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电子发烧友网>制造/封装>制造新闻>传SK海力士72层3D NAND存储器明年量产

传SK海力士72层3D NAND存储器明年量产

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SK海力士扩大布局在中国的晶圆代工业务,200mm晶圆产线移至无锡

前不久,SK海力士收购了英特尔的NAND闪存业务及大连工厂,最近,据BusinessKorea报道,SK海力士正扩大布局在中国的晶圆代工业务。
2020-11-10 14:46:512214

SK海力士已签署协议收购英特尔的NAND内存和存储业务

SK海力士在声明中称,已签署协议收购英特尔的NAND内存和存储业务。此次收购包括英特尔的固态硬盘、Nand闪存和晶片业务,以及位于大连的工厂。但将以两次付款的形式进行,最终交易要到2025年3月份才会完成。
2020-11-11 14:53:021881

SK海力士发布176层TLC 4D NAND闪存

根据外媒 TechPowerUp 的消息,SK 海力士公司发布了 176 层 512 Gb 三层 TLC 4D NAND 闪存。 SK 海力士表示新的 176 层 NAND 闪存采用加速技术
2020-12-07 16:16:232416

3D NAND技术堆叠将走向何方?

发展至今,NAND Flash已呈现白热化阶段。就在前不久,存储厂商们还在128层“闪存高台上观景”,2019年6月SK海力士发布128层TLC 3D NAND;美光于2019年10月流片出样128
2020-12-09 14:55:373659

SK海力士将首次使用EUV光刻机生产芯片

存储芯片厂商SK海力士今天宣布,其公司位于韩国首尔南部利川市的M16新厂已经竣工,SK海力士将首次使用极紫外辐射(EUV)光刻机在生产存储芯片。SK海力士经过两年的时间,花费了3.5万亿韩元
2021-02-02 15:00:152112

SK海力士与ASML签合同:SK海力士豪掷4.8万亿韩元抢购EUV光刻机

随着半导体工艺进入10nm节点以下,EUV光刻机成为制高点,之前台积电抢购了全球多数的EUV光刻机,率先量产7nm、5nm工艺,现在内存厂商也要入场了,SK海力士豪掷4.8万亿韩元抢购EUV光刻机
2021-02-25 09:30:232047

SK海力士开始量产DDR5移动内存

SK海力士今天宣布,已经开始量产18GB LPDDR5移动版内存,存储密度、容量都是世界第一。
2021-03-08 14:41:542574

SK海力士成功收购英特尔NAND闪存业务

SK海力士就拟议的英特尔NAND闪存业务收购获得了美国外国投资委员会(The Committee on Foreign Investment in the United States,简称CFIUS)的许可!
2021-03-19 14:19:222077

SK海力士将在大连新建NAND闪存工厂,并继续加强在中国的投资

近日,SK海力士宣布将在中国大连新建闪存工厂,该工厂属于SK海力士的非易失性存储器制造项目的一部分,将被用于生产非易失性存储器3D NAND芯片。 SK海力士在2020年宣布了收购Intel闪存业务
2022-05-19 14:32:533107

SK海力士将投入753.81亿元建设M15X存储工厂

SK海力士将在清州市新建NAND M17产线,以提高NAND产品产能。SK海力士原计划在明年年初开始建设,最快2025年建成。
2022-09-08 10:48:30327

SK海力士季度亏损创纪录 sk海力士2022年财报难看

被压制,消费电子市场更是暴雷不断,SK 海力士的大部分利润来自于销售内存芯片。对于亏损SK海力士称第四季度亏损主要原因是电脑和智能手机的需求低迷导致存储芯片需求减少;叠加芯片价格大幅下滑导致。 内存芯片行业面临着严重供需失衡,而鉴
2023-02-01 16:52:122647

突发!SK海力士或出售大连工厂

4月26日新闻,DigiTimes援引韩国媒体报道称,SK海力士正在推迟其位于中国大连的第二个3D NAND工厂的完工。据悉,这一决议是为了应对市场需求萎缩以及美国限制向中国出口先进晶圆厂工具
2023-05-05 15:22:001644

SK海力士量产世界最高238层4D NAND闪存

sk海力士表示:“以238段nand闪存为基础,开发了智能手机和pc用客户端ssd (client ssd)解决方案产品,并于5月开始批量生产。该公司通过176层、238层的产品,在成本、性能、品质等方面确保了世界最高的竞争力。
2023-06-08 10:31:531564

SK海力士发布全球首款321层NAND

SK海力士宣布将首次展示全球首款321层NAND闪存,成为业界首家开发出300层以上NAND闪存的公司。他们展示了321层1Tb TLC 4D NAND闪存的样品,并介绍了开发进展情况。
2023-08-10 16:01:47704

三星、SK海力士存储器库存破表 牵动南亚科、华邦、群联等后市

据dram领域的调查企业trend force称,去年第四季度在dram领域,三星以45.1%的世界市场占有率居首位,sk海力士以27.7%位居第二。在nand闪存领域,三星以世界第1位占据了第4季度的世界市场占有率33.8%,sk海力士(包括solidm)以17.1%占据了第3位。
2023-08-17 09:38:58292

SK海力士开发出全球最高规格HBM3E

sk海力士表示:“以唯一批量生产hbm3的经验为基础,成功开发出了世界最高性能的扩展版hbm3e。“将以业界最大规模的hbm供应经验和量产成熟度为基础,从明年上半年开始批量生产hbm3e,巩固在针对ai的存储器市场上的独一无二的地位。”
2023-08-21 09:21:49563

三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存

三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈,三星电子计划在2023年正式生产第9代V-NAND闪存,三星第9代V-NAND闪存
2023-08-21 18:30:53281

SK海力士官宣终止与华为的合作

近期,有关韩国SK海力士为华为提供关键芯片的消息引起了广泛关注。据某拆解视频显示,华为最新款手机Mate60 Pro的存储芯片上显示着“SK海力士”标识,但未能获取到有关存储芯片核心信息的详细资料。至于麒麟9000s芯片是否采用7nm或5nm工艺目前还没有定论。
2023-09-18 16:58:031765

SK海力士资本支出大增,HBM是重点

SK海力士明年计划的设施投资为10万亿韩元(76.2亿美元),超出了市场预期。证券界最初预测“SK海力士明年的投资额将与今年类似,约为6万亿至7万亿韩元”。鉴于经济挑战,观察人士预计严格的管理措施将延续到明年。由于存储半导体价格大幅下跌,SK海力士预计今年赤字将超过8万亿韩元。
2023-11-22 17:28:05457

澜起科技荣获SK海力士“最佳供应商奖”

  近日,澜起科技荣获全球知名存储器厂商SK海力士颁发的“最佳供应商奖”。此前,澜起科技曾于2020年12月荣获SK海力士“质量管理优异奖”。   作为SK海力士多年的合作伙伴,澜起科技一直致力于
2023-12-04 09:02:37471

铠侠向SK海力士提议在日产非易失性存储器,推动合作达成

去年,铠侠与西数的合并谈判因韩企 SK 海力士阻挠而被搁置,其顾虑在于合并后的企业体量过大。为打破僵局争取 SK 海力士的支持,铠侠提出借助其实施的日本产 3D NAND 晶圆厂,提供额外产能供 SK 海力士扩大 3D NAND 存储器产能。
2024-02-18 16:06:59114

SK海力士将于3月量产HBM3E存储器

在全球存储半导体市场的激烈竞争中,SK海力士已正式结束了第五代高带宽存储器器(HBM3E)的开发工作,并成功通过了Nvidia长达半年的性能评估。这一里程碑的达成标志着SK海力士即将在今年3月开始量产这款革命性的存储器产品,并计划在下个月内向其重要合作伙伴Nvidia供应首批产品。
2024-02-21 11:14:08611

SK海力士预计3月量产HBM3E,供货英伟达

达长达半年的严格性能评估。据此,SK海力士计划在今年3月开始量产这款高频宽记忆体,以供应给英伟达作为他们下一代Blackwell系列AI芯片旗舰产品B100的首选存储器
2024-02-25 11:22:21371

SK海力士扩大对芯片投资

SK海力士正积极应对AI开发中关键组件HBM(高带宽存储器)日益增长的需求,为此公司正加大在先进芯片封装方面的投入。SK海力士负责封装开发的李康旭副社长明确指出,公司正在韩国投入超过10亿美元,以扩大和改进其芯片封装技术。
2024-03-08 10:53:44333

SK海力士HBM3E正式量产,巩固AI存储领域的领先地位

SK海力士作为HBM3E的首发玩家,预计这款最新产品的大批量投产及其作为业内首家供应HBM3制造商所累积的经验,将进一步强化公司在AI存储器市场的领导者地位。
2024-03-19 15:18:21252

SK海力士成功量产超高性能AI存储器HBM3E

HBM3E的推出,标志着SK海力士在高性能存储器领域取得了重大突破,将现有DRAM技术推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:53271

英伟达、微软、亚马逊等排队求购SK海力士HBM芯片,这些国产设备厂迎机遇

AMD、微软和亚马逊等。   HBM(高带宽存储器),是由AMD和SK海力士发起的基于3D堆栈工艺的高性能DRAM,适用于高存储器带宽需求的应用场合。如今HBM已经发展出HBM2、HBM2e以及HBM3。HBM3E是HBM3的下一代产品,SK海力士目前是唯一能量产HBM3的厂商。   HBM 成为
2023-07-06 09:06:312126

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