三星将于2024年量产超300层3D NAND芯片

据《电子时报》报道，三星电子为了巩固在nand闪存市场上的领先地位，再次适用双线程技术，制造出300段以上的3d nand，试图在成本竞争上甩开竞争公司。

最近，三星集团援引业界有关负责人的话表示，计划到2024年批量生产300段以上的第9代3d nand。预计将采用将nand存储器制作成两个独立的程序之后，将其一起组装的dual stack技术。三星将于2020年从第7代176段3d nand开始首次使用双线程技术。

最近，sk海力士公布了到2025年批量生产321段3d nand的计划。对此，不仅是三星，就连业界专家也表示惊讶。sk海力士与三星的不同之处是使用了“三重stack”技术，即，将3个三维nand独立层堆砌成120段、110段、91段后，再制造成一个芯片。

去年10月举行的“三星techno day 2022”上公布了到2030年建设1000层的蓝图。当时业界专家预测说，三星在第9代3d nand之后的第10代430段产品上也将适用三重线程技术。

国内nand业界有关负责人一致表示：“如果不使用三重nand，要想积累400段以上3d nand是一个课题。”但是，triple stack技术和double stack技术在费用和效率方面存在相当大的差异。当然，如果使用双开关型工程，在原材料和生产费用方面都有优势。

据悉，三星在内部制定了在第10代3d nand上适用三重slagle工程的技术发展蓝图。另外，为加强成本竞争力，正在与东京电子（tel）等半导体设备企业进行密切合作。

业界相关人士表示：“由于存储器事业的严重停滞，危机感增大的三星最近的三维nand配置战略，可以看作是2024年存储器市场恢复的关键阶段。”