三星九代V-NAND闪存或月底量产，堆叠层数将达290层

据悉，三星有望在本月晚些时候实现第九代V-NAND闪存在业内的领先地位，生产出具有更高堆叠层次的产品。据三星高层Jung-Bae Lee介绍，他们计划于今年年初开始下一代NAND闪存的量产工作。

值得注意的是，2022年11月，三星成功量产出236层第八代V-NAND，这意味着每隔约一年半时间，三星便能推出新一代V-NAND闪存。

据韩媒Hankyung透露，第九代V-NAND闪存的堆叠层数将高达290层，但IT之家此前曾报道过，三星在学术会议上展示了280层堆叠的QLC闪存，其IO接口速度可达3.2GB/s。

此外，三星将继续采用双闪存堆栈设计，以简化工艺流程并降低制造成本。然而，预计明年推出的第十代V-NAND闪存将采用三堆栈设计，这将进一步提高3D闪存的堆叠层数，同时也会增加堆栈对齐的复杂度。

半导体行业观察机构TechInsights预测，三星的第十代V-NAND闪存有望达到430层，从而巩固其在堆叠技术领域的领先地位。