9月2日，长江存储正式对外宣布，其基于Xtacking®架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存（每颗裸芯片的存储容量为256千兆字位，每个存储单元为三个字位的三维闪存）正式量产，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
2019-09-02 14:31:15
1919 的堆叠NAND闪存 V-NAND实现了具有最新第六代产品的128层单堆叠，并通过TLC实现了512 Gb（千兆位）容量。它计划于2020年投放市场，并且正在针对在5年内达到500层或更多层的堆栈
2019-11-25 09:52:316442 三星目前已完成32层堆叠第二代V-NAND的研发作业，计划第3季推出48层堆叠第三代V-NAND产品后，于2016年生产64层堆叠的V-NAND产品。
2015-08-11 08:32:001030 256Gb 3D V-NAND闪存芯片。目前备受瞩目的三星48层V-NAND 3D快闪存储器已经出现在市场上了，TechInsights的拆解团队总算等到了大好机会先睹为快。
2016-07-13 10:32:437470 明年苹果iPhone将迎来十周年，届时将发布的iPhone 8将进行大幅升级，除采用了OLED曲面屏全新设计外，配置方面自然也会提升不少。考虑到今年iPhone 7和7 Plus都将存储提升至256GB，如果苹果再提升，明年512GB版iPhone就有望跟我们见面。
2016-11-21 10:39:181372 西数公司日前表示今年会试产512Gb核心容量的64层堆栈3D NAND闪存，单颗核心容量就达到了64GB，比目前主流水平翻倍，制造超大容量SSD硬盘更容易了。
2017-02-07 14:21:311053 据外媒报道，东芝今天宣布正式出货BiCS FLASH 3D闪存，采用64层堆叠，单晶粒容量512Gb（64GB，TLC），相对于上一代48层256Gb，容量密度提升了65%，这样封装闪存芯片的最高容量将达到960GB。
2017-02-23 08:33:401752 国产手机势头越来越强劲，把三星和苹果的市场份额抢占不少，但繁荣背后是对核心产业链控制的缺失，就比如闪存芯片，这基本上被韩国厂商垄断了。近日，高启全接受媒体采访时表示，长江存储将在2019年开始量产64层堆栈的3D NAND闪存，这个消息无疑让人振奋，而在今年他们还将出样32层NAND闪存。
2017-05-09 15:10:042528 电子发烧友早八点讯：三星今天在韩国宣布，开始大规模量产64层堆叠、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND闪存芯片，是为第四代3D闪存。
2017-06-16 06:00:002458 1、三星宣布512GB eUFS3.1闪存已大规模生产，写入速度提升3倍 据ZDnet报道，三星电子宣布，已经开始大规模生产面向智能手机的512GB嵌入式通用闪存（eUFS） 3.1。这款新的闪存
2020-03-18 11:33:375189 6月16日，三星电子宣布，6月开始量产其最新的智能手机内存解决方案，即基于LPDDR5和UFS的多芯片封装uMCP。三星的uMCP集成了最快的LPDDR5 DRAM 和最新的UFS3.1 NAND
2021-06-17 07:08:004659 V-NAND 已达290 层 前不久，三星宣布第9代V-NAND 1Tb TLC产品开始量产，第9代 V-NAND 采用双重堆叠技术达到了290层。早在2022年
2024-05-25 00:55:005554 
3D NAND提高市场竞争力，控制芯片选择了Silicon Motion SM2262EN。原厂早在2018下半年开始量产96或92层3D NAND，并陆续推出了新制程的SSD，比如：三星970
2022-02-06 15:39:12
USB2.0接口，并且在2.0接口时也能够有足够的传输速度。目前将推出512GB的版本，1TB版本将在第一季稍后上市。DTVP30/4GB/8GB/16GBDTVP30/32GB/64GB
2022-02-10 12:13:59
BiCS 3的TLC NAND芯片没任何区别，均包含256Gb和512Gb两种规格，但是采用BiCS 4技术的QLC的存储芯片还可以有768Gb甚至1Tb这两种规格。同时西部数据在他们的PPT中表示从
2022-02-03 11:41:35
应用。2018年智能型手机对大容量需求强劲，尤其是苹果、三星、华为等新机容量向512GB升级，正推动高端旗舰机容量需求翻倍增加。西部数据iNAND MC EU321 UFS2.1产品采用了96层3D NAND技术
2022-02-02 08:45:13
东芝推出全球最小嵌入式NAND闪存产品，可用于各种广泛的数字消费产品【转】东芝公司宣布推出全球最小级别嵌入式NAND闪存产品，这些产品整合了采用尖端的15纳米工艺技术制造的NAND芯片。新产品符合
2018-09-13 14:36:33
大家好，我有一个有趣的困境，我无法在网上找到任何地方。我有一个三星970 pro 512gb用于启动驱动器，WD Black 4TB Hdd用于存储，而intel optane 800p 58gb
2018-12-03 15:33:05
STM32F4的USB端口能读写512GB的UFS卡吗？
2024-03-28 06:42:15
三星推出64GB moviNAND闪存芯片
三星近日公布了两款采用新制程技术的闪存产品。其中moviNAND闪存芯片产品使用了三星最新的3xnm制程NAND芯片，单片封装的最大容量可达64GB
2010-01-14 17:00:041005 金士顿发布512GB新品固态硬盘
金士顿今天发布了新款SSDNow V+系列固态硬盘，容量达到512GB。虽然原本印象中SSDNow V系列以低价面向固态
2010-01-27 09:22:02660 7月28日消息，三星上周五表示，公司已量产行业首款eMMC 5.0存储产品。这将是全球速度最快的嵌入式存储芯片。三星将提供16GB、32GB、64GB三种规格的产品。
2013-07-29 09:56:171224 上周东芝及西部数据宣布，已研发出堆叠64层的3D NAND Flash制程，并将于2017年上半年开始量产，不过恐怕仍无法超车NAND Flash市占王三星。
2016-08-02 14:53:261430 11月21日消息，目前苹果iPhone手机最高存储容量为256GB。现在有微博网友爆料，苹果将在明年将iPhone8高配版存储容量升级为512GB。
2016-11-21 17:54:063043 如今，不少手机都不能拓展内存，用户在使用时，可能会遇到过存储空间不足的情况，只能不断删文件清出空间。为了解决这一问题，台湾某厂商就推出了一款UFS 2.1主控制器，最高可搭配512GB闪存。
2017-03-13 14:38:521144 在三星S8卖得最火热的时候，S9也慢慢被曝光了。据悉，三星S9身上有诸多光环——骁龙845顶级处理器、8GB运存 、512GB存储空间、5.7英寸4K AMOLED屏幕等。
2017-05-16 11:07:512190 2018年是3D NAND产能快速增长的一年，主要是因为Flash原厂三星、东芝、SK海力士、美光等快速提高64层3D NAND生产比重，而且相较于2D NAND技术，64层256Gb和512Gb在市场上的广泛应用，使得高容量的NAND Flash相关产品价格持续下滑
2018-07-16 09:48:00918 三星512GB UFS闪存开始量产，它具有860MB/s读取速度和255MB/s写入速度，它的存在必将灭亡手机存储卡。
2017-12-05 14:21:281953 三星表示，这款512GB的闪存芯片专门面向移动设备开发，其中整合了八个多层存储数据的V-NAND芯片。和过去三星256GB的芯片相比，虽然容量翻一倍，但是使用的空间却相同。这给手机设计带来了福音。
2017-12-06 11:03:441513 苹果之前向外宣布明年的新iPhone将会进行扩容到512GB储存容量，不久后就有网友爆出中国厂商已经率先为iPhone加512GB存储，抢先苹果官方一步，还表明升级512GB 容量并不太复杂。
2017-12-10 09:59:519806 在Intel第三代3D闪存固态盘我们可以知道的是，用上了 Host Memory Buffer （HMB）技术，Intel的单Die升级到了512Gb，不需要整合DRAM做缓冲池。具体的信息将会CES 2018上才知晓。
2017-12-25 15:18:453696 据报道最大容量512GB的microSD存储卡终于开始发售，该卡支持Video Speed Class 10即V10标准，满足10MB/s写入速度，可用于一般的电子移动设备。
2018-01-23 16:06:442136 三星在今年必然会发的手机中，还有一款备受期待，就是三星Galaxy Note 9，在外观上可能会继续保留Note 8的设计，但会在内部性能上有明显的提升。根据知情人士爆料，Galaxy Note 9很有何能带来8GB内存＋512GB存储的配置。
2018-06-11 16:37:00974 
日前，英国一家名为Integral Memory的公司，推出了全球首款512GB TF存储卡。
2018-06-01 15:10:005350 三星终于宣布开始大规模生产其第五代V-NAND存储芯片，声称其堆叠层数超过90层，可能指的是其96层，制造生产率可提高30%以上。三星新的V-NAND支持Toggle DDR4.0 NAND接口，可拥有更高的传输速度。
2018-07-12 14:46:002032 据外媒7月10日报道，顶级NAND闪存芯片制造商三星宣布已开始大规模生产其第五代V-NAND闪存芯片。
2018-07-13 14:22:054460 三星第五代V-NAND 3D堆叠闪存业界首次采用Toggle DDR 4.0接口，传输速率提升至1.4Gbps，与前代64层堆栈的V-NAND闪存相比提升了40%。数据写入延迟仅为500微秒，比上代提升30％，而读取信号响应时间也大幅缩短到50微秒。
2018-07-17 11:52:173338 面对2018年各大闪存颗粒厂商已经大规模量产64层堆栈3D NAND的情况，三星正式宣布开始量产第五代V-NAND闪存颗粒，堆栈数将超过90层。
2018-07-24 14:36:328259 三星电子有限公司今天宣布推出三星移动固态硬盘T5-全新的移动固态硬盘（PSSD），提升了外部存储产品的性能标准。T5采用三星最新的64层V-NAND（垂直NAND）技术和紧凑耐用的设计，具有业界领先的传输速度和加密的数据安全性，使消费者更轻松随时随地访问其最有价值的数据。
2018-07-26 17:43:092951 随着Flash各家原厂纷纷升级到64层3D NAND技术量产256Gb或512Gb单颗Die，以及提高新工厂的产出量，2018年三星将全面向3D NAND普及，美光预计2018年全球NAND
2018-08-22 16:53:432050 三星SSD路线图更新QLC闪存是重点 在三星Tech Day会议上，三星不仅宣布了7nm EUV、16Gb GDDR6显存等新工艺、新产品及新技术，SSD方面也更新了路线图，未来的重点就是96层堆栈
2018-10-18 17:33:006571 趋势看，128GB、256GB、512GB容量的机型也层出不穷，闪存容量高达1TB的机型也出现过，因此存储卡的作用与需求将越来越小，从三星的512GB的存储卡目前只上架不发售的情况看，似乎有炫技的意图在里面。
2018-11-02 14:42:434062 今年8月初，NAND闪存巨头三星电子宣布开始量产业界首款消费级QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64层3D堆叠，单芯片容量1Tb（128GB）。
2018-11-23 08:36:521378 6月15日，三星电子宣布已经开始量产第四代64层256Gb V-NAND，与48层256Gb V-NAND相比，生产效率将提高30%以上。东芝/西部数据、美光、SK海力士等在2017上半年也均宣布
2018-12-10 10:00:571562 1TB固态硬盘单价已经有节奏的下跌50%，存储芯片价格崩盘再次给高容量的固态硬盘普及推波助澜。很快，传说中的512GB和1TB产品将会成为主流。
2019-02-18 15:19:051434 随着3D闪存的问世，固态硬盘的容量一直在提升，同时SSD主控技术也在进步。早在850 PRO和850 EVO这一行业首个使用V-NAND技术的消费者固态硬盘，当时用的还是MHX主控，闪存则是从32层堆栈升级到了48层堆栈。
2019-05-09 11:25:2626064 现在，长江存储联席首席技术官、技术研发中心高级副总裁程卫华接受采访时表示，公司已开始量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
2019-09-02 16:30:003069 的存储空间将从64GB提高到128GB，iPhone XI系列会保留256GB/512GB的高配版本，但iPhone XR 2019是否会提供512GB存储版本还未能确定。
2019-06-08 18:08:006115 此次三星推出的三星Galaxy A50是三星旗下的一款中端产品。该机配备6.4英寸显示屏，后置三颗摄像头，包括一个主摄像头、一个景深镜头和一个广角镜头；配备4000mAh电池，辅以64GB存储，支持512GB最大扩容。
2019-06-12 16:44:443317 三星最新宣布，已开始量产行业首款eMMC 5.0存储产品。这是全球速度最快的嵌入式存储芯片，三星将提供16GB、32GB和64GB三种规格的产品。
2019-07-02 11:46:151133 据外媒报道称，三星欧洲等官网上都已经出现了Note 10的细节，不过虽然不多，但是还是能看出一些端倪，比如Note 10+将会运行安卓10.0系统，并且顶配是512GB版本，当然也有256GB版本
2019-07-30 10:39:478324 在2016年的旧金山闪存峰会上，三星公布了Z-NAND与Z-SSD的相关信息。后者基于第四代V-NAND，但由于具有一些新的特性（介于DRAM内存和NAND闪存之间）、包含独特的电路设计与优化后的主控，三星于是用Z-NAND来命名这款闪存芯片。
2019-08-31 09:43:426632 Galaxy Book S提供了13.3英寸的全高清触控屏，采用8GB LPDDR4X内存，最高512GB机身存储，最多支持1TB的micro SD卡。这款笔记本电脑的电池42Wh，三星称视频播放时间长达23小时，这表明充满电就能用一整天。该笔记本电脑还支持QC 2.0和PD 2.0快充。
2019-08-09 08:46:551648 三星发布全新企业级固态硬盘PM1733，该产品采用了三星自家研发的主控，搭配自家的第五代V-NAND闪存，单Die容量512Gb(64GB)，提供两种不同规格，一个是2.5英寸双U.2接口，另一个是PCIe接口。
2019-08-21 16:52:493293 三星推出了第六代V-NAND内存，为了进一步提高容量和密度，它拥有100多个活动层。从性能的角度来看，要使V-NAND具有超过100层的可行性，三星公司不得不使用新的电路设计技术。
2019-09-03 10:38:04981 三星推出了第六代V-NAND内存，为了进一步提高容量和密度，它拥有100多个活动层。从性能的角度来看，要使V-NAND具有超过100层的可行性，三星公司不得不使用新的电路设计技术。
2019-09-09 16:05:251778 9月19日晚上20点，Redmi最强旗舰K20 Pro尊享版将正式发布，官方最新预热海报显示，新机将搭载512GB超大存储空间。
2019-09-18 11:48:315657 紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布，开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-19 11:10:091144 紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布，开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-23 17:05:241455 紫光集团旗下长江存储正式宣布，公司已开始量产基于Xtacking？架构的中国首款64层256Gb TLC 3D NAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
2019-10-08 11:29:181727 三星宣布，已开始量产行业首款eMMC 5.0存储产品。这是全球速度最快的嵌入式存储芯片，三星将提供16GB、32GB和64GB三种规格的产品。
2019-10-18 14:30:401575 据悉，三星W20 5G采用4235mAh双芯电池，搭配12GB+512GB大内存，采用Dynamic AMOLED材质的可折叠柔性屏幕，6摄像头组合。
2019-11-20 10:16:341742 NAND闪存巨头三星电子宣布开始量产业界首款消费级QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64层3D堆叠，单芯片容量1Tb（128GB）。
2019-12-13 11:35:481654 为什么买了512GB的硬盘到手只有480GB？
2019-12-17 09:55:3518017 为什么买了512GB的硬盘到手只有480GB？
2019-12-17 09:59:537203 固态硬盘市场的霸主三星，是四大NAND闪存厂商中最早量产3D NAND闪存的，也是目前技术最强的，已经发展了三代V-NAND闪存，堆栈层数达到了48层。
2019-12-22 11:19:011517 今日，三星电子宣布已开始量产512GB封装容量的eUFS 3.1闪存，可用于手机、平板等。
2020-03-17 11:45:262694 三星今日宣布开始量产512GB eUFS 3.1芯片，其连续写入速度超过1.2GB/s，是其前代产品写入速度的3倍。
2020-03-17 14:22:143844 3月18日消息，据国外媒体报道，三星电子日前公告称，该公司开始大规模量产512GB eUFS 3.1芯片，适用于旗舰智能手机。
2020-03-18 17:01:052969 智能手机的运算能力越来越高，下载速度也越来越快，储存芯片的读写速度亦需要配合，才能发挥每个环节的最高效能。日前三星（Samsung）就宣布开始大规模投产512GB的eUFS 3.1储存芯片，它的特点就是其读写速度较上一代更快。
2020-03-21 10:06:273022 据了解，136层第六代V-NAND闪存是三星今年的量产主力。韩媒报道称三星可能会大幅改进制造工艺，从现在的单堆栈（single-stack）升级到双堆栈（double-stack），以便制造更高层数的3D闪存。
2020-04-20 09:06:01776 长江存储科技有限责任公司宣布其128层QLC 3D NAND闪存（型号：X2-6070）研发成功。同时发布的还有128层512Gb TLC（3 bit/cell）规格闪存芯片（型号：X2-9060），用以满足不同应用场景的需求。
2020-07-06 16:49:421991 存储芯片大厂SK海力士宣布完成了业内首款多堆栈176层4D闪存的研发，TLC颗粒，容量达512Gb（64GB）。 据，SK海力士透露，该闪存单元架构为CTF（电荷捕获），同时集成了PUC技术
2020-12-14 15:55:321786 叠加而成，第一批为TLC颗粒，单个Die的容量为512Gb（64GB），当然后期很可能会加入QLC。 更重要的是，美光不只是宣布了新技术，而且176层闪存已经量产并出货了，已经用于一些Crucial英睿达品牌的消费级SSD，明年还会发布更多新产品。 在176层闪存技术上，美光
2020-11-14 10:01:202368 、512GB，那么这两种情况下SSD有什么区别，厂商为什么要隐瞒部分SSD容量呢？ 针对这个现象，长江存储旗下的致钛科技今天继续科普SSD硬盘，这次就谈到了SSD足容的问题。 首先，闪存颗粒在设计的时候都是以2的幂次方来设计的，比方说256GB、512GB等，所以依托于闪存颗粒进行
2020-12-01 16:24:3612229 继美光后，SK海力士宣布完成了业内首款多堆栈176层4D闪存的研发，容量512Gb（64GB），TLC。 SK海力士透露，闪存单元架构为CTF（电荷捕获），同时集成了PUC技术。 4D闪存是SK
2020-12-07 13:49:272200 继美光后，SK海力士宣布完成了业内首款多堆栈176层4D闪存的研发，容量512Gb（64GB），TLC。
2020-12-07 13:44:092510 12月7日，韩国半导体公司SK海力士表示，近期已成功研发出基于三层存储单元（TLC）的176层512Gb（千兆位）NAND闪存。
2020-12-08 11:01:412103 人民币8400元）； Galaxy S21 Ultra起售价1349欧元（约合人民币10700元）。 值得注意的是，Galaxy S21 Ultra提供了128GB、256GB和512GB三种存储选择，其中512GB顶配版本售
2020-12-23 10:18:333712 EVO 采用了 V-NAND 3-bit MLC，可选 250GB、500GB、1TB、2TB 和 4TB 版本。其中 1TB 以下搭载 512GB LPDDR4 缓存，1TB 版本 搭载 1GB
2021-01-19 17:52:314572 据供应链消息，今年 iPhone Pro 系列的最高存储容量将从 512GB 翻倍到 1TB。
2021-03-05 16:35:20892 今日，作为先进内存技术的厂商，三星宣布开发出三星首款512GB内存扩展器 （CXL，Compute Express Link） DRAM，朝CXL的商业化迈出了重要一步，CXL将在IT系统中实现更高的内存容量且更低的延迟。
2022-05-10 10:16:082306 搭载 MediaTek 天玑 8100 5G 移动平台，兼具澎湃性能与冰封能效；LPDDR5 + 512GB 超大存储组合，处理速度大幅提升；144Hz 高配 LCD 屏幕，畅享高配护眼视觉
2022-10-27 09:57:186528 和2022年度三星内存技术日上所承诺的，三星今日宣布，已开始量产三星产品中具有最高存储密度的1Tb（太字节）三比特单元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存储密度，可为全球企业系统提供容量更大、密度更高的存储解决方案。 三星电子第八代V-NAND，
2022-11-08 13:37:361624 三星电子计划从今年第四季度开始生产128gb和256gb产品，并生产512gb产品。256gb产品的连续读取速度为2000兆/秒，连续写入速度为700兆/秒。
2023-07-14 11:33:521477 据《电子时报》报道，三星提出的512gb nand闪存晶片单价为1.60美元，比2023年初的1.40美元约上涨15%。但消息人士表示，由于上下nand闪存的库存缓慢，很难说服上调价格。
2023-08-02 11:56:241963 三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈，三星电子计划在2023年正式生产第9代V-NAND闪存，三星第9代V-NAND闪存
2023-08-21 18:30:53888 据韩媒Hankyung透露，第九代V-NAND闪存的堆叠层数将高达290层，但IT之家此前曾报道过，三星在学术会议上展示了280层堆叠的QLC闪存，其IO接口速度可达3.2GB/s。
2024-04-12 16:05:391410 据韩国业界消息，三星最早将于本月开始量产当前业界密度最高的290层第九代V-NAND（3D NAND）闪存芯片。
2024-04-17 15:06:591502 三星公司预计将于今年四月份大批量生产目前行业内为止密度最大的290层第九代V-NAND （3D NAND） 闪存芯片，这是继之前的236层第八代V-NAND后的显著提升，也代表着当前行业中最高的可量产堆叠层数。
2024-04-18 09:49:201500 近日，三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC产品开始量产，这将有助于巩固其在NAND闪存市场的卓越地位。
2024-04-23 11:48:051287 此前，三星国行GalaxyZFlip5手机在存储空间上提供256GB与512GB两个选项，而常规配色（如冰薄荷、冰玫紫等）及三星商城限定色彩（如海浪蓝、山林绿等）以及MaisonMargiela限量版（银色）则均配备8GB内存。
2024-04-24 15:16:531579 作为九代V-NAND的核心技术，双重堆叠技术使旗舰V8闪存的层数从236层增至290层，主要应用于大型企业服务器及人工智能与云计算领域。据了解，三星计划于明年推出第十代NAND芯片，采用三重堆叠技术
2024-04-28 10:08:011536 在技术层面，第九代V-NAND无疑展现出了三星的卓越技术实力。它采用了双重堆叠技术，在原有的旗舰V8闪存236层的基础上，再次实现了技术上的重大突破，堆叠层数飙升至惊人的290层。
2024-04-28 16:02:241874 据报道，三星Galaxy S24 Ultra已现身市场，其存储版本分别有256GB、512GB及1TB三款，但内存皆为12GB。然而，最新传闻称三星将于明年推出的Galaxy S25 Ultra或将内存提升至16GB。
2024-05-10 14:25:371353 Lexar NM620 512GB SSD PCIE3.0 X4测评
2024-06-16 14:30:501833 
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2024-06-16 14:32:492191 
据韩国媒体最新报道，三星电子在其第9代V-NAND闪存技术中实现了重大突破，首次在“金属布线”工艺中引入了钼（Mo）技术。这一创新标志着三星在半导体制造领域的又一次技术飞跃。
2024-07-04 09:23:501262 三星电子今日宣布了一项重大里程碑——其自主研发的1太比特（Tb）容量四层单元（QLC）第九代V-NAND闪存已正式迈入量产阶段。这一成就不仅标志着三星在存储技术领域的持续领先，也预示着数据存储市场即将迎来一场革命性的变革。
2024-09-12 16:27:311108 近日，据韩媒报道，三星位于中国西安的NAND闪存工厂正在加速推进技术升级与产能扩张计划。该工厂在成功将制程从第六代V-NAND(即136层技术)转换至第八代V-NAND(238层技术)的基础上，年内
2025-02-14 13:43:271089
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