英特尔推出了64层3D QLC NAND,由于采用的QLC(4bits/cell)架构相较于TLC(3bits/cell)容量更大,使得单颗Die容量可高达1Tb,备受市场高度关注
2018-08-22 16:25:46
2599 随着64层/72层3D NAND产出的增加,以及原厂QLC和96层3D技术快速发展,NAND Flash在经历2年涨价后,2018年市场行情从缺货转向供应过剩,再加上成本下滑,以及供需双方博弈刺激下,预计2018年全球SSD出货量将超过1.9亿台,甚至有望冲刺2亿台。
2018-08-31 16:15:00
2745 SK海力士在清州建设M15工厂的建成仪式将于9月17日在清州举行。SK海力士计划通过从明年初开始增产96层3D NAND闪存的策略,来巩固其市场主导地位。
2018-09-07 16:59:04
3820 快闪存储器(NANDFlash)控制芯片及储存解决方案领导群联6日正式宣布,搭载美系国际原厂最新QLC规格64层3DNANDFlash之的SSD控制芯片PS3111-S11T于本月正式出货。
2018-09-11 16:49:00
2540 DIMM插槽的3D XPoint硬盘,现在还不能取代DDR内存,但未来一切皆有可能。 3D NAND技术进展 2016年年下半除东芝(TOSHIBA)就64层3D NAND闪存展开送样出货外,三星电子
2018-10-08 15:52:39
780 传说中的64层3D NAND的故事,延续了1年时间。这次巧合的机会体验到东芝TR200 SSD 240G。而且是东芝自主研发的3D闪存技术。是东芝首款64层 3D NAND SSD。
2018-10-09 16:26:00
11015 2018年原厂不断扩大64层/72层3D NAND产出量,三星、东芝/西部数据、美光/英特尔等3D NAND.
2018-10-14 09:22:41
11564 11月15日, 国产知名SSD主控芯片原厂联芸科技(MAXIO)再下一城,正式对外宣布MAS0902固态硬盘主控芯片已全面支持最新96层3D TLC NAND 闪存颗粒,并对外提供搭载联芸科技自主
2018-11-19 17:22:31
8411 近日,LiteOn推出一款最新MU3系列SSD,采用东芝64层BiCS 3D TLC NAND,7毫米/2.5英寸外形,SATA 6Gbps接口,提供120GB,240GB和480GB三种容量选择。
2019-02-18 15:33:37
4328 日前有消息称紫光纯国产的SSD硬盘就要上市了,使用是他们研发生产的64层堆栈3D TLC闪存,P/E次数可达1500次,这个技术及规格在主流SSD中已经不低了。
2019-03-15 10:38:45
5883 国产存储芯片再下一城,日前有产业链方面的消息称,中国长江存储将如期在今年年底量产64层3D NAND闪存芯片,这对价格本就在不断下探的闪存市场无疑又将带来一波新的冲击。
2019-04-01 16:53:12
2056 现在,长江存储联席首席技术官、技术研发中心高级副总裁程卫华接受采访时表示,公司已开始量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存,以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
2019-09-02 16:30:00
3069 2019年9月2日,紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司(以下简称“长江存储”)在IC China 2019前夕宣布,公司已开始量产基于Xtacking®架构的64层256 Gb TLC 3D
2019-09-02 16:27:50
4051 长江存储64层3D NAND闪存是全球首款基于Xtacking®架构设计并实现量产的闪存产品,拥有同代产品②中最高的存储密度。Xtacking®可实现在两片独立的晶圆上分别加工外围电路和存储单元
2019-09-03 10:07:02
1788 长江存储科技(YMTC)本周早些时候表示,已经开始批量生产采用专有Xtacking架构的64层3D NAND存储器。
2019-09-09 10:22:16
2374 近日,紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布,开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。产品将应用于固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用。这是中国首次实现64层3D NAND闪存芯片的量产,将大幅拉近中国与全球一线存储厂商间的技术差距。
2019-09-17 11:45:19
4095 紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布,开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-19 11:10:09
1144 紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布,开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-23 17:05:24
1455 紫光集团旗下长江存储正式宣布,公司已开始量产基于Xtacking?架构的中国首款64层256Gb TLC 3D NAND闪存,以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
2019-10-08 11:29:18
1727 英特尔透露,2019年第四季度将会推出96层的3D NAND闪存产品,并且还率先在业内展示了用于数据中心级固态盘的144层QLC(四级单元)NAND,预计将于2020年推出。
2019-10-11 10:36:32
1449 今年一季度,紫光旗下的长江存储(YMTC)开始投产 64 层堆栈 3D 闪存,容量 256Gb,TLC 芯片,初期的月产能仅有 5000 片。
2019-10-25 16:53:33
1140 3D NAND的出现也是因为2D NAND无法满足人们的需求。NAND闪存不仅有SLC、MLC和TLC几种类型之分,为了提高其容量、降低成本,NAND的制造工艺也在不断进步,厚度开始不断降低,但
2019-11-14 15:52:18
1166 SK海力士日前宣布推出新一代企业级SSD固态硬盘,不过并没有公布新品SSD的名称,有限的信息为支持NVMe协议,采用72层堆栈的3D TLC闪存,M.2版容量最大容量4 TB,U.2版最大容量可达8 TB。
2019-12-09 11:43:57
2304 据证券时报消息,长江存储CEO杨士宁在接受采访时谈及了该公司最先进的128层3D NAND技术的研发进度。杨士宁表示,128层3D NAND技术研发进度短期确实会有所波及。但目前长江存储已实现全员复工,从中长期来看,这次疫情并不会影响总体进度。128层技术会按计划在2020年推出。
2020-04-08 15:09:15
2895 今日(4月13日),长江存储重磅宣布,其128层QLC 3D闪存(X2-6070)研制成功,并已在多家主控商场SSD等终端产品上通过验证。
2020-04-13 09:23:09
1347 2020年4月13日,长江存储科技有限责任公司(以下简称“长江存储”)宣布其128层QLC 3D NAND 闪存(型号:X2-6070)研发成功,并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。
2020-04-13 14:41:52
3480 长江储存在官网宣布其128层QLC 3D NAND闪存芯片产品研发成功,型号为X2-6070,并且目前该芯片已经在多家控制器厂商的SSD等终端储存产品上通过验证。
2020-04-19 10:14:06
3603 长江存储科技有限责任公司(以下简称“长江存储”)在官网宣布其128层QLC 3D NAND闪存芯片 X2-6070研发成功,已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。
2020-05-04 10:39:00
3612 闪存控制芯片及储存解决方案整合服务领导厂商 群联电子 (PHISON; TPEx:8299) 与长江存储自2016年开始接洽合作,从最早期的32层 3D NAND导入验证群联eMMC控制芯片PS8226,至近期的64层3D NAND,群联全系列的NAND控制芯片均有支持且已进入量产阶段。
2020-05-07 14:48:09
1627 ,已成为闪存市场的主要供应厂商之一,并在今年成功推出128层QLC 3D NAND闪存芯片,是目前行业内首款单颗Die容量1.33Tb的NAND 闪存。慧荣科技身为SSD主控芯
2020-09-11 11:12:16
2690 IT之家11月12日消息 今日,美光科技宣布已批量出货全球首款 176 层 3D NAND 闪存,刷新行业纪录,实现闪存产品密度和性能上的提升。 IT之家了解到,这款 176 层 NAND 产品采用
2020-11-12 13:04:57
2623 存储器厂商美光宣布,其第五代3D NAND闪存技术达到创纪录的176层堆叠。预计通过美光全新推出的176层3D NAND闪存技术以及架构,可以大幅度提升数据中心、智能边缘计算以及智能手机存储
2020-11-12 16:02:55
3696 NAND 非易失性闪存存储器作为存储行业的突破性革新已有多年发展历史,随着 2D NAND 容量达到极限,以及晶体管越来越小,NAND 的编程时间变长,擦写次数变少,能够将内存颗粒堆叠起来的 3D
2020-11-20 16:07:13
3095 发展至今,NAND Flash已呈现白热化阶段。就在前不久,存储厂商们还在128层“闪存高台上观景”,2019年6月SK海力士发布128层TLC 3D NAND;美光于2019年10月流片出样128
2020-12-09 14:55:37
4583 ,英特尔还对 670p 的 SLC 缓存调度进行了优化。 去年 11 月,英特尔正式推出了 665p SSD,设计改动很小,最主要的是从英特尔的 64 层 3D QLC NAND 转换
2020-12-17 09:30:22
3066 新一代3D NAND技术已迎来新的战局,继美光和SK海力士在2020年底陆续推出新一代176层3D NAND之后,铠侠和西部数据也正式宣布推出162层3D NAND技术,三星也称将在2021年推出第七代V-NAND,再加上英特尔大力推广144层3D NAND,硝烟已四起。
2021-02-24 11:22:07
2770 内存和存储解决方案领先供应商Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司,纳斯达克代码:MU)宣布已批量出货全球首款 176层QLC(四层单元)NAND固态硬盘(SSD)。美
2022-01-27 19:04:24
2707 美光科技公司宣布,它已开始批量出货全球首款176层QLC NAND SSD。美光的 176 层 QLC NAND 采用最先进的 NAND 架构构建,可为各种数据丰富的应用提供业界领先的存储密度和优化的性能。
2022-03-29 17:23:18
2372 长江存储一直是我国优秀的存储芯片企业,从成立之初就保持着高速稳定的发展状态,用短短3年的时间,接连推出了32层NAND闪存,以及64层堆栈3D NAND闪存,成功进入了华为Mate40手机的供应链。
2022-06-17 10:56:21
8286 美光已经在完成 232 层 NAND 的订单,而且不甘示弱,SK 海力士宣布将于明年上半年开始量产 238 层 512Gb 三层单元 (TLC) 4D NAND。或许更重要的是,芯片制造商私下表示,他们将利用行业学习为目前正在开发的 3D-IC 堆叠 NAND。
2022-08-29 16:59:20
888 美光发布的官方新闻稿,该企业宣布其已经正式出货了全球首款使用超过200层NAND芯片的消费级固态硬盘美光2550 SSD,该SSD采用232层NAND技术,采用PCIe 4.0标准。
2022-12-08 16:19:19
1261 全行业正在努力将 3D 引入 DRAM。采用 3D X-DRAM 仅涉及利用当前成熟的 3D NAND 工艺,这与学术论文提出和内存行业研究的许多将 DRAM 迁移到 3D 的替代方案不同。
2023-05-30 11:13:46
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3D设计引入了多晶硅和二氧化硅的交替层,并将浮栅交换为电荷陷阱闪存 (CTF),区别在于FG将存储器存储在导电层中,而CTF将电荷“捕获”在电介质层中。这种3D设计方式不仅带来了技术性能的提升,而且还进一步控制了成本。
2023-07-04 15:42:00
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三星已经确定了新一代3D NAND闪存的开发计划,预计在2024年推出第九代3D NAND,其层数可达到280层
2023-07-04 17:03:29
3142 最近,三星集团援引业界有关负责人的话表示,计划到2024年批量生产300段以上的第9代3d nand。预计将采用将nand存储器制作成两个独立的程序之后,将其一起组装的dual stack技术。三星将于2020年从第7代176段3d nand开始首次使用双线程技术。
2023-08-18 11:09:05
2015 三星将在IEEE国际固态电路研讨会上展示其GDDR7产品以及280层堆叠的3D QLC NAND技术。
2024-02-01 10:35:31
1299 美光科技近期宣布,其创新的232层QLC NAND芯片已成功实现量产并已开始出货。这一里程碑式的成就标志着美光在NAND技术领域再次取得了显著进步,巩固了其在全球存储解决方案市场的领导地位。
2024-04-29 10:36:34
1553 在CITE 2020上,紫光集团带来了大量产品,其中包括长江存储的128层QLC三维闪存和新华三半导体高端路由器芯片EasyCore等。作为业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存,长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。
2020-08-15 09:32:14
4822 电子发烧友网报道(文/黄山明)近日,铠侠再次宣布,将在2027年实现3D NAND的1000层堆叠,而此前铠侠计划是在2031年批量生产超1000层的3D NAND存储器。三星也在此前表示,将在
2024-06-29 00:03:00
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