SK海力士UFS 4.1来了，基于321层1Tb TLC 4D NAND闪存

电子发烧友网综合报道，SK海力士宣布公司成功开发出搭载全球最高321层1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND闪存的移动端解决方案产品UFS 4.1。该产品具备全球领先的顺序读取性能与低功耗特性，专为端侧AI进行优化；产品厚度减薄15%，适用于超薄旗舰智能手机。

SK海力士表示：“为了在移动设备上实现端侧（On-device）AI的稳定运行，所搭载的NAND闪存解决方案产品必须兼具高性能与低功耗特性。依托这款对AI工作负载优化的UFS 4.1产品，公司将进一步巩固其在旗舰智能手机市场中的存储器技术领导地位。”

随着端侧AI的需求持续增长，终端设备的计算性能与电池效率之间的平衡日趋关键，超薄设计和低功耗特性已成为移动设备的行业标准。

顺应这一趋势，公司此次开发的新品较上一代基于238层NAND闪存的产品能效提升了7%。同时，成功产品厚度从1mm减薄至0.85mm，使其能够适配超薄智能手机。

此外，该产品支持第四代UFS产品的顺序读取峰值，数据传输速率高达4300MB/s。决定移动设备多任务处理能力的随机读取和写入速度，相较上一代产品分别提升了15%与40%，达到现存UFS 4.1产品中全球领先水平。

通过该方式，能够实时提供对端侧AI所需的数据，显著提升应用程序的运行效率与响应速度，从而有效增强用户的实际性能体验。

该产品提供512GB（千兆字节）和1TB（太字节）两种容量规格。公司计划于今年内向客户交付样品以进行验证流程，并将于明年第一季度正式进入量产阶段。

在新产品方面，近日SK海力士成功完成CMM（CXL Memory Module）- DDR5 96GB（千兆字节）产品的客户验证，是基于CXL12.0标准的DRAM解决方案产品。

SK海力士表示：“将此产品应用于服务器系统，相较于现有的DDR5模组，其容量增长了50%，宽带扩展了30%，可处理每秒最多36GB的数据。该产品有望显著降低客户在构建并运营数据中心时所需的总体拥有成本。”

继96GB产品验证，公司正在与其他客户开展128GB产品的验证流程。该产品搭载第五代10纳米级（1b）32Gb（千兆位）DDR5 DRAM，具备优越的性能功耗比。公司计划尽早完成这一验证，以完善CXL产品组合，从而在客户需要时能够及时供货。

SK海力士截至2025年3月31日的2025财年第一季度财务报告显示，公司2025财年第一季度结合并收入为17.6391万亿韩元，营业利润为7.4405万亿韩元，净利润为8.1082万亿韩元。2025财年第一季度营业利润率为42%，净利润率为46%。

公司本季度的收入和营业利润是在继前一季度创下历史最高业绩后，达到了第二高的业绩水平。营业利润率环比改善了1个百分点，增至42%，并以连续八个季度呈现出稳健上升趋势。
SK海力士表示：“第一季度，受人工智能开发竞争加剧和库存补充需求等影响，存储器市场情况改善速度显著快于预期。顺应这一趋势，公司扩大了12层HBM3E、DDR5等高附加值产品的销售。”