三星已将下一代嵌入式半导体存储器产品MRAM纳入生产制造范畴，并在韩国器兴厂区率先进入大规模生产。MRAM号称是次世代记忆体，是继半导体存储器DRAM和NAND Flash之后又一划时代的创新存储器
2019-03-06 16:43:28
7573 19日,在东京举行的 Samsung SSD Forum 2019 Tokyo会上。三星电子存储器部门产品规划团队高级董事总经理Jinman就所展示的解决方案进行了演讲。 Jinman解释说，该公司
2019-11-25 09:52:316442 三星目前已完成32层堆叠第二代V-NAND的研发作业，计划第3季推出48层堆叠第三代V-NAND产品后，于2016年生产64层堆叠的V-NAND产品。
2015-08-11 08:32:001030 256Gb 3D V-NAND闪存芯片。目前备受瞩目的三星48层V-NAND 3D快闪存储器已经出现在市场上了，TechInsights的拆解团队总算等到了大好机会先睹为快。
2016-07-13 10:32:437470 国产手机势头越来越强劲，把三星和苹果的市场份额抢占不少，但繁荣背后是对核心产业链控制的缺失，就比如闪存芯片，这基本上被韩国厂商垄断了。近日，高启全接受媒体采访时表示，长江存储将在2019年开始量产64层堆栈的3D NAND闪存，这个消息无疑让人振奋，而在今年他们还将出样32层NAND闪存。
2017-05-09 15:10:042528 电子发烧友早八点讯：三星今天在韩国宣布，开始大规模量产64层堆叠、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND闪存芯片，是为第四代3D闪存。
2017-06-16 06:00:002458 2020年NAND闪存将会是IC市场增长最快的产品，IC Insights给出的数据预计增长率达到19%。三大主要半导体存储器制造商三星，美光和SK海力士复苏迹象明显，对存储市场复苏期望值也显著提升。
2020-01-18 01:24:0022228 NAND 存储器制造商三星和 SK 海力士已寻求将 NAND 闪存价格提高 3%-5% 以试探市场反应，并表示 NAND 闪存的价格已降至可变成本以下。 2. 日媒：苹果Vision Pro 给电子
2023-06-09 12:01:041328 
V-NAND 1Tb TLC达290层，已开始量产。根据规划，2025年主流闪存厂商的产品都将进入300层+，甚至400层以上。至于远期，到2030年闪存有望突破1000层。 2024 年三星第9 代
2024-05-25 00:55:005554 
的存储卡，那三星就是你的菜。三星公司的高端MicroSD存储卡产品线Pro Plus最新推出128GB容量版本。天啊，还真不便宜！该款存储卡起售价$199.99，对于一张存储卡而言，这个定价可以算得
2015-12-16 11:31:26
三星大中华区首席技术官裵容徹先生表示，三星不断进行技术创新，新一代的QLC产品成本可以降低60%，同时还推出了容量高达1Tb的V-NAND技术，速度将会达到1200Mbps。在市场应用方面，三星推出
2018-09-20 17:57:05
韩国三星电子日前宣布，位于中国陕西省西安市的半导体新工厂已正式投产。该工厂采用最尖端的3D技术，生产用于服务器等的NAND闪存（V-NAND）。三星电子希望在IT（信息技术）设备生产基地聚集的中国
2014-05-14 15:27:09
`这几年以来，国内巨头都在花大力气研发内存，以期打破垄断，尤其是三星的垄断。就移动DRAM而言，三星占了全球80%的份额，成为全球半导体领域的焦点。日前，三星一反常态，放缓了存储器半导体业务的扩张
2018-10-12 14:46:09
NAND只需要提高堆栈层数，目前多种工艺架构并存。从2013年三星推出了第一款24层SLC/MLC 3D V-NAND，到现在层数已经迈进200+层，并即将进入300+层阶段。目前，三星/西部数据
2024-12-17 17:34:06
专业收购三星ddr帝欧电子高价回收三星ddr，长期求购三星ddr，带板的也收，大量收购！！！帝欧赵生***QQ1816233102/879821252邮箱dealic@163.com。求购三星（K9
2021-04-06 18:09:48
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2021-10-26 19:13:52
的3D闪存了，三星公司7月初宣布了第五代V－NAND闪存（3DNAND闪存中的一种），率先支持ToggleDDR4．0接口，传输速度达到了1．4Gbps，相比64层堆栈的V－NAND闪存提升了40
2021-07-13 06:38:27
方便移动设备应用.存储器系统设计必须支持增长的带宽需求及更少的功耗.非易失性固态存储器与传统的NOR闪存相比，被证实可以减少功耗。存储器子系统架构存储器子系统架构是嵌入式设计者面临的主要挑战.存储器参数
2018-05-17 09:45:35
TCL AT25286深圳三星纯(25英寸)存储器数据
2009-06-12 11:21:22
13 TCL AT29128三星存储器数据
2009-06-12 11:24:3643 TCL AT29211A三星纯存储器数据
2009-06-12 11:28:5634 MTFC32GAKAEEF-AIT 产品概述 MTFC32GAKAEEF-AIT是Micron推出的一款高性能NAND闪存存储器，具有32GB的存储容量。该器件设计用于满足各种嵌入式
2024-10-15 23:15:35
三星宣布开始量产两种新型30nm制程NAND闪存芯片
三星近日宣布将开始量产两款30nm制程NAND闪存芯片产品。其中一种闪存产品采用类似DDR内存的双倍传输技术，据三星公司
2009-12-02 08:59:23700 三星推出64GB moviNAND闪存芯片
三星近日公布了两款采用新制程技术的闪存产品。其中moviNAND闪存芯片产品使用了三星最新的3xnm制程NAND芯片，单片封装的最大容量可达64GB
2010-01-14 17:00:041005 高性能20纳米级NAND闪存存储器
SAMSUNG电子有限公司推出业界首个20纳米级(nm) NAND芯片，用于安全数字(SD)存储器卡和嵌入式存储解决方案中。32
2010-05-17 12:15:021410 NAND闪存的自适应闪存映射层设计
闪存存储器主要分为NAND和XOR两种类型，其中NAND型是专为数据存储设计。本文的闪存映射方法主要是针对NAND类型的
2010-05-20 09:26:231244 
闪存巨头再度发力：三星公司在本届闪存记忆体峰会上连续公布了32 TB SSD、1TB BGA以及一款高速Z-SSD方案。其中32TB SSD利用64层3D NAND构建而成，即三星旗下的V-NAND品牌，同时配合TLC（即三层单元）设计。
2016-08-19 15:57:111041 3月7日消息，虽然东芝是NAND闪存芯片的发明者，但三星目前已经是NAND芯片行业的领跑者，并且其优势在不断扩大。
2017-03-07 15:53:451726 三星NAND闪存规格书 K9F4G08U0D
2017-10-17 09:42:2635 三星电子、NAND型快闪存储器商今(2018)年纷纷延迟投产，分析师担忧这恐怕会冲击明年的半导体设备市况。
2018-07-20 12:55:001169 2018年DRAM、NAND型快闪存储器供需预估将持续呈现吃紧。三星电子27日盘中下跌4.2%，创一年多以来最大跌幅。三星竞争对手SKHynix一度下跌3.6%，创10月底以来最大跌幅。韩国股市27日早盘遭逢来自外资与法人的卖压，以三星电子为首的科技股领跌。
2017-11-28 12:19:39928 三星表示，这款512GB的闪存芯片专门面向移动设备开发，其中整合了八个多层存储数据的V-NAND芯片。和过去三星256GB的芯片相比，虽然容量翻一倍，但是使用的空间却相同。这给手机设计带来了福音。
2017-12-06 11:03:441513 据悉，东芝的第 6 座工厂（Fab 6）还没有完工，东芝就宣布将在日本兴建第7座NAND Flash工厂，韦德就是能在2018年与三星，Intel、及 SK 海力士进行实力竞争。94 层 V-NAND 闪存生产将会是东芝的下一个计划。
2017-12-27 14:06:092171 三星手机存储器最新资料下载
2018-01-19 09:44:541 因2017年存储器领域遭遇大幅度的内存不足，飚价过高，三星等存储器巨头借此赚的钵满盆盈。今年中国厂商将进行大规模的扩产存储器，存储器价格将会有所松动，也就是说三星半导体龙头将不保。
2018-02-01 09:37:211089 西安3D V-NAND芯片厂是三星最大的海外投资项目之一，也是是三星第二座3D V-NAND芯片厂。今日报道，工业气体供应商空气产品公司将助力三星生产的3D V-NAND闪存芯片，宣布将为3D V-NAND芯片厂供气。
2018-02-03 11:07:271538 位于西安高新技术开发区的芯片厂是三星电子最大的海外投资项目之一，也是中国最先进的半导体工厂之一。其生产的3D V-NAND闪存芯片广泛应用于嵌入式NAND存储、固态硬盘、移动设备和其它消费电子产品。
2018-02-09 10:18:468073 在市场NAND Flash快闪存储器供应仍有缺口，导致价格继续维持高位的情况下，包括国际大厂三星、SK海力士、东芝，以及中国厂商长江存储存纷纷宣布扩产以增加产能之际，7日美商存储器大厂美光（Micron）也宣布扩产，以补足市场供不应求的缺口。
2018-06-11 12:01:001319 三星电子 30 日宣布，已开始正式量产全球首款 32GB 容量、适用于小型双列直插式存储器模组（SoDIMM）规格的电竞笔电 DDR4 存储器。而新的 SoDIMM 存储器模组是以 10 纳米制程技术打造，可以用户享受丰富的电竞游戏之外，并具有更大的容量与更快的速度，而且佣有更低的耗能表现。
2018-06-11 11:49:001095 位于武汉“中国光谷”的国家存储器基地项目芯片生产机台11日正式进场安装，这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段，我国首批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于年内量产，从而填补我国主流存储器领域空白。
2018-06-20 10:26:002457 根据韩国媒体的报导，韩国存储器大厂三星已经确认，将会在韩国平泽市兴建一座新的半导体工厂，用于扩大DRAM、NAND Flash快闪存储器的产能。 之前，韩国媒体《FN News》曾经引用业界人士和平
2018-03-06 18:59:115298 ，存储器内的信息仍然存在，主要是闪存（Nand FLASH 和 NOR FLASH），NOR 主要应用于代码存储介质中，而 NAND 则用于数据存储。
2018-04-09 15:45:33113864 在旧金山的闪存峰会上，三星宣布推出新一代V-NAND单晶粒，容量高达1Tb，用于消费级产品。
2018-05-16 23:41:001196 三星 17 日宣布，量产首批 8GB LPDDR5 存储器颗粒，速率可达 6，400Mbps，比现有 LPDDR4-4266 存储器快了 50%，同时功耗降低 30%，三星现在已经完成了 8GB
2018-07-18 17:56:004088 三星在半导体市场的地位举足轻重，尤其是存储器更是独霸一方，但是这也导致三星的业务对于存储器的依赖过于严重，而如今最火爆的AI方面，三星有些迟钝了，该如何追赶成为现在最重要的事。
2018-06-20 09:54:373847 三星电子今天宣布，已经开始批量生产业内首款512GB嵌入式通用闪存（eUFS），以用于下一代移动设备。据介绍，三星512GB eUFS采用了三个三星最新的64层512千兆（Gb）V-NAND芯片和一个控制器芯片。
2018-07-10 09:39:001189 三星终于宣布开始大规模生产其第五代V-NAND存储芯片，声称其堆叠层数超过90层，可能指的是其96层，制造生产率可提高30%以上。三星新的V-NAND支持Toggle DDR4.0 NAND接口，可拥有更高的传输速度。
2018-07-12 14:46:002032 据外媒7月10日报道，顶级NAND闪存芯片制造商三星宣布已开始大规模生产其第五代V-NAND闪存芯片。
2018-07-13 14:22:054460 三星第五代V-NAND 3D堆叠闪存业界首次采用Toggle DDR 4.0接口，传输速率提升至1.4Gbps，与前代64层堆栈的V-NAND闪存相比提升了40%。数据写入延迟仅为500微秒，比上代提升30％，而读取信号响应时间也大幅缩短到50微秒。
2018-07-17 11:52:173338 三星17日宣布，量产首批8GB LPDDR5存储器颗粒，速率可达6,400Mbps，比现有LPDDR4-4266存储器快了50%，同时功耗降低30%，三星现在已经完成了8GB LPDDR5存储器的测试。
2018-07-20 10:39:445216 面对2018年各大闪存颗粒厂商已经大规模量产64层堆栈3D NAND的情况，三星正式宣布开始量产第五代V-NAND闪存颗粒，堆栈数将超过90层。
2018-07-24 14:36:328259 三星电子有限公司今天宣布推出三星移动固态硬盘T5-全新的移动固态硬盘（PSSD），提升了外部存储产品的性能标准。T5采用三星最新的64层V-NAND（垂直NAND）技术和紧凑耐用的设计，具有业界领先的传输速度和加密的数据安全性，使消费者更轻松随时随地访问其最有价值的数据。
2018-07-26 17:43:092951 此外，新的V-NAND数据写入速度仅延迟了500微妙，与前一代相比改进了30%，读取信号时间已降低到50微妙。值得一提的是新的96层V-NAND闪存芯片也更加节能，电压从1.8V降至1.2V。
2018-07-27 17:11:001476 三星电子也不甘示弱，早先已经宣布量产96层堆叠第五代V-NAND闪存，并宣布会在年内推出全球第一款32TB超大容量SSD。
2018-08-07 14:32:115169 据日媒指出，三星2019年针对存储器的投资总体会减少，但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中，在DRAM部分，三星将大减20%资本支出；而在NAND Flash部分，三星的投资仍将持续增加。
2018-10-10 16:13:443814 三星新一代860 QVO系列固态硬盘于今日上架美国官网，作为三星首款面向消费者的QLC固态硬盘，它采用传统的2.5寸盘规格，内部为三星自主MJX主控、三星自产V-NAND QLC闪存颗粒，容量规格有1TB、2TB、4TB。1TB版本官方建议零售价149.99美元。
2018-11-30 14:08:012848 的单位面积上，TLC闪存比MLC存储的数据更多，而MLC又比SLC存储的数据多。另一种新型的NAND闪存称为3D NAND或V-NAND（垂直NAND）。通过在同一晶圆上垂直堆叠多层存储单元，这种类型的闪存可以获得更大的密度。
2018-12-17 15:50:242506 的单位面积上，TLC闪存比MLC存储的数据更多，而MLC又比SLC存储的数据多。另一种新型的NAND闪存称为3D NAND或V-NAND(垂直NAND)。通过在同一晶圆上垂直堆叠多层存储单元，这种类型的闪存可以获得更大的密度。
2019-04-17 16:32:346335 
在2016年的旧金山闪存峰会上，三星公布了Z-NAND与Z-SSD的相关信息。后者基于第四代V-NAND，但由于具有一些新的特性（介于DRAM内存和NAND闪存之间）、包含独特的电路设计与优化后的主控，三星于是用Z-NAND来命名这款闪存芯片。
2019-08-31 09:43:426632 三星发布全新企业级固态硬盘PM1733，该产品采用了三星自家研发的主控，搭配自家的第五代V-NAND闪存，单Die容量512Gb(64GB)，提供两种不同规格，一个是2.5英寸双U.2接口，另一个是PCIe接口。
2019-08-21 16:52:493293 三星推出了第六代V-NAND内存，为了进一步提高容量和密度，它拥有100多个活动层。从性能的角度来看，要使V-NAND具有超过100层的可行性，三星公司不得不使用新的电路设计技术。
2019-09-09 16:05:251778 根据韩国媒体报导，在当前存储器价格已经触底反弹，整体市场库水水位也进一步降低的情况之下，三星决定开始恢复针对存储器产业的投资。而根据知情人士的消息指出，三星最近为韩国P2晶圆厂订购了DRAM设备，也
2019-10-30 15:15:303224 NAND闪存巨头三星电子宣布开始量产业界首款消费级QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64层3D堆叠，单芯片容量1Tb（128GB）。
2019-12-13 11:35:481654 固态硬盘市场的霸主三星，是四大NAND闪存厂商中最早量产3D NAND闪存的，也是目前技术最强的，已经发展了三代V-NAND闪存，堆栈层数达到了48层。
2019-12-22 11:19:011517 3月18日，据韩国媒体报道，三星电子已经开始批量生产一种512GB的eUSF 3.1高速智能手机存储器，该存储器能够在4秒内存储5GB内容，相当于一部蓝光电影。
2020-03-20 10:51:281830 据了解，136层第六代V-NAND闪存是三星今年的量产主力。韩媒报道称三星可能会大幅改进制造工艺，从现在的单堆栈（single-stack）升级到双堆栈（double-stack），以便制造更高层数的3D闪存。
2020-04-20 09:06:01776 的投资额就达8万亿韩元（约合470亿元人民币）。新冠肺炎疫情导致NAND市场的不确定性大增。然而，三星电子过往多选择在景气低迷时大举投资，以此增强其在存储器领域的竞争力，此次再度大举投资扩产，或将带动其他NAND闪存厂商的跟进，再掀NAND闪存的扩产浪潮。
2020-06-16 10:07:173960 在市场NAND Flash快闪存储器供应仍有缺口，导致价格继续维持高位的情况下，包括国际大厂三星、SK海力士、东芝，以及中国厂商长江存储存纷纷宣布扩产以增加产能之际，7日美商存储器大厂美光（Micron）也宣布扩产，以补足市场供不应求的缺口。
2020-09-03 16:42:011016 众所周知，三星电子在NAND闪存芯片市场上一直保持领先地位，占有30％以上的份额。但是，由于竞争对手开始表现出更好的工艺，它们似乎在挑战三星的技术能力。
2021-02-26 15:49:373205 官方发布 今日，三星宣布已开发出用于企业服务器的PM1743固态硬盘。PM1743固态硬盘拥有最新的PCIe 5.0接口和三星先进的第6代V-NAND闪存技术。
2021-12-30 11:57:363953 而主要的 NAND 制造商正在竞相增加垂直 3D NAND 门的数量，并推出了 1yyL 3D NAND 设备。例如，三星 V7 V-NAND、铠侠和西部数据公司 (WDC) BiCS6、美光第 2 代 CTF CuA 和 SK 海力士第 2 和第 3 代 4D PUC NAND 。
2022-07-13 15:30:114733 市场对更高密度、更大容量存储的需求，推动了V-NAND层数的增加，三星采用3D缩放（3D scaling）技术，减少表面积并降低高度，同时避免了缩小时通常会发生的单元间的干扰。我们的第8代V-NAND将有助于满足快速增长的市场需求，更好地提供差异化产品和解决方案，有望成为未来存储创新的基础。
2022-11-07 10:33:551379 * 三星第8代V-NAND具有目前三星同类产品中最高的存储密度，可更高效地为企业扩展存储空间 深圳2020年11月8日 /美通社/ -- 作为全球化的半导体企业，正如在2022年度闪存峰会
2022-11-08 13:37:361624 三星采用 3D 缩放（3D scaling）技术，减少表面积并降低高度，同时避免了缩小时通常会发生的单元间的干扰。通过这项技术，三星显著的提升每片晶圆的存储密度，使三星的存储密度达到了新的高度。
2022-11-10 09:43:25847 存储器的历史始于1984年，彼时 Masuoka 教授发明了 NAND Flash（NAND 闪存）。1989年，东芝首款 NAND Flash 上市。2001年，许多Flash厂商推出MLC
2022-11-25 14:57:352730 1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存储密度，可为全球企业系统提供容量更大、密度更高的存储解决方案。
2022-12-06 10:39:311027 三星已经减少了主要nand闪存生产基地的晶圆投入额。这就是韩国的平泽、华城和中国的西安。业内人士认为，三星的nand闪存产量可能会减少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1业绩中，由于市场持续低迷，三星电子正式公布了存储器减产计划。
2023-08-16 10:23:581255 三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈，三星电子计划在2023年正式生产第9代V-NAND闪存，三星第9代V-NAND闪存
2023-08-21 18:30:53888 2023年9月6日三星电子宣布推出固态硬盘990 PRO系列4TB（万亿字节）产品，预计将于10月正式进入中国市场。990 PRO系列属于高性能PCIe【1】4.0固态硬盘系列，采用三星第8代V-NAND技术和三星自研控制器。
2023-09-07 09:44:151750 
三星采取此举的目的很明确，希望通过此举逆转整个闪存市场，稳定NAND闪存价格，并实现明年上半年逆转市场等目标。
2023-11-03 17:21:112284 近日，三星宣布正在研发一种新型的LLW DRAM存储器，这一创新技术具有高带宽和低功耗的特性，有望引领未来内存技术的发展。
2024-01-12 14:42:031225 三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20% 三星认为NAND Flash价格过低；在减产和获利优先政策的促使下三星计划与客户就NAND闪存价格重新谈判，目标价位是涨价15%—20%。
2024-03-14 15:35:22995 据韩媒Hankyung透露，第九代V-NAND闪存的堆叠层数将高达290层，但IT之家此前曾报道过，三星在学术会议上展示了280层堆叠的QLC闪存，其IO接口速度可达3.2GB/s。
2024-04-12 16:05:391410 据韩国业界消息，三星最早将于本月开始量产当前业界密度最高的290层第九代V-NAND（3D NAND）闪存芯片。
2024-04-17 15:06:591502 三星公司预计将于今年四月份大批量生产目前行业内为止密度最大的290层第九代V-NAND （3D NAND） 闪存芯片，这是继之前的236层第八代V-NAND后的显著提升，也代表着当前行业中最高的可量产堆叠层数。
2024-04-18 09:49:201500 近日，三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC产品开始量产，这将有助于巩固其在NAND闪存市场的卓越地位。
2024-04-23 11:48:051287 作为九代V-NAND的核心技术，双重堆叠技术使旗舰V8闪存的层数从236层增至290层，主要应用于大型企业服务器及人工智能与云计算领域。据了解，三星计划于明年推出第十代NAND芯片，采用三重堆叠技术
2024-04-28 10:08:011536 在技术层面，第九代V-NAND无疑展现出了三星的卓越技术实力。它采用了双重堆叠技术，在原有的旗舰V8闪存236层的基础上，再次实现了技术上的重大突破，堆叠层数飙升至惊人的290层。
2024-04-28 16:02:241874 第九代V-NAND采用双堆叠设计，将旗舰版V8闪存原先的236层进一步增加至290层，主要应用于大型企业服务器及人工智能与云计算设备领域。
2024-04-28 17:36:181369 据悉，Switch 2游戏机可能搭载由三星代工厂生产的SoC（英伟达Tegra T239芯片，采用三星7LPH工艺节点）。此外，任天堂还计划采用三星第五代V-NAND存储技术以及三星作为显示面板供应商。
2024-04-29 10:23:182172 据韩国媒体最新报道，三星电子在其第9代V-NAND闪存技术中实现了重大突破，首次在“金属布线”工艺中引入了钼（Mo）技术。这一创新标志着三星在半导体制造领域的又一次技术飞跃。
2024-07-04 09:23:501262 microSD 存储卡 PRO Plus 和 EVO Plus 采用三星先进的 V-NAND 技术，可安全可靠地捕捉和存储日常瞬间 性能提升后，顺序读取速度高达 180MB/s，传输速度达
2024-08-01 09:24:59699 
三星电子今日宣布了一项重大里程碑——其自主研发的1太比特（Tb）容量四层单元（QLC）第九代V-NAND闪存已正式迈入量产阶段。这一成就不仅标志着三星在存储技术领域的持续领先，也预示着数据存储市场即将迎来一场革命性的变革。
2024-09-12 16:27:311108 三星电子在NAND闪存技术领域再次迈出重要一步，其最新推出的QLC V-NAND第九代产品，集成了多项前沿技术突破，标志着数据存储性能与容量的全新飞跃。这款基于双堆栈架构的QLC V-NAND，通过创新的通道孔蚀刻技术，实现了业界领先的单元层数，为各类AI应用提供了前所未有的内存解决方案。
2024-09-23 14:53:521479 三星电子在车载存储技术领域迈出了重要一步，正式宣布成功研发出业界首款基于其先进第八代V-NAND技术的PCIe 4.0车载SSD——AM9C1。这一创新成果不仅标志着三星在车载数据存储领域的深厚积累与前瞻布局，更为未来智能汽车的高性能、高效率数据存储需求提供了强有力的支持。
2024-09-24 15:24:031104 近日，据供应链消息，三星电子与铠侠正考虑在第四季度对NAND闪存进行减产，并预计根据市场状况分阶段实施。
2024-10-30 16:18:46970 近日，业界传出消息称，三星电子将大幅削减MLC NAND闪存的产能供给，并计划在2024年底停止在现货市场销售该类产品，而到了2025年6月，MLC NAND闪存可能会正式停产。这一消息引起了业界
2024-11-21 14:16:121474 EMMC存储器概述 EMMC存储器是一种基于NAND闪存技术的存储卡，它集成了闪存芯片和控制器，提供了一种即插即用的存储解决方案。与传统的NAND闪存相比，EMMC具有更快的数据传输速度、更高
2024-12-25 09:26:254059 近日，三星电子已做出决定，将减少其位于中国西安工厂的NAND闪存产量。这一举措被视为三星电子为保护自身盈利能力而采取的重要措施。 当前，全球NAND闪存市场面临供过于求的局面，预计今年NAND闪存
2025-01-14 14:21:24867 近日，据韩媒报道，三星位于中国西安的NAND闪存工厂正在加速推进技术升级与产能扩张计划。该工厂在成功将制程从第六代V-NAND(即136层技术)转换至第八代V-NAND(238层技术)的基础上，年内
2025-02-14 13:43:271089
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