SK海力士本周宣布，他们已经开始基于其128层3D NAND闪存采样产品，该产品不久将开始出现在最终用户设备中。一年前，他们推出了96层第5代3D NAND，但低价促使他们削减了产量，而第4代72
2019-11-25 17:21:55
6385 据韩媒报道，SK海力士将在2020年进行一系列的人事调动和业务重组，其中会将DRAM和NAND Flash两大开发部门整合在一起，实现从开发、制造，以及业务的后期处理等统一的管理。 Jin
2019-12-07 00:53:004758 最新消息，SK海力士将在2020年消费电子展（CES）上推出两款消费类PCIe NVMe SSD Gold P31和 Platinum P31。值得注意的是，新款SSD将首次搭载SK海力士128层
2019-12-30 15:57:394178 包括三星电子（Samsung Electronics）、美光（Micron）与东芝（Toshiba）为量产3D NAND Flash，纷投资建厂或以既有生产线进行转换，SK海力士（SK Hynix
2015-10-09 09:40:15980 目前，我们还无法断定3D NAND是否较平面NAND更具有製造成本的优势，但三星与美光显然都决定把赌注押在3D NAND产品上。如今的问题在于，海力士（SK Hynix）与东芝（Toshiba）两大市场竞争对手能否也拿出同样具备竞争优势的产品？
2016-09-12 13:40:252173 传三星电子平泽厂（Pyeongtaek）将提前投产，SK海力士（SK Hynix）、东芝（Toshiba）、美光（Micron）产能也将于明年下半全面开出，届时3D NAND可能会从供不应求、呈现供给过剩的状况。
2016-10-10 14:08:472158 
目前NAND闪存需求依然居高不下，厂商也有动力扩大产能了，SK Hynix公司日前宣布本月底将量产48层堆栈的3D NAND闪存，这是三星之后第二家量产48层堆栈3D闪存的公司。
2016-11-09 11:35:161088 苹果供应商海力士（SK Hynix）今天发布了72层，256Gb 3D NAND 闪存芯片。这种芯片比 48层技术多1.5倍，单个 256Gb NAND 闪存芯片可以提供 32GB 闪存，这种芯片比 48 层 3D NAND 芯片的内部运行速度快两倍，读写性能快 20%。
2017-04-11 07:49:042003 3DNAND过渡，同时推进下一代128层3DNAND技术发展进程。 从2013年三星研发出24层3DNAND，到日前SK海力士首发128层1Tb4DNAND，原厂快速发展的3D技术使得业内人士预测
2019-07-05 09:11:117106 SK海力士发布了全球首款基于128层NAND闪存的消费级SSD——SK海力士Gold P31，提供500GB和1TB两种存储容量，产品已上架亚马逊。
2020-08-19 13:59:423984 4月16日消息 据悉，SK海力士正在与德国汽车巨头博世公司（Bosch）洽谈为其提供汽车存储芯片的事宜。 据称，SK海力士已完成了符合博世要求规格的内存芯片的开发。与消费类设备中使用的DRAM
2021-04-16 12:37:472906 电子发烧友网综合报道，SK海力士宣布公司成功开发出搭载全球最高321层1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND闪存的移动端解决方案产品UFS 4.1
2025-05-23 01:04:008534 SK海力士也宣布，2018年下半将投资重心集中于NAND Flash，NAND Flash新厂投资进度正在加速，DRAM只会进行小规模补强与转换投资。如何看待这两则新闻？笔者认为这属于意料之中的事
2018-10-12 14:46:09
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2021-01-25 17:59:52
。关键在于DRAM的需求比NAND紧俏。但因NAND并非寡占状态，三星必须积极投资，而SK海力士也必须力争上游。所以各厂的投资都很积极，并往3D多层化的方向进展。NAND同样必须以良率在市场上竞争，加以十分
2018-12-24 14:28:00
循环设计的电荷陷阱单元相比，铠侠首创的这种半圆形 3D 浮栅单元结构，具有更大的编程 / 擦除窗口和斜率，且单元尺寸做到了更小。而SK海力士方面，则在去年6月宣布了其关于4D NAND的进展。据相关
2020-03-19 14:04:57
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2021-07-02 19:07:56
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2021-08-02 17:44:42
SK 海力士最先进72 层3D NAND 记忆体传明年开始量产，韩联社26 日引述知情人事消息报导指出，海力士计划于2017 上半年完成芯片设计，位在利川（Icheon）的M14 厂将可在下半年开始生产。
2016-12-27 14:15:111317 
据报道，苹果供应商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三级单元阵列的 72 层，256Gb 的 3D NAND 闪存芯片。通过堆叠，这比以前的 48 层技术多出 1.5 倍的单元，单个
2017-04-12 01:07:111359 SK海力士预计第四季度D-RAM和NAND闪存需求不断增长。公司计划第四季度批量生产10纳米级D-RAM和72层NAND闪存，明年业绩仍将向好。
2017-10-27 09:15:15754 2018年是3D NAND产能快速增长的一年，主要是因为Flash原厂三星、东芝、SK海力士、美光等快速提高64层3D NAND生产比重，而且相较于2D NAND技术，64层256Gb和512Gb在市场上的广泛应用，使得高容量的NAND Flash相关产品价格持续下滑
2018-07-16 09:48:00918 比，存储芯片巨头SK海力士和美光科技在2017年的排名将会大幅提升。受益于DRMA内存芯片和NAND闪存芯片市场需求大幅提升的推动，上述两家公司的排名均将上升两位。”
2017-12-20 15:40:481711 首先是3D NAND的技术路线选择，SK海力士称，CTF（Charge Trap Flash，电荷捕获型）比Floating Gate（浮栅型）存储单元面积更小、速度更快、更耐用（P／E次数多）
2018-08-12 10:55:154453 在SK Hynix的72层(72L) TLC NAND闪存中，所谓的P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scalable)单元，是利用管线式(pipe)闸极链接每一个NAND
2018-08-29 11:10:0010509 
SK海力士在清州建设M15工厂的建成仪式将于9月17日在清州举行。SK海力士计划通过从明年初开始增产96层3D NAND闪存的策略，来巩固其市场主导地位。
2018-09-07 16:59:043820 电子（Samsung Electronics），美光（美光），SK海力士（SK海力士）等记忆体业者亦将陆续量产，将促使3D NAND闪存垂直堆叠最高层数自64层朝2017年年的80层迈进
2018-10-08 15:52:39780 SK海力士完成M15工厂有两大意义。首先，NAND Flash快闪存储器因为工业4.0应用而快速成长，而新工厂将帮助SK海力士更积极因应全球对3D NAND Flash快闪存储器的需求。
2018-10-12 16:17:005500 SK海力士能否凭借新产品在竞争力相对弱势的NAND闪存市场站稳脚跟并争取NAND闪存市场的主导权，倍加受人关注。SK海力士在全球D-RAM市场仅次于三星电子排名第二，但在NAND闪存市场却以大约10
2018-11-09 15:49:515400 SK海力士宣布将在忠清北道清州市新建一个存储器晶圆厂，满足NAND Flash市场增加的需求。新工厂将坐落在清州科技园。SK海力士下个月开始设计外部的建设，2017年8月到2019年6月期间完成洁净室的装备，总投资达2.2兆韩元（18.4亿美金）。
2018-12-03 08:52:561817 6月15日，三星电子宣布已经开始量产第四代64层256Gb V-NAND，与48层256Gb V-NAND相比，生产效率将提高30%以上。东芝/西部数据、美光、SK海力士等在2017上半年也均宣布
2018-12-10 10:00:571562 ，投资额高达15万亿韩元，主要生产3D NAND闪存，初期将生产现在的72层堆栈3D NAND，不过明年初就会转向96层堆栈的3D NAND闪存。
2018-12-22 11:09:234552 SK海力士今年第一季财报和当初预期相同，受存储器行情影响，营收和营益骤减，对此SK海力士准备以强化技术、调整生产线应对市场，预计今年NAND晶圆投入量将比去年减少10％以上。
2019-04-25 19:23:191116 长江存储在 2018 年成功研发32层3D NAND芯片后，进一步规划在2019年8月开始生产新一代的64层 3D NAND芯片，等于宣告加入全球NAND Flash战局，对比今年三星、SK海力士（SK Hynix ）进入90层3D NAND芯片生产，长江存储追赶世界大厂的步伐又大幅迈进一步。
2019-05-17 14:13:281753 SK海力士宣布，已经全球第一家研发成功，并批量生产128层堆叠的4D NAND闪存芯片，此时距离去年量产96层4D闪存只过去了八个月。
2019-06-27 15:23:283819 SK海力士宣布，该公司已经在全世界率先成功研发出128层4D Nand闪存芯片，将从今年下半年(7月~12月)开始投入量产。
2019-06-28 14:35:206119 SK海力士近日正式宣布，已成功开发并开始量产世界上第一款128层1Tb TLC 4D NAND闪存芯片。而就在8个月前，该公司宣布了96层4D NAND芯片。
2019-07-01 17:11:153551 近日，据报道，传海力士正在跟Intel谈判，海力士想收购整个Intel大连工厂和3D NAND业务。
2019-07-12 11:32:523449 传海力士正在跟Intel谈判，欲收购整个Intel大连工厂和3D NAND业务。
2019-07-12 14:28:145180 SK海力士宣布已向主要SSD（固态硬盘）控制器公司提供新的1Tb QLC NAND样品，并开发了自己的QLC软件算法和控制器，计划扩大基于96层1Tb QLC 4D NAND的组合产品。
2019-07-25 15:08:544098 7月11日，业内传出消息称，SK海力士计划收购Intel位于中国大连的Fab 68存储工厂及3D NAND业务。对此传闻，英特尔向芯智讯进行了回应。
2019-08-06 15:16:014740 海力士则是宣布成功开发出128 层堆叠的4D NAND Flash，并已经进入量产阶段。不过，虽然两家厂商竞相推出NAND Flash 的新产品，但是堆叠技术的发展至今仍未到达极限。所以，SK
2019-08-15 09:05:123089 SK海力士日前宣布推出新一代企业级SSD固态硬盘，不过并没有公布新品SSD的名称，有限的信息为支持NVMe协议，采用72层堆栈的3D TLC闪存，M．2版容量最大容量4 TB，U．2版最大容量可达8 TB。
2019-12-09 11:43:572304 根据消息报道，韩国全球半导体制造商SK海力士将在2020年国际消费电子展（CES）上推出最新的“Gold P31”和“Platinum P31”PCIe NVMe固态硬盘，采用SK海力士的128层4D NAND闪存。
2019-12-30 15:27:124487 CES 2020展会上，存储大厂SK海力士拿出了不少有趣的产品，包括DDR5内存、LPDDR5内存、4D NAND SSD固态盘。
2020-01-13 10:07:235789 在最近举办的CES 2020展会上，SK海力士展出了两款新的高端SSD，分别是Gold P31、Platinum P31，最大特点采用了SK海力士自家的4D TLC NAND闪存。
2020-01-13 11:45:553583 2 月 13 日讯，SK 海力士宣布，已经与 Xperi Corp 旗下子公司 Invensas 签订新的专利与技术授权协议，获得了后者 DBI Ultra2.5D/3D 互连技术的授权。
2020-02-15 16:39:071283 4月8日消息，近日，SK海力士宣布推出基于首款 128 层 1Tb TLC 4D NAND 闪存的企业级 SSD-- PE8111，是针对读取密集型应用设计的高容量存储解决方案。SK海力士是一家全球存储器半导体制造商，其产品组合中包括 DRAM，NAND 闪存和控制器，以及 SSD 的全套技术。
2020-04-09 14:09:194475 TrendForce数据显示，SK海力士与Intel在今年第二季的营收市占率为11.7%及11.5%，分别位于第四名及第六名。若以产品竞争力详细区分，以2019年来看，SK海力士在NAND
2020-10-20 11:28:512537 据路透社当地时间19日报道援引知情人士称，英特尔正准备将NAND芯片业务，以近100亿美元的价格，出售给SK海力士。若交易达成，将使得SK海力士超越日本Kioxia，成为NAND内存市场的全球第二大厂商，并进一步缩小与行业领头羊三星之间的差距。
2020-10-20 14:10:142309 SK海力士于今(20)日宣布将以90亿美元收购Intel的NAND内存与储存事业，以及位于大连专门制造3D NAND Flash的Fab68厂房。这是韩国公司有史以来最大规模的海外收购交易，超过三星
2020-10-21 17:26:322248 据国外媒体报道，SK海力士宣布出资600亿收购英特尔NAND闪存及存储业务！ SK海力士已在官网宣布了他们将收购英特尔NAND闪存及存储业务的消息，SK海力士在官网上表示，两家公司已经签署了相关
2020-10-23 11:05:152717 务，以及其在中国大连的NAND闪存制造工厂。英特尔将保留其特有的英特尔傲腾TM业务。 SK海力士与英特尔将争取在2021年底前取得所需的政府机关许可。在获取相关许可后，SK海力士将通过支付第一期70亿美元对价从英特尔收购NAND SSD业务（包括NAND SSD相关知识产权和员工）以及
2020-10-23 18:00:168594 近日闪存芯片行业又现巨震，英特尔将自己的NAND闪存业务以90亿美元的价格出售给了SK海力士。
2020-10-29 12:11:472793 ASML公司的EUV光刻机全球独一份，现在主要是用在7nm及以下的逻辑工艺上，台积电、三星用它生产CPU、GPU等芯片。马上内存芯片也要跟进了，SK海力士宣布明年底量产EUV工艺内存。
2020-10-30 10:54:212202 SK海力士与英特尔将争取在2021年底前取得所需的政府机关许可。在获取相关许可后，SK海力士将通过支付第一期70亿美元对价从英特尔收购NAND SSD业务（包括NAND SSD相关知识产权和员工）以及大连工厂。
2020-11-04 15:06:002037 SK海力士与英特尔将争取在2021年底前取得所需的政府机关许可。在获取相关许可后，SK海力士将通过支付第一期70亿美元对价从英特尔收购NAND SSD业务（包括NAND SSD相关知识产权和员工）以及大连工厂。
2020-11-05 10:11:262339 据报道，第三季度财报优于市场预期的SK海力士计划在五年内将其NAND销售额增加两倍以上。SK海力士并再次强调，决心通过从英特尔手中收购NAND业务，在NAND市场占据领先地位。
2020-11-05 12:17:422079 SK海力士在声明中称，已签署协议收购英特尔的NAND内存和存储业务。此次收购包括英特尔的固态硬盘、Nand闪存和晶片业务，以及位于大连的工厂。但将以两次付款的形式进行，最终交易要到2025年3月份才会完成。
2020-11-11 14:53:022528 据了解，SK海力士半导体有限公司是全球第二大内存制造商，公司主要生产以D-RAM和NAND为主的半导体产品，自1983年建立以来，公司不断发展创新，在2015年全球500强排名中,SK集团排名第57位，同时在2015世界半导体行业中排名第3位
2020-12-07 09:16:163194 根据外媒 TechPowerUp 的消息，SK 海力士公司发布了 176 层 512 Gb 三层 TLC 4D NAND 闪存。 SK 海力士表示新的 176 层 NAND 闪存采用加速技术
2020-12-07 16:16:233708 据报道，SK hynix日前发布了其最新一代的3D NAND。据介绍，新产品具有176层电荷charge trap单元。在美光宣布他们的176L NAND开始以Crucial品牌产品发货之后，SK hynix是第二家达到这一层数的NAND制造商。
2020-12-08 14:29:122822 发展至今，NAND Flash已呈现白热化阶段。就在前不久，存储厂商们还在128层“闪存高台上观景”，2019年6月SK海力士发布128层TLC 3D NAND；美光于2019年10月流片出样128
2020-12-09 14:55:374583 去年底Intel宣布将旗下的NAND闪存业务以600亿元的价格卖给了SK海力士公司，但是傲腾硬盘业务没卖，基于3D Xpoint技术的傲腾是Intel的王牌。
2021-02-04 10:27:272085 新一代3D NAND技术已迎来新的战局，继美光和SK海力士在2020年底陆续推出新一代176层3D NAND之后，铠侠和西部数据也正式宣布推出162层3D NAND技术，三星也称将在2021年推出第七代V-NAND，再加上英特尔大力推广144层3D NAND，硝烟已四起。
2021-02-24 11:22:072770 随着半导体工艺进入10nm节点以下，EUV光刻机成为制高点，之前台积电抢购了全球多数的EUV光刻机，率先量产7nm、5nm工艺，现在内存厂商也要入场了，SK海力士豪掷4.8万亿韩元抢购EUV光刻机
2021-02-25 09:30:232709 SK海力士今天宣布，已经开始量产18GB LPDDR5移动版内存，存储密度、容量都是世界第一。
2021-03-08 14:41:543203 近日，SK海力士宣布将在中国大连新建闪存工厂，该工厂属于SK海力士的非易失性存储器制造项目的一部分，将被用于生产非易失性存储器3D NAND芯片。 SK海力士在2020年宣布了收购Intel闪存业务
2022-05-19 14:32:534080 SK海力士在美国圣克拉拉举行的2022闪存峰会（Flash Memory Summit 2022）上首次亮相了238层NAND闪存新产品。
2022-08-04 15:53:4915867 美光已经在完成 232 层 NAND 的订单，而且不甘示弱，SK 海力士宣布将于明年上半年开始量产 238 层 512Gb 三层单元 (TLC) 4D NAND。或许更重要的是，芯片制造商私下表示，他们将利用行业学习为目前正在开发的 3D-IC 堆叠 NAND。
2022-08-29 16:59:20888 SK海力士将在清州市新建NAND M17产线，以提高NAND产品产能。SK海力士原计划在明年年初开始建设，最快2025年建成。
2022-09-08 10:48:30555 据知名半导体和微电子情报提供商TechInsights报道，长江存储的232层3D NAND闪存X3-9070已经实现量产，领先于三星、美光、SK海力士等厂商，这也是__中国品牌在半导体领域首次领先于国际竞争者。__
2022-12-05 17:07:381876 SK海力士季度亏损创纪录 sk海力士2022年财报难看 前一两年还一直听说内存条在不断涨价的消息，现在突然就爆出消息SK海力士季度亏损创纪录，看来大伙的日子都不太好过。 宏观经济的下滑导致了很多需求
2023-02-01 16:52:123954 
更劲爆的新闻传出，由于向中国入口晶圆厂装备存在问题，SK海力士甚至可能在完成晶圆厂装备搬入之前出售晶圆厂外壳！ 公然资料显示，SK海力士在2021年宣布接受的3D NAND生产和营业，并获得大连内存工厂。2022年5月，在英特尔通过基础设施、计划和地方政府的允许
2023-05-05 15:22:002870 
sk海力士表示：“以238段nand闪存为基础，开发了智能手机和pc用客户端ssd （client ssd）解决方案产品，并于5月开始批量生产。该公司通过176层、238层的产品，在成本、性能、品质等方面确保了世界最高的竞争力。
2023-06-08 10:31:532449 SK海力士宣布将首次展示全球首款321层NAND闪存，成为业界首家开发出300层以上NAND闪存的公司。他们展示了321层1Tb TLC 4D NAND闪存的样品，并介绍了开发进展情况。
2023-08-10 16:01:471992 三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈，三星电子计划在2023年正式生产第9代V-NAND闪存，三星第9代V-NAND闪存
2023-08-21 18:30:53888 去年，铠侠与西数的合并谈判因韩企 SK 海力士阻挠而被搁置，其顾虑在于合并后的企业体量过大。为打破僵局争取 SK 海力士的支持，铠侠提出借助其实施的日本产 3D NAND 晶圆厂，提供额外产能供 SK 海力士扩大 3D NAND 存储器产能。
2024-02-18 16:06:59980 同日，SK海力士宣布启动 HBM3E 内存的量产工作，并在本月下旬开始供货。自去年宣布研发仅过了七个月。据称，该公司成为全球首家量产出货HBM3E 的厂商，每秒钟能处理高达 1.18TB 的数据。此项数据处理能力足以支持在一小时内处理多达约 33，800 部全高清电影。
2024-03-19 09:57:442225 来源：集成电路前沿，谢谢 编辑：感知芯视界 Link 3月25日消息，据报道，由于SK海力士部分工程出现问题，英伟达所需的12层HBM3E内存，将由三星独家供货，SK海力士出局！ 据了解，HBM需要
2024-03-27 09:12:081225 SK海力士宣布，计划于2025年下半年推出首款采用12层DRAM堆叠的HBM4产品，而16层堆叠版本的推出将会稍后。根据该公司上月与台积电签署的HBM基础裸片合作协议，原本预计HBM4内存要等到2026年才会问世。
2024-05-06 15:10:211338 SK 海力士正在与东京电子（TEL）展开紧密合作，通过发送测试晶圆来评估后者的低温蚀刻设备。这一举措旨在为未来的NAND闪存生产导入新技术。在当前，增加堆叠层数已经成为提高3D NAND闪存颗粒容量的主要方法。
2024-05-08 11:47:241034 SK海力士公司近日在首尔举办的IEEE 2024国际存储研讨会上，由先进HBM技术团队负责人Kim Kwi-wook宣布了一项重要进展。SK海力士计划从2026年开始，提前一年量产其第七代高带宽存储器HBM4E。这一消息表明，SK海力士在HBM技术领域的研发速度正在加快。
2024-05-15 11:32:131484 ）提交了一份关于3D DRAM（三维动态随机存取存储器）的详细研究论文。该论文不仅揭示了SK海力士在3D DRAM领域取得的显著进展，更向世界展示了其在这一未来存储技术上的坚定决心与卓越实力。
2024-06-24 15:35:291745 在全球半导体技术的激烈竞争中，SK海力士再次展示了其卓越的研发实力与创新能力。近日，在美国夏威夷举行的VLSI 2024峰会上，SK海力士宣布了其在3D DRAM技术领域的最新研究成果，其中5层堆叠的3D DRAM良品率已高达56.1%，这一突破性的进展引起了业界的广泛关注。
2024-06-27 10:50:221473 据最新消息，SK海力士正酝酿一项重要财务战略，考虑推动其NAND与SSD业务子公司Solidigm在美国进行首次公开募股（IPO）。Solidigm作为SK海力士在2021年底通过收购英特尔相应业务后成立的独立美国子公司，承载着SK海力士在存储解决方案领域的重要布局。
2024-07-30 17:35:402332 近日，韩国权威媒体ETNews爆出猛料，SK海力士正在积极筹备加速下一代NAND闪存的研发进程，并且已经设定了明确的发展时间表——计划在2025年底之前，全面完成高达400多层堆叠NAND的半成品制备工作，紧随其后，将于2026年第二季度正式启动并大规模投入生产。
2024-08-01 15:26:421322 韩国半导体巨头SK海力士正加速推进NAND闪存技术的革新，据韩媒最新报道，该公司计划于2025年末全面完成400+层堆叠NAND闪存的量产准备工作，并预计于次年第二季度正式开启大规模生产。这一举措标志着SK海力士在NAND闪存领域再次迈出坚实步伐，引领行业技术前沿。
2024-08-02 16:56:111743 自豪地宣布，SK 海力士当前市场上的旗舰产品——8层HBM3E，已稳坐行业领导地位，而更进一步的是，公司即将在本月底迈入一个新的里程碑，正式启动12层HBM3E的量产。这一举措不仅巩固了SK 海力士在
2024-09-05 16:31:361645 SK海力士宣布，公司已正式踏入人工智能芯片生产的新阶段，批量生产业界领先的12层HBM3E芯片。这款芯片不仅代表了SK海力士在内存技术上的重大突破，更以36GB的超大容量刷新了现有HBM产品的记录，为全球人工智能领域的发展注入了强劲动力。
2024-09-26 14:24:41876 SK海力士近日宣布了一项重大突破，公司已成功在全球范围内率先实现12层堆叠HBM3E的量产，这一里程碑式的成就标志着其在高端存储技术领域的持续领先地位。这款新品不仅将HBM产品的容量提升至前所未有的36GB，更是在AI应用所需的速度、容量及稳定性等方面均达到了全球顶尖水平。
2024-09-27 16:49:171176 近日在一次科技展览上，SK海力士惊艳亮相，展出了全球首款48GB 16层HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)产品。这一突破性产品不仅展示了SK海力士在高端存储技术领域
2024-11-05 15:01:201231 在近日举行的SK AI峰会上，韩国存储巨头SK海力士向全球展示了其创新成果——全球首款48GB 16层HBM3E产品。这一产品的推出，标志着SK海力士在高端存储技术领域的又一次重大突破。
2024-11-13 14:35:051189 近日，SK海力士正全力加速其全球首创的16层堆叠(16Hi)HBM3E内存的量产准备工作。这一创新产品的全面生产测试已经正式启动，为明年初的样品出样乃至2025年上半年的大规模量产与供应奠定了
2024-12-26 14:46:241050 SK海力士致力于成为“全方位面向AI的存储器供应商（Full Stack AI Memory Provider）”，不仅在DRAM领域持续创新，在NAND闪存（NAND Flash，以下简称NAND
2025-07-10 11:37:591509 2030年实现1000层堆叠的3D NAND存储器。 3D NAND似乎已经成为各大存储企业竞相追逐的“工业明珠”，包括三星、海力士、美光、铠侠、长江存储等都在这一领域投入大量资源，而比拼的就是堆叠层数。 3D NAND 为何如此重要？ 随着数字化信息的爆炸性增长，对对存储容量的需求也在
2024-06-29 00:03:008060
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