减少资本支出。该公司计划在服务器、NAND闪存及DRAM需求和价格下降的情况下灵活应对市场状况。 DRAM价格下降11%，NAND价格下降21% 随着2018下半年内存需求放缓，供应短缺得到解决，内存市场环境迅速变化。因此，SK海力士第四季度合并收入环比下降13％至9.94万
2019-01-27 00:35:00
9508 SK海力士本周宣布，他们已经开始基于其128层3D NAND闪存采样产品，该产品不久将开始出现在最终用户设备中。一年前，他们推出了96层第5代3D NAND，但低价促使他们削减了产量，而第4代72L
2019-11-25 17:21:556386 据韩媒报道，SK海力士将在2020年进行一系列的人事调动和业务重组，其中会将DRAM和NAND Flash两大开发部门整合在一起，实现从开发、制造，以及业务的后期处理等统一的管理。 Jin
2019-12-07 00:53:004758 最新消息，SK海力士将在2020年消费电子展（CES）上推出两款消费类PCIe NVMe SSD Gold P31和 Platinum P31。值得注意的是，新款SSD将首次搭载SK海力士128层
2019-12-30 15:57:394178 SK海力士10月6日宣布推出全球首款DDR5 DRAM，频率、容量、能效和功能技术都达到了全新的高度。
2020-10-08 00:54:408383 SK 海力士最先进 72 层 3D NAND 内存传明年开始量产，韩联社 26 日引述知情人事消息报导指出，海力士计划于 2017 上半年完成芯片设计，位在利川（Icheon）的 M14 厂将可在下半年开始生产。
2016-12-27 09:06:351594
SK集团（SK Group）日前发布定期人事异动公告，SK海力士（SK Hynix）有多位高层获得升迁，社长朴星昱甚至晋升为副会长，显示SK海力士在集团内的地位大幅上升。业界普遍认为，这次人事
2016-12-30 09:10:391434 苹果供应商海力士（SK Hynix）今天发布了72层，256Gb 3D NAND 闪存芯片。这种芯片比 48层技术多1.5倍，单个 256Gb NAND 闪存芯片可以提供 32GB 闪存，这种芯片比 48 层 3D NAND 芯片的内部运行速度快两倍，读写性能快 20%。
2017-04-11 07:49:042003 SK海力士宣布推出了全球首款4D闪存。从现场给出的技术演示来看，4D闪存和此前长江存储的Xtacking十分相似，只不过外围电路（PUC，Peri.Circuits）在存储单元下方，好处有三点，一是芯片面积更小、二是处理工时缩短、三是成本降低。
2018-08-09 10:46:174284 SK海力士今天正式发布了最新款的企业级SSDPE8000系列，包括PE8010、PE8030、PE8111三款型号，这也是其首款PCIe4.0SSD，无论存储密度、容量还是性能都是世界一流的，甚至
2020-04-08 10:11:536532 SK海力士发布了全球首款基于128层NAND闪存的消费级SSD——SK海力士Gold P31，提供500GB和1TB两种存储容量，产品已上架亚马逊。
2020-08-19 13:59:423984 英特尔同意以大约90亿美元将其Nand存储业务出售给韩国的SK海力士，以专注于其主要业务。
2020-10-20 10:16:423366 根据南韩媒体 《Business Korea》 报道，南韩存储器大厂 SK 海力士旗下为积极争取未来中国境内的晶圆代工需求，在近期 SK 海力士收购英特尔的 NAND Flash 快闪存储器业务之后
2020-11-11 10:12:403651 5月30日消息，据国外媒体报道，在获得美国和欧盟的批准之后，SK海力士90亿美元收购英特尔NAND闪存业务的交易，也已获得了韩国监管机构的批准。 从韩国媒体的报道来看，韩国公平贸易委员会较快批准
2021-05-31 10:00:074381 SK海力士（或“公司”，www.skhynix.com） 宣布业界首次成功开发现有最佳规格的HBM3 DRAM。
2021-10-20 10:07:472155 
电子发烧友网综合报道，SK海力士宣布公司成功开发出搭载全球最高321层1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND闪存的移动端解决方案产品UFS 4.1
2025-05-23 01:04:008534 电子发烧友网综合报道，SK海力士宣布，已正式向客户供应其全球率先实现量产的移动端NAND闪存解决方案产品ZUFS 4.1。 SK海力士通过与客户的密切合作，于今年6月成功完成了该产品的客户验证
2025-09-19 09:00:003509 大家好！小金子为各位介绍一款JSC品牌1Gbit NAND FLASH。这款JSHU271G08SCN-25型号的规格书与SK海力士和Spansion进行了对比，惊讶的发现竟然完全一样。唯一
2018-01-10 09:55:21
SK 海力士最先进72 层3D NAND 记忆体传明年开始量产，韩联社26 日引述知情人事消息报导指出，海力士计划于2017 上半年完成芯片设计，位在利川（Icheon）的M14 厂将可在下半年开始生产。
2016-12-27 14:15:111317 
SK 海力士周一发布全球最高密度、低耗能移动 DRAM，将应用于未来智能手机上。 海力士运用双通道 16 Gigabit 双通道芯片打造出低耗电 DDR4X 移动 DRAM，容量达 8GB。以 LPDDR4X 标准而言，SK 海力士新内存芯片密度是全球最高，功效则较现有 LPDDR4 提高两成。
2017-01-10 11:55:12941 SK海力士预计第四季度D-RAM和NAND闪存需求不断增长。公司计划第四季度批量生产10纳米级D-RAM和72层NAND闪存，明年业绩仍将向好。
2017-10-27 09:15:15754 比，存储芯片巨头SK海力士和美光科技在2017年的排名将会大幅提升。受益于DRMA内存芯片和NAND闪存芯片市场需求大幅提升的推动，上述两家公司的排名均将上升两位。”
2017-12-20 15:40:481711 今年的闪存技术峰会，美光、SK海力士包括长江存储都宣布了新一代的立体堆叠闪存方案，SK海力士称之为“4D NAND”，长江存储称之为Xtacking，美光则称之为“CuA”。CuA是CMOS under Array的缩写
2018-08-12 09:19:287883 首先是3D NAND的技术路线选择，SK海力士称，CTF（Charge Trap Flash，电荷捕获型）比Floating Gate（浮栅型）存储单元面积更小、速度更快、更耐用（P／E次数多）
2018-08-12 10:55:154453 SK海力士在清州建设M15工厂的建成仪式将于9月17日在清州举行。SK海力士计划通过从明年初开始增产96层3D NAND闪存的策略，来巩固其市场主导地位。
2018-09-07 16:59:043820 SK海力士完成M15工厂有两大意义。首先，NAND Flash快闪存储器因为工业4.0应用而快速成长，而新工厂将帮助SK海力士更积极因应全球对3D NAND Flash快闪存储器的需求。
2018-10-12 16:17:005500 SK海力士能否凭借新产品在竞争力相对弱势的NAND闪存市场站稳脚跟并争取NAND闪存市场的主导权，倍加受人关注。SK海力士在全球D-RAM市场仅次于三星电子排名第二，但在NAND闪存市场却以大约10
2018-11-09 15:49:515400 SK海力士今年第一季财报和当初预期相同，受存储器行情影响，营收和营益骤减，对此SK海力士准备以强化技术、调整生产线应对市场，预计今年NAND晶圆投入量将比去年减少10％以上。
2019-04-25 19:23:191116 SK海力士宣布，已经全球第一家研发成功，并批量生产128层堆叠的4D NAND闪存芯片，此时距离去年量产96层4D闪存只过去了八个月。
2019-06-27 15:23:283820 SK海力士宣布，该公司已经在全世界率先成功研发出128层4D Nand闪存芯片，将从今年下半年(7月~12月)开始投入量产。
2019-06-28 14:35:206119 SK海力士近日正式宣布，已成功开发并开始量产世界上第一款128层1Tb TLC 4D NAND闪存芯片。而就在8个月前，该公司宣布了96层4D NAND芯片。
2019-07-01 17:11:153551 SK海力士宣布已向主要SSD（固态硬盘）控制器公司提供新的1Tb QLC NAND样品，并开发了自己的QLC软件算法和控制器，计划扩大基于96层1Tb QLC 4D NAND的组合产品。
2019-07-25 15:08:544098 .据日经新闻报道，韩国内存大厂SK海力士今日表明，为了应对日本对韩国部分关键半导体材料的出口管制，该公司在2019年NAND型闪存产量将比2018年时减产15％。
2019-07-26 15:39:413080 目前，两大韩系NAND Flash 厂商──三星及SK 海力士在之前就已经公布了新NAND Flash 产品的发展规划。其中，三星宣布推出136 层堆叠的第6 代V-NAND Flash 之外，SK
2019-08-15 09:05:123089 2019年智能手机的闪存容量进一步提升，中高端手机基本上是128GB起步，高端会上512GB，个别产品顶配直接上1TB容量了。按照这个趋势下去，明年1TB容量的手机会更多，因为SK海力士现在已经开始出货1TB UFS 3.1闪存给手机厂商，堆栈层数达到了128层。
2019-11-21 08:53:08776 SK海力士作为闪存巨头，在今年8月份重新返回了消费级SSD市场，不过首款产品Gold S31比较平淡，很常规的2.5英寸SATA产品，最大容量1TB。
2019-12-30 08:52:553280 根据消息报道，韩国全球半导体制造商SK海力士将在2020年国际消费电子展（CES）上推出最新的“Gold P31”和“Platinum P31”PCIe NVMe固态硬盘，采用SK海力士的128层4D NAND闪存。
2019-12-30 15:27:124487 12 月 30 日讯，SK 海力士作为闪存巨头，在今年 8 月份重新返回了消费级 SSD 市场，SK 海力士此次准备了两款新的 SSD，一个是 Gold P31，另一个则是 Platinum P31，都采用 PCIe 形态，并支持 NVMe。
2019-12-31 14:03:081045 根据消息报道，SK 海力士在CES 2020上发布了发布了两款M.2 PCI NVMe固态硬盘，分别名为Gold P31和Platinum P31，都采用了128层4D NAND闪存模块，主控也是SK 海力士自己的。
2020-01-08 15:04:223656 在最近举办的CES 2020展会上，SK海力士展出了两款新的高端SSD，分别是Gold P31、Platinum P31，最大特点采用了SK海力士自家的4D TLC NAND闪存。
2020-01-13 11:45:553583 PE8010、PE8030都配备了SK海力士自产的96层堆叠4D TLC NAND闪存颗粒，搭配自研主控，最大容量8TB，兼容U.2、U.3接口，其中PE8010面向读取密集型应用，PE8030则为读写混合应用而优化。
2020-04-08 09:06:303418 4月8日消息，近日，SK海力士宣布推出基于首款 128 层 1Tb TLC 4D NAND 闪存的企业级 SSD-- PE8111，是针对读取密集型应用设计的高容量存储解决方案。SK海力士是一家全球存储器半导体制造商，其产品组合中包括 DRAM，NAND 闪存和控制器，以及 SSD 的全套技术。
2020-04-09 14:09:194475 存储芯片大厂SK海力士宣布完成了业内首款多堆栈176层4D闪存的研发，TLC颗粒，容量达512Gb（64GB）。 据，SK海力士透露，该闪存单元架构为CTF（电荷捕获），同时集成了PUC技术
2020-12-14 15:55:321786 SK海力士作为全球半导体领头企业之一，旨在强化其NAND闪存解决方案相关竞争力，发展存储器生态系统，进而给客户、合作伙伴、公司员工和股东带来更多利益。
2020-10-20 09:53:012363 据路透社当地时间19日报道援引知情人士称，英特尔正准备将NAND芯片业务，以近100亿美元的价格，出售给SK海力士。若交易达成，将使得SK海力士超越日本Kioxia，成为NAND内存市场的全球第二大厂商，并进一步缩小与行业领头羊三星之间的差距。
2020-10-20 14:10:142309 据报道，英特尔已同意将Nand闪存业务出售给韩国公司SK海力士，价格约90亿美元。英特尔正在采取全面措施，专注于主营业务的经营。
2020-10-20 14:33:352138 2020年10月20日上午消息，存储大厂SK海力士与Intel在韩国当地时间10月20日上午共同宣布签署收购协议，根据协议约定，SK海力士将以90亿美元收购Intel的NAND闪存及存储业务。
2020-10-20 16:51:392925 
10月20日，SK海力士和英特尔已经达成协议，前者将以90亿美元收购英特尔的NAND闪存及存储业务。 本次收购包括英特尔NANDSSD业务、NAND部件及晶圆业务，以及其在中国大连的NAND闪存制造
2020-10-20 17:18:287473 一锤定音，韩国当地时间10月20日，SK海力士正式宣布将以90亿美元的价格，全盘收购老牌存储大厂英特尔NAND闪存以及存储器业务。
2020-10-21 09:13:362974 韩国存储芯片制造商SK海力士（SK Hynix）已宣布与英特尔达成NAND闪存单元协议。根据协议，SK海力士将向英特尔支付90亿美元。该协议的范围包括在中国大连的NAND SSD部门，NAND部件
2020-10-21 14:30:372788 SK海力士于今(20)日宣布将以90亿美元收购Intel的NAND内存与储存事业，以及位于大连专门制造3D NAND Flash的Fab68厂房。这是韩国公司有史以来最大规模的海外收购交易，超过三星
2020-10-21 17:26:322248 另一方面，对于SK海力士来说，此次收购英特尔NAND闪存及存储业务也有迹可循。作为全球第二大存储芯片厂家，虽然其DRAM产品市占率仅次于三星电子，但在NAND方面其市场排名却还比较靠后。
2020-10-22 11:25:576438 据国外媒体报道，SK海力士宣布出资600亿收购英特尔NAND闪存及存储业务！ SK海力士已在官网宣布了他们将收购英特尔NAND闪存及存储业务的消息，SK海力士在官网上表示，两家公司已经签署了相关
2020-10-23 11:05:152718 10月20日，SK海力士和英特尔在韩国共同宣布签署收购协议，根据协议约定，SK海力士将以90亿美元收购英特尔的NAND闪存及存储业务。本次收购包括英特尔NAND SSD业务、NAND部件及晶圆业
2020-10-23 18:00:168594 近日闪存芯片行业又现巨震，英特尔将自己的NAND闪存业务以90亿美元的价格出售给了SK海力士。
2020-10-29 12:11:472793 据英文媒体报道，上月 20 日，SK 海力士在官网宣布，他们同英特尔达成了最终协议，将斥资 90 亿美元收购英特尔的 NAND 闪存及存储业务。 但消息人士日前表示，NAND 闪存目前的市场行情并不
2020-11-03 15:08:332014 SK海力士与英特尔将争取在2021年底前取得所需的政府机关许可。在获取相关许可后，SK海力士将通过支付第一期70亿美元对价从英特尔收购NAND SSD业务（包括NAND SSD相关知识产权和员工）以及大连工厂。
2020-11-04 15:06:002037 前不久，Intel突然宣布以90亿美元（约601亿）的价格将旗下的NAND闪存业务出售给了SK海力士，业内哗然。
2020-11-05 09:37:321877 前不久，Intel突然宣布以90亿美元（约601亿）的价格将旗下的NAND闪存业务出售给了SK海力士，业内哗然。 尽管外界批评SK海力士买亏了、且目前闪存处于价格下行轨道，但后者似乎决心已定，并不
2020-11-05 09:41:541673 SK海力士与英特尔将争取在2021年底前取得所需的政府机关许可。在获取相关许可后，SK海力士将通过支付第一期70亿美元对价从英特尔收购NAND SSD业务（包括NAND SSD相关知识产权和员工）以及大连工厂。
2020-11-05 10:11:262339 据报道，第三季度财报优于市场预期的SK海力士计划在五年内将其NAND销售额增加两倍以上。SK海力士并再次强调，决心通过从英特尔手中收购NAND业务，在NAND市场占据领先地位。
2020-11-05 12:17:422079 SK海力士在声明中称，已签署协议收购英特尔的NAND内存和存储业务。此次收购包括英特尔的固态硬盘、Nand闪存和晶片业务，以及位于大连的工厂。但将以两次付款的形式进行，最终交易要到2025年3月份才会完成。
2020-11-11 14:53:022528 据悉，SK海力士将收购所有英特尔NAND闪存业务，包括固态硬盘业务、NAND闪存芯片产品和晶圆业务、英特尔位于中国大连的生产工厂，但不包含英特尔Optane存储部门。对于英特尔来说，剥离非核心业务将有助于其解决芯片技术困境。
2020-11-16 15:04:573105 继美光后，SK海力士宣布完成了业内首款多堆栈176层4D闪存的研发，容量512Gb（64GB），TLC。 SK海力士透露，闪存单元架构为CTF（电荷捕获），同时集成了PUC技术。 4D闪存是SK
2020-12-07 13:49:272200 继美光后，SK海力士宣布完成了业内首款多堆栈176层4D闪存的研发，容量512Gb（64GB），TLC。
2020-12-07 13:44:092510 根据外媒 TechPowerUp 的消息，SK 海力士公司发布了 176 层 512 Gb 三层 TLC 4D NAND 闪存。 SK 海力士表示新的 176 层 NAND 闪存采用加速技术
2020-12-07 16:16:233708 虽然已经将闪存业务出售给SK海力士，但是Intel还会继续发展存储芯片。日前的存储峰会上，Intel推出了一系列SSD硬盘，包括670P、傲腾H20等，首发了144层TLC、QLC闪存，涵盖消费级、企业级等多个市场。
2020-12-17 10:11:282736 SK海力士就拟议的英特尔NAND闪存业务收购获得了美国外国投资委员会(The Committee on Foreign Investment in the United States,简称CFIUS)的许可！
2021-03-19 14:19:222540 去年10月份，Intel宣布将旗下的NAND闪存业务以90亿美元的价格出售给SK海力士。这笔交易在3月份通过了美国审批，日前通过了欧盟的审批，中国的审批会是未来的关键之一。 上周末欧盟
2021-05-27 09:23:572342 SK海力士今日宣布，已于12月30日圆满完成了收购英特尔NAND闪存及SSD业务案的第一阶段。
2021-12-30 10:09:131073 SK海力士之前以90亿美元收购了Intel的NAND闪存及存储业务，随后于美国成立了公司Solidigm，这次的P5530硬盘是两家公司首个共同开发的新企业级硬盘。
2022-04-06 18:17:321882 近日，SK海力士宣布将在中国大连新建闪存工厂，该工厂属于SK海力士的非易失性存储器制造项目的一部分，将被用于生产非易失性存储器3D NAND芯片。 SK海力士在2020年宣布了收购Intel闪存业务
2022-05-19 14:32:534080 今年8月初，SK海力士旗下NAND闪存解决方案提供商Solidigm在闪存峰会上展示了全球首款正在研发的PLC（五层单元）SSD。与QLC（四层单元）SSD相比，PLC SSD可在每个存储单元内存储5bit的数据。
2022-08-19 10:27:541506 SK海力士将在清州市新建NAND M17产线，以提高NAND产品产能。SK海力士原计划在明年年初开始建设，最快2025年建成。
2022-09-08 10:48:30555 sk海力士表示：“以238段nand闪存为基础，开发了智能手机和pc用客户端ssd （client ssd）解决方案产品，并于5月开始批量生产。该公司通过176层、238层的产品，在成本、性能、品质等方面确保了世界最高的竞争力。
2023-06-08 10:31:532449 238层NAND闪存作为世界上最小体积的芯片，生产效率比上一代的176层提升了34%，成本竞争力得到了大幅改善。
2023-06-11 14:32:541442 
SK海力士宣布将首次展示全球首款321层NAND闪存，成为业界首家开发出300层以上NAND闪存的公司。他们展示了321层1Tb TLC 4D NAND闪存的样品，并介绍了开发进展情况。
2023-08-10 16:01:471993 三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈，三星电子计划在2023年正式生产第9代V-NAND闪存，三星第9代V-NAND闪存
2023-08-21 18:30:53888 该产品与 Gold P31、Platinum P41 共同使用了海力士自主研发的 SSD 主控，然而独特之处在于其搭载了 PCIe Gen5 技术及 238 层的 TLC NAND 闪存。
2024-03-20 14:13:011783 来源：集成电路前沿，谢谢 编辑：感知芯视界 Link 3月25日消息，据报道，由于SK海力士部分工程出现问题，英伟达所需的12层HBM3E内存，将由三星独家供货，SK海力士出局！ 据了解，HBM需要
2024-03-27 09:12:081225 当前，3D NAND闪存在通过提高堆栈层数来增加容量上取得显著进展。然而，在这种趋势下，闪存颗粒中的垂直通道蚀刻变得愈发困难且速率减缓。
2024-05-07 10:33:03912 SK 海力士正在与东京电子（TEL）展开紧密合作，通过发送测试晶圆来评估后者的低温蚀刻设备。这一举措旨在为未来的NAND闪存生产导入新技术。在当前，增加堆叠层数已经成为提高3D NAND闪存颗粒容量的主要方法。
2024-05-08 11:47:241034 SK海力士指出，“ZUFS 4.0是新一代移动端NAND闪存解决方案，具备行业内最高性能且专门针对端侧AI手机进行优化。”此外，公司还强调，“借助此产品，我们将在NAND闪存领域引领AI存储器市场，这也是继HBM超高性能DRAM之后的又一重要里程碑。”
2024-05-09 09:30:331063 今日，SK海力士公司宣布了一项革命性的技术突破，他们成功研发出了面向端侧（On-Device）AI应用的全新移动端NAND闪存解决方案——“ZUFS（Zoned UFS）4.0”。这款产品的推出，标志着SK海力士在闪存技术领域的又一次飞跃。
2024-05-09 11:00:301175 在智能手机技术日新月异的今天，SK海力士再次引领行业潮流，成功推出新一代移动端NAND闪存解决方案——ZUFS 4.0。这款专为端侧AI手机优化的闪存产品，无疑将为用户带来前所未有的使用体验。
2024-05-11 10:14:191068 在全球半导体技术的激烈竞争中，SK海力士再次展示了其卓越的研发实力与创新能力。近日，在美国夏威夷举行的VLSI 2024峰会上，SK海力士宣布了其在3D DRAM技术领域的最新研究成果，其中5层堆叠的3D DRAM良品率已高达56.1%，这一突破性的进展引起了业界的广泛关注。
2024-06-27 10:50:221473 据最新消息，SK海力士正酝酿一项重要财务战略，考虑推动其NAND与SSD业务子公司Solidigm在美国进行首次公开募股（IPO）。Solidigm作为SK海力士在2021年底通过收购英特尔相应业务后成立的独立美国子公司，承载着SK海力士在存储解决方案领域的重要布局。
2024-07-30 17:35:402332 近日，韩国权威媒体ETNews爆出猛料，SK海力士正在积极筹备加速下一代NAND闪存的研发进程，并且已经设定了明确的发展时间表——计划在2025年底之前，全面完成高达400多层堆叠NAND的半成品制备工作，紧随其后，将于2026年第二季度正式启动并大规模投入生产。
2024-08-01 15:26:421322 韩国半导体巨头SK海力士正加速推进NAND闪存技术的革新，据韩媒最新报道，该公司计划于2025年末全面完成400+层堆叠NAND闪存的量产准备工作，并预计于次年第二季度正式开启大规模生产。这一举措标志着SK海力士在NAND闪存领域再次迈出坚实步伐，引领行业技术前沿。
2024-08-02 16:56:111743 在最近的FMS 2024峰会上，SK 海力士凭借其创新实力，率先向业界展示了尚未正式发布规范的UFS 4.1通用闪存新品，再次引领存储技术的前沿。此次展示不仅彰显了SK 海力士在存储技术领域的领先地位，也为未来的移动设备性能提升奠定了坚实基础。
2024-08-10 16:52:083027 SK海力士宣布，公司已正式踏入人工智能芯片生产的新阶段，批量生产业界领先的12层HBM3E芯片。这款芯片不仅代表了SK海力士在内存技术上的重大突破，更以36GB的超大容量刷新了现有HBM产品的记录，为全球人工智能领域的发展注入了强劲动力。
2024-09-26 14:24:41878 今日，半导体巨头SK海力士震撼宣布了一项业界瞩目的技术里程碑，该公司已成功在全球范围内率先实现12层HBM3E芯片的规模化生产，此举不仅将HBM存储器的最大容量推升至史无前例的36GB新高度，更进一步巩固了SK海力士在AI应用存储器市场的领军地位。
2024-09-26 16:30:311987 近日在一次科技展览上，SK海力士惊艳亮相，展出了全球首款48GB 16层HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)产品。这一突破性产品不仅展示了SK海力士在高端存储技术领域
2024-11-05 15:01:201231 限的产能转向更高端的产品线，如人工智能用存储器及先进DRAM产品。 SK海力士的这一决策可能与其重点发展高端存储技术研发和生产有关。近日，该公司对外展示了全球首款48GB 16层HBM3E产品，该产品在容量和层数上均达到了业界最高水平。这一成果不仅彰显了SK海力士
2024-11-07 11:37:181277 在近日举行的SK AI峰会上，韩国存储巨头SK海力士向全球展示了其创新成果——全球首款48GB 16层HBM3E产品。这一产品的推出，标志着SK海力士在高端存储技术领域的又一次重大突破。
2024-11-13 14:35:051189 产品价格。 继美光和三星宣布减产计划后，全球第二大NAND Flash厂商SK海力士也宣布了减产决定。据悉，SK海力士计划将上半年NAND Flash存储器的产量削减10%。这一决定无疑将对市场产生深远影响。 根据机构先前发布的报告，SK海力士在NAND Flash存储器领
2025-01-20 14:43:551096 据外媒最新报道，为了应对NAND闪存市场的供应过剩问题，三星电子与SK海力士两大半导体巨头已悄然采取措施，通过工艺转换实现“自然减产”。 据业内消息透露，自去年年底以来，三星电子和SK海力士正积极
2025-02-12 10:38:13858 SK海力士在巩固其面向AI的存储器领域领导地位方面，HBM1无疑发挥了决定性作用。无论是率先开发出全球首款最高性能的HBM，还是确立并保持其在面向AI的存储器市场的领先地位，这些成就的背后皆源于SK海力士秉持的“一个团队”协作精神（One Team Spirit）。
2025-06-18 15:31:021667 SK海力士致力于成为“全方位面向AI的存储器供应商（Full Stack AI Memory Provider）”，不仅在DRAM领域持续创新，在NAND闪存（NAND Flash，以下简称NAND
2025-07-10 11:37:591509
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