9月2日，长江存储正式对外宣布，其基于Xtacking®架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存（每颗裸芯片的存储容量为256千兆字位，每个存储单元为三个字位的三维闪存）正式量产，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
2019-09-02 14:31:15
1919 SK海力士本周宣布，他们已经开始基于其128层3D NAND闪存采样产品，该产品不久将开始出现在最终用户设备中。一年前，他们推出了96层第5代3D NAND，但低价促使他们削减了产量，而第4代72
2019-11-25 17:21:556385 4D NAND，基于先进的制程工艺，将无形的给其他SSD品牌厂竞争压力。 SK海力士发言人表示：SK海力士的新SSD是为寻求运行多媒体和要求苛刻的PC游戏等终端应用客户提供高性能首选解决方案。在CES
2019-12-30 15:57:394178 包括三星电子（Samsung Electronics）、美光（Micron）与东芝（Toshiba）为量产3D NAND Flash，纷投资建厂或以既有生产线进行转换，SK海力士（SK Hynix
2015-10-09 09:40:15980 目前，我们还无法断定3D NAND是否较平面NAND更具有製造成本的优势，但三星与美光显然都决定把赌注押在3D NAND产品上。如今的问题在于，海力士（SK Hynix）与东芝（Toshiba）两大市场竞争对手能否也拿出同样具备竞争优势的产品？
2016-09-12 13:40:252173 传三星电子平泽厂（Pyeongtaek）将提前投产，SK海力士（SK Hynix）、东芝（Toshiba）、美光（Micron）产能也将于明年下半全面开出，届时3D NAND可能会从供不应求、呈现供给过剩的状况。
2016-10-10 14:08:472158 
据海外媒体报道，存储器价格超夯，今年至今韩厂SK 海力士 （SK Hynix ）已经飙升35%，部分外资相当乐观，预言还有20%上行空间。三星将增产？
2016-10-15 22:21:291002 目前NAND闪存需求依然居高不下，厂商也有动力扩大产能了，SK Hynix公司日前宣布本月底将量产48层堆栈的3D NAND闪存，这是三星之后第二家量产48层堆栈3D闪存的公司。
2016-11-09 11:35:161088 SK 海力士最先进 72 层 3D NAND 内存传明年开始量产，韩联社 26 日引述知情人事消息报导指出，海力士计划于 2017 上半年完成芯片设计，位在利川（Icheon）的 M14 厂将可在下半年开始生产。
2016-12-27 09:06:351594 受益于智能手机搭载的NAND Flash存储容量持续提升，以及PC、服务器、资料中心积极导入固态硬盘（SSD），NAND Flash需求正快速成长，各家存储器厂亦由2D NAND Flash加速转进
2017-02-07 17:34:129182 
苹果供应商海力士（SK Hynix）今天发布了72层，256Gb 3D NAND 闪存芯片。这种芯片比 48层技术多1.5倍，单个 256Gb NAND 闪存芯片可以提供 32GB 闪存，这种芯片比 48 层 3D NAND 芯片的内部运行速度快两倍，读写性能快 20%。
2017-04-11 07:49:042003 在三星、东芝存储器（TMC）、西部数据、美光、SK海力士等3D技术快速发展的推动下，不仅NANDFlash快速由2DNAND向3DNAND普及，2019下半年原厂将加快从64层3DNAND向96层
2019-07-05 09:11:117106 SK海力士发布了全球首款基于128层NAND闪存的消费级SSD——SK海力士Gold P31，提供500GB和1TB两种存储容量，产品已上架亚马逊。
2020-08-19 13:59:423984 根据南韩媒体 《Business Korea》 报道，南韩存储器大厂 SK 海力士旗下为积极争取未来中国境内的晶圆代工需求，在近期 SK 海力士收购英特尔的 NAND Flash 快闪存储器业务之后
2020-11-11 10:12:403651 2018年上半进入96层的技术规格，2018年中将3D的比重提高到85%以上。为了让每单位的记忆容量提高，美日韩存储器大厂都卯尽全力，在96层的堆栈技术上寻求突破。三星指出，第五代的96层V NAND量产
2018-12-24 14:28:00
循环设计的电荷陷阱单元相比，铠侠首创的这种半圆形 3D 浮栅单元结构，具有更大的编程 / 擦除窗口和斜率，且单元尺寸做到了更小。而SK海力士方面，则在去年6月宣布了其关于4D NAND的进展。据相关
2020-03-19 14:04:57
东芝半导体拟释出存储器业务股份，吸引各界觊觎。先前传鸿海已经投标，最新消息指出全球第二大存储器厂SK海力士也想抢下这块肥肉，提升NAND Flash竞争力。DRAMeXchange数据显示，SK
2017-02-08 02:01:10365 据报道，苹果供应商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三级单元阵列的 72 层，256Gb 的 3D NAND 闪存芯片。通过堆叠，这比以前的 48 层技术多出 1.5 倍的单元，单个
2017-04-12 01:07:111359 SK海力士预计第四季度D-RAM和NAND闪存需求不断增长。公司计划第四季度批量生产10纳米级D-RAM和72层NAND闪存，明年业绩仍将向好。
2017-10-27 09:15:15754 2018年是3D NAND产能快速增长的一年，主要是因为Flash原厂三星、东芝、SK海力士、美光等快速提高64层3D NAND生产比重，而且相较于2D NAND技术，64层256Gb和512Gb在市场上的广泛应用，使得高容量的NAND Flash相关产品价格持续下滑
2018-07-16 09:48:00918 存储器业经历大多头的牛市之后，是否即将回档，各方争辩不休。韩厂SK海力士加快脚步增产高频宽存储器（HBM），期盼能以技术拉开和对手的差距，维持高毛利。
2018-07-11 09:44:001125 紫光集团旗下长江存储发展储存型快闪存储器（NAND Flash）报捷，已自主开发完成最先进的64层3D NAND芯片专利，预计明年完成生产线建置、2020年量产，震撼业界。
2018-08-13 09:45:002770 首先是3D NAND的技术路线选择，SK海力士称，CTF（Charge Trap Flash，电荷捕获型）比Floating Gate（浮栅型）存储单元面积更小、速度更快、更耐用（P／E次数多）
2018-08-12 10:55:154453 在SK Hynix的72层(72L) TLC NAND闪存中，所谓的P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scalable)单元，是利用管线式(pipe)闸极链接每一个NAND
2018-08-29 11:10:0010509 
SK海力士在清州建设M15工厂的建成仪式将于9月17日在清州举行。SK海力士计划通过从明年初开始增产96层3D NAND闪存的策略，来巩固其市场主导地位。
2018-09-07 16:59:043820 SK海力士完成M15工厂有两大意义。首先，NAND Flash快闪存储器因为工业4.0应用而快速成长，而新工厂将帮助SK海力士更积极因应全球对3D NAND Flash快闪存储器的需求。
2018-10-12 16:17:005500 SK海力士宣布将在忠清北道清州市新建一个存储器晶圆厂，满足NAND Flash市场增加的需求。新工厂将坐落在清州科技园。SK海力士下个月开始设计外部的建设，2017年8月到2019年6月期间完成洁净室的装备，总投资达2.2兆韩元（18.4亿美金）。
2018-12-03 08:52:561817 推出64层/72层3D NAND，预计从下半年开始将陆续进入量产阶段，届时3D NAND产能将大幅增加。
2018-12-10 10:00:571562 ，投资额高达15万亿韩元，主要生产3D NAND闪存，初期将生产现在的72层堆栈3D NAND，不过明年初就会转向96层堆栈的3D NAND闪存。
2018-12-22 11:09:234552 SK海力士今年第一季财报和当初预期相同，受存储器行情影响，营收和营益骤减，对此SK海力士准备以强化技术、调整生产线应对市场，预计今年NAND晶圆投入量将比去年减少10％以上。
2019-04-25 19:23:191116 长江存储在 2018 年成功研发32层3D NAND芯片后，进一步规划在2019年8月开始生产新一代的64层 3D NAND芯片，等于宣告加入全球NAND Flash战局，对比今年三星、SK海力士（SK Hynix ）进入90层3D NAND芯片生产，长江存储追赶世界大厂的步伐又大幅迈进一步。
2019-05-17 14:13:281753 SK海力士宣布，已经全球第一家研发成功，并批量生产128层堆叠的4D NAND闪存芯片，此时距离去年量产96层4D闪存只过去了八个月。
2019-06-27 15:23:283819 SK海力士宣布，该公司已经在全世界率先成功研发出128层4D Nand闪存芯片，将从今年下半年(7月~12月)开始投入量产。
2019-06-28 14:35:206119 SK海力士近日正式宣布，已成功开发并开始量产世界上第一款128层1Tb TLC 4D NAND闪存芯片。而就在8个月前，该公司宣布了96层4D NAND芯片。
2019-07-01 17:11:153551 近日，据报道，传海力士正在跟Intel谈判，海力士想收购整个Intel大连工厂和3D NAND业务。
2019-07-12 11:32:523449 传海力士正在跟Intel谈判，欲收购整个Intel大连工厂和3D NAND业务。
2019-07-12 14:28:145180 SK海力士宣布已向主要SSD（固态硬盘）控制器公司提供新的1Tb QLC NAND样品，并开发了自己的QLC软件算法和控制器，计划扩大基于96层1Tb QLC 4D NAND的组合产品。
2019-07-25 15:08:544098 由于 3D NAND 存储器市场出现了供过于求的现象，制造商们不得不减产以稳定价格。
2019-07-30 14:29:393096 7月11日，业内传出消息称，SK海力士计划收购Intel位于中国大连的Fab 68存储工厂及3D NAND业务。对此传闻，英特尔向芯智讯进行了回应。
2019-08-06 15:16:014740 海力士则是宣布成功开发出128 层堆叠的4D NAND Flash，并已经进入量产阶段。不过，虽然两家厂商竞相推出NAND Flash 的新产品，但是堆叠技术的发展至今仍未到达极限。所以，SK
2019-08-15 09:05:123089 长江存储科技（YMTC）本周早些时候表示，已经开始批量生产采用专有Xtacking架构的64层3D NAND存储器。
2019-09-09 10:22:162374 虽然封装不易，但 HBM 存储器依旧会被 AMD 或者是 NVIDIA 导入。SK海力士宣布推出 HBM2E 标准存储器，而这也是接续 Samsung 之后的第二家。
2019-09-09 16:02:491322 紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布，开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-19 11:10:091144 紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布，开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-23 17:05:241455 SK海力士日前宣布推出新一代企业级SSD固态硬盘，不过并没有公布新品SSD的名称，有限的信息为支持NVMe协议，采用72层堆栈的3D TLC闪存，M．2版容量最大容量4 TB，U．2版最大容量可达8 TB。
2019-12-09 11:43:572304 在最近举办的CES 2020展会上，SK海力士展出了两款新的高端SSD，分别是Gold P31、Platinum P31，最大特点采用了SK海力士自家的4D TLC NAND闪存。
2020-01-13 11:45:553581 据韩国先驱报报道，SK 海力士周一表示，该公司去年的非存储器半导体销售额增长了1.5倍，而内存产品的销售额则同比下降33%。
2020-03-31 15:16:523157 美光在二季度财报电话会议上透露，该公司即将开始基于全新 RG 架构的第四代 3D NAND 存储器的量产工作。按照计划，美光将于 2020 Q3 采集开始生产，并于 Q4 像商业客户发货。作为这家硬件制造商的一次重大技术转型，第四代 3D NAND 存储器的层数达到了 128 层。
2020-04-02 11:26:522011 韩国存储器大厂SK海力士在2020年的CES上曾经展出过64GB的DDR5-4800存储器，其频宽和容量均比现在的DDR4高出不少，因此备受业界的期待。如今，SK海力士正式宣布，将在年底前量产并提
2020-04-07 14:34:271210 4月8日消息，近日，SK海力士宣布推出基于首款 128 层 1Tb TLC 4D NAND 闪存的企业级 SSD-- PE8111，是针对读取密集型应用设计的高容量存储解决方案。SK海力士是一家全球存储器半导体制造商，其产品组合中包括 DRAM，NAND 闪存和控制器，以及 SSD 的全套技术。
2020-04-09 14:09:194475 存储芯片大厂SK海力士宣布完成了业内首款多堆栈176层4D闪存的研发，TLC颗粒，容量达512Gb（64GB）。 据，SK海力士透露，该闪存单元架构为CTF（电荷捕获），同时集成了PUC技术
2020-12-14 15:55:321786 SK海力士作为全球半导体领头企业之一，旨在强化其NAND闪存解决方案相关竞争力，发展存储器生态系统，进而给客户、合作伙伴、公司员工和股东带来更多利益。
2020-10-20 09:53:012363 韩国存储芯片制造商SK海力士（SK Hynix）已宣布与英特尔达成NAND闪存单元协议。根据协议，SK海力士将向英特尔支付90亿美元。该协议的范围包括在中国大连的NAND SSD部门，NAND部件
2020-10-21 14:30:372788 SK海力士于今(20)日宣布将以90亿美元收购Intel的NAND内存与储存事业，以及位于大连专门制造3D NAND Flash的Fab68厂房。这是韩国公司有史以来最大规模的海外收购交易，超过三星
2020-10-21 17:26:322248 据国外媒体报道，SK海力士宣布出资600亿收购英特尔NAND闪存及存储业务！ SK海力士已在官网宣布了他们将收购英特尔NAND闪存及存储业务的消息，SK海力士在官网上表示，两家公司已经签署了相关
2020-10-23 11:05:152717 10月20日，SK海力士和英特尔在韩国共同宣布签署收购协议，根据协议约定，SK海力士将以90亿美元收购英特尔的NAND闪存及存储业务。本次收购包括英特尔NAND SSD业务、NAND部件及晶圆业
2020-10-23 18:00:168594 近日闪存芯片行业又现巨震，英特尔将自己的NAND闪存业务以90亿美元的价格出售给了SK海力士。
2020-10-29 12:11:472793 SK海力士与英特尔将争取在2021年底前取得所需的政府机关许可。在获取相关许可后，SK海力士将通过支付第一期70亿美元对价从英特尔收购NAND SSD业务（包括NAND SSD相关知识产权和员工）以及大连工厂。
2020-11-04 15:06:002037 SK海力士与英特尔将争取在2021年底前取得所需的政府机关许可。在获取相关许可后，SK海力士将通过支付第一期70亿美元对价从英特尔收购NAND SSD业务（包括NAND SSD相关知识产权和员工）以及大连工厂。
2020-11-05 10:11:262339 SK海力士在声明中称，已签署协议收购英特尔的NAND内存和存储业务。此次收购包括英特尔的固态硬盘、Nand闪存和晶片业务，以及位于大连的工厂。但将以两次付款的形式进行，最终交易要到2025年3月份才会完成。
2020-11-11 14:53:022528 存储器厂商美光宣布，其第五代3D NAND闪存技术达到创纪录的176层堆叠。预计通过美光全新推出的176层3D NAND闪存技术以及架构，可以大幅度提升数据中心、智能边缘计算以及智能手机存储
2020-11-12 16:02:553696 根据外媒 TechPowerUp 的消息，SK 海力士公司发布了 176 层 512 Gb 三层 TLC 4D NAND 闪存。 SK 海力士表示新的 176 层 NAND 闪存采用加速技术
2020-12-07 16:16:233708 据报道，SK hynix日前发布了其最新一代的3D NAND。据介绍，新产品具有176层电荷charge trap单元。在美光宣布他们的176L NAND开始以Crucial品牌产品发货之后，SK hynix是第二家达到这一层数的NAND制造商。
2020-12-08 14:29:122822 发展至今，NAND Flash已呈现白热化阶段。就在前不久，存储厂商们还在128层“闪存高台上观景”，2019年6月SK海力士发布128层TLC 3D NAND；美光于2019年10月流片出样128
2020-12-09 14:55:374583 SK海力士今天宣布，已经开始量产18GB LPDDR5移动版内存，存储密度、容量都是世界第一。
2021-03-08 14:41:543203 近日，SK海力士宣布将在中国大连新建闪存工厂，该工厂属于SK海力士的非易失性存储器制造项目的一部分，将被用于生产非易失性存储器3D NAND芯片。 SK海力士在2020年宣布了收购Intel闪存业务
2022-05-19 14:32:534080 SK海力士在美国圣克拉拉举行的2022闪存峰会（Flash Memory Summit 2022）上首次亮相了238层NAND闪存新产品。
2022-08-04 15:53:4915867 美光已经在完成 232 层 NAND 的订单，而且不甘示弱，SK 海力士宣布将于明年上半年开始量产 238 层 512Gb 三层单元 (TLC) 4D NAND。或许更重要的是，芯片制造商私下表示，他们将利用行业学习为目前正在开发的 3D-IC 堆叠 NAND。
2022-08-29 16:59:20888 SK海力士将在清州市新建NAND M17产线，以提高NAND产品产能。SK海力士原计划在明年年初开始建设，最快2025年建成。
2022-09-08 10:48:30555 据知名半导体和微电子情报提供商TechInsights报道，长江存储的232层3D NAND闪存X3-9070已经实现量产，领先于三星、美光、SK海力士等厂商，这也是__中国品牌在半导体领域首次领先于国际竞争者。__
2022-12-05 17:07:381876 sk海力士表示：“以238段nand闪存为基础，开发了智能手机和pc用客户端ssd （client ssd）解决方案产品，并于5月开始批量生产。该公司通过176层、238层的产品，在成本、性能、品质等方面确保了世界最高的竞争力。
2023-06-08 10:31:532449 SK海力士宣布将首次展示全球首款321层NAND闪存，成为业界首家开发出300层以上NAND闪存的公司。他们展示了321层1Tb TLC 4D NAND闪存的样品，并介绍了开发进展情况。
2023-08-10 16:01:471992 三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈，三星电子计划在2023年正式生产第9代V-NAND闪存，三星第9代V-NAND闪存
2023-08-21 18:30:53888 SK海力士明年计划的设施投资为10万亿韩元（76.2亿美元），超出了市场预期。证券界最初预测“SK海力士明年的投资额将与今年类似，约为6万亿至7万亿韩元”。鉴于经济挑战，观察人士预计严格的管理措施将延续到明年。由于存储半导体价格大幅下跌，SK海力士预计今年赤字将超过8万亿韩元。
2023-11-22 17:28:051540 去年，铠侠与西数的合并谈判因韩企 SK 海力士阻挠而被搁置，其顾虑在于合并后的企业体量过大。为打破僵局争取 SK 海力士的支持，铠侠提出借助其实施的日本产 3D NAND 晶圆厂，提供额外产能供 SK 海力士扩大 3D NAND 存储器产能。
2024-02-18 16:06:59980 在全球存储半导体市场的激烈竞争中，SK海力士已正式结束了第五代高带宽存储器器（HBM3E）的开发工作，并成功通过了Nvidia长达半年的性能评估。这一里程碑的达成标志着SK海力士即将在今年3月开始量产这款革命性的存储器产品，并计划在下个月内向其重要合作伙伴Nvidia供应首批产品。
2024-02-21 11:14:081739 长达半年的严格性能评估。据此，SK海力士计划在今年3月开始量产这款高频宽记忆体，以供应给英伟达作为他们下一代Blackwell系列AI芯片旗舰产品B100的首选存储器。
2024-02-25 11:22:211656 SK海力士正积极应对AI开发中关键组件HBM（高带宽存储器）日益增长的需求，为此公司正加大在先进芯片封装方面的投入。SK海力士负责封装开发的李康旭副社长明确指出，公司正在韩国投入超过10亿美元，以扩大和改进其芯片封装技术。
2024-03-08 10:53:441798 SK海力士作为HBM3E的首发玩家，预计这款最新产品的大批量投产及其作为业内首家供应HBM3制造商所累积的经验，将进一步强化公司在AI存储器市场的领导者地位。
2024-03-19 15:18:211675 HBM3E的推出，标志着SK海力士在高性能存储器领域取得了重大突破，将现有DRAM技术推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:531844 来源：集成电路前沿，谢谢 编辑：感知芯视界 Link 3月25日消息，据报道，由于SK海力士部分工程出现问题，英伟达所需的12层HBM3E内存，将由三星独家供货，SK海力士出局！ 据了解，HBM需要
2024-03-27 09:12:081225 SK海力士公司近日在首尔举办的IEEE 2024国际存储研讨会上，由先进HBM技术团队负责人Kim Kwi-wook宣布了一项重要进展。SK海力士计划从2026年开始，提前一年量产其第七代高带宽存储器HBM4E。这一消息表明，SK海力士在HBM技术领域的研发速度正在加快。
2024-05-15 11:32:131484 ）提交了一份关于3D DRAM（三维动态随机存取存储器）的详细研究论文。该论文不仅揭示了SK海力士在3D DRAM领域取得的显著进展，更向世界展示了其在这一未来存储技术上的坚定决心与卓越实力。
2024-06-24 15:35:291745 在全球半导体技术的激烈竞争中，SK海力士再次展示了其卓越的研发实力与创新能力。近日，在美国夏威夷举行的VLSI 2024峰会上，SK海力士宣布了其在3D DRAM技术领域的最新研究成果，其中5层堆叠的3D DRAM良品率已高达56.1%，这一突破性的进展引起了业界的广泛关注。
2024-06-27 10:50:221473 据最新消息，SK海力士正酝酿一项重要财务战略，考虑推动其NAND与SSD业务子公司Solidigm在美国进行首次公开募股（IPO）。Solidigm作为SK海力士在2021年底通过收购英特尔相应业务后成立的独立美国子公司，承载着SK海力士在存储解决方案领域的重要布局。
2024-07-30 17:35:402332 韩国半导体巨头SK海力士正加速推进NAND闪存技术的革新，据韩媒最新报道，该公司计划于2025年末全面完成400+层堆叠NAND闪存的量产准备工作，并预计于次年第二季度正式开启大规模生产。这一举措标志着SK海力士在NAND闪存领域再次迈出坚实步伐，引领行业技术前沿。
2024-08-02 16:56:111743 SK海力士即将在8月6日至8日于美国圣克拉拉举办的全球半导体存储器峰会FMS 2024上大放异彩，向全球业界展示其在存储器技术领域的最新进展与对人工智能（AI）未来的深邃洞察。此次参展，SK海力士不仅将全面呈现其存储器产品的技术革新，更将焦点对准了下一代AI存储器技术的璀璨前景。
2024-08-05 09:26:391109 今日，半导体巨头SK海力士震撼宣布了一项业界瞩目的技术里程碑，该公司已成功在全球范围内率先实现12层HBM3E芯片的规模化生产，此举不仅将HBM存储器的最大容量推升至史无前例的36GB新高度，更进一步巩固了SK海力士在AI应用存储器市场的领军地位。
2024-09-26 16:30:311985 近日在一次科技展览上，SK海力士惊艳亮相，展出了全球首款48GB 16层HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)产品。这一突破性产品不仅展示了SK海力士在高端存储技术领域
2024-11-05 15:01:201231 限的产能转向更高端的产品线，如人工智能用存储器及先进DRAM产品。 SK海力士的这一决策可能与其重点发展高端存储技术研发和生产有关。近日，该公司对外展示了全球首款48GB 16层HBM3E产品，该产品在容量和层数上均达到了业界最高水平。这一成果不仅彰显了SK海力士
2024-11-07 11:37:181276 在近日举行的SK AI峰会上，韩国存储巨头SK海力士向全球展示了其创新成果——全球首款48GB 16层HBM3E产品。这一产品的推出，标志着SK海力士在高端存储技术领域的又一次重大突破。
2024-11-13 14:35:051189 近日，SK海力士正全力加速其全球首创的16层堆叠(16Hi)HBM3E内存的量产准备工作。这一创新产品的全面生产测试已经正式启动，为明年初的样品出样乃至2025年上半年的大规模量产与供应奠定了
2024-12-26 14:46:241050 产品价格。 继美光和三星宣布减产计划后，全球第二大NAND Flash厂商SK海力士也宣布了减产决定。据悉，SK海力士计划将上半年NAND Flash存储器的产量削减10%。这一决定无疑将对市场产生深远影响。 根据机构先前发布的报告，SK海力士在NAND Flash存储器领
2025-01-20 14:43:551096 3 月 6 日消息，综合韩联社、ZDNet Korea、MK 等多家韩媒报道，SK 海力士今日在内部宣布将关闭其 CIS（CMOS 图像传感器）部门， 该团队的员工将转岗至 AI 存储器领域 。SK
2025-03-06 18:26:161080 SK海力士在巩固其面向AI的存储器领域领导地位方面，HBM1无疑发挥了决定性作用。无论是率先开发出全球首款最高性能的HBM，还是确立并保持其在面向AI的存储器市场的领先地位，这些成就的背后皆源于SK海力士秉持的“一个团队”协作精神（One Team Spirit）。
2025-06-18 15:31:021667 SK海力士致力于成为“全方位面向AI的存储器供应商（Full Stack AI Memory Provider）”，不仅在DRAM领域持续创新，在NAND闪存（NAND Flash，以下简称NAND
2025-07-10 11:37:591509 AMD、微软和亚马逊等。 HBM（高带宽存储器），是由AMD和SK海力士发起的基于3D堆栈工艺的高性能DRAM，适用于高存储器带宽需求的应用场合。如今HBM已经发展出HBM2、HBM2e以及HBM3。HBM3E是HBM3的下一代产品，SK海力士目前是唯一能量产HBM3的厂商。 HBM 成为
2023-07-06 09:06:313695 
的重要组成部分。 伴随着AI服务器、车载等领域的快速发展，对存储需求也在快速提升，促使存储技术的加速迭代。近期，许多新型存储产品相继问世，也预示着存储技术已然进入到了爆发期。 首个300层以上4D NAND被披露 近日，SK海力士
2023-08-14 09:25:003267 
2030年实现1000层堆叠的3D NAND存储器。 3D NAND似乎已经成为各大存储企业竞相追逐的“工业明珠”，包括三星、海力士、美光、铠侠、长江存储等都在这一领域投入大量资源，而比拼的就是堆叠层数。 3D NAND 为何如此重要？ 随着数字化信息的爆炸性增长，对对存储容量的需求也在
2024-06-29 00:03:008060
电子发烧友App
工商网监
评论