存储芯片大厂SK海力士宣布完成了业内首款多堆栈176层4D闪存的研发,TLC颗粒,容量达512Gb(64GB)。
据,SK海力士透露,该闪存单元架构为CTF(电荷捕获),同时集成了PUC技术,堆叠层数达到了176层,每片晶圆可以切割更多有效的闪存硅片。除了容量增加35%,闪存单元的读取速度也提升了20%,使用加速技术可使得传输速度加快33%到1.6Gbps。SK海力士将其称之为“4D闪存”。
SK海力士预计相关产品明年年中上市,目前主控厂商已经在测试样品,预计会在手机闪存领域首发,目标是70%的的读速提升和35%的写速提升,后续还会应用到消费级SSD和企业产品上。
另外,SK海力士已经表示,正在开发1Tb(128GB)容量的176层4D闪存。显然,今后手机可以在更紧凑的空间内做到大容量ROM空间了。
编辑:hfy
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