的堆叠NAND闪存 V-NAND实现了具有最新第六代产品的128层单堆叠，并通过TLC实现了512 Gb（千兆位）容量。它计划于2020年投放市场，并且正在针对在5年内达到500层或更多层的堆栈
2019-11-25 09:52:31
6442 投资80亿美元。 根据一份新报告，三星将增加对中国芯片工厂的投资，以促进NAND闪存芯片的生产。据推测，在大笔投资之前，该公司预测由于供应有限以及对第五代网络和设备的需求增加，明年内存需求的激增将反弹。 目前，三星是全
2019-12-13 15:44:314805 畿道华城的三星华城半导体工厂停电约1分钟。 由于这次事故，三星电子停止了其位于韩国华城芯片工厂的部分DRAM和NAND闪存芯片生产线，该公司目前这些产线正在检修中。 预计损失将小于三星平泽半导体工厂在2018年的损失。在平泽半导体工厂停电期间，三星
2020-01-02 10:45:156202 三星目前已完成32层堆叠第二代V-NAND的研发作业，计划第3季推出48层堆叠第三代V-NAND产品后，于2016年生产64层堆叠的V-NAND产品。
2015-08-11 08:32:001030 256Gb 3D V-NAND闪存芯片。目前备受瞩目的三星48层V-NAND 3D快闪存储器已经出现在市场上了，TechInsights的拆解团队总算等到了大好机会先睹为快。
2016-07-13 10:32:437470 电子发烧友早八点讯：三星今天在韩国宣布，开始大规模量产64层堆叠、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND闪存芯片，是为第四代3D闪存。
2017-06-16 06:00:002458 V-NAND 1Tb TLC达290层，已开始量产。根据规划，2025年主流闪存厂商的产品都将进入300层+，甚至400层以上。至于远期，到2030年闪存有望突破1000层。 2024 年三星第9 代
2024-05-25 00:55:005554 
三星大中华区首席技术官裵容徹先生表示，三星不断进行技术创新，新一代的QLC产品成本可以降低60%，同时还推出了容量高达1Tb的V-NAND技术，速度将会达到1200Mbps。在市场应用方面，三星推出
2018-09-20 17:57:05
韩国三星电子日前宣布，位于中国陕西省西安市的半导体新工厂已正式投产。该工厂采用最尖端的3D技术，生产用于服务器等的NAND闪存（V-NAND）。三星电子希望在IT（信息技术）设备生产基地聚集的中国
2014-05-14 15:27:09
较为激进的技术路线，以挽回局面。
4 月 18 日消息，据韩媒《ChosunBiz》当地时间 16 日报道，三星电子在其 4nm 制程 HBM4 内存逻辑芯片的初步测试生产中取得了40% 的良率，这高于
2025-04-18 10:52:53
三星宣布将开发手持式装置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）读取芯片，能让使用者透过手机得知产品和服务信息，但三星并未透露产品何时上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
据美国研究公司ICInsights发布报告预计，销售额显示，三星电子有很大可能性，超过英特尔成为全球最大的芯片商。 油柑网利用WMS物流系统在高准确率、优化仓储空间、提高人工效率等方面的特点，为用户
2019-04-24 17:17:53
本帖最后由 elecfans跑堂 于 2015-9-14 10:19 编辑
新五代的密码哦
2015-09-12 12:17:58
对DRAM芯片的强劲需求将继续超过供应，因三星和第二大记忆体芯片厂商SK海力士的新厂料在2019年前不会投产；此外，截至9月NAND闪存的需求则连续第六季超过供应。供苹果新手机使用的有机发光二极体（OLED）面板的销售增长，也支撑了第四季获利创纪录新高的预期。
2017-10-13 16:56:04
的3D闪存了，三星公司7月初宣布了第五代V－NAND闪存（3DNAND闪存中的一种），率先支持ToggleDDR4．0接口，传输速度达到了1．4Gbps，相比64层堆栈的V－NAND闪存提升了40
2021-07-13 06:38:27
有什么方法能证明混合电子传输层提高了器件效率？该如何去操作这类实验？
2021-04-07 06:16:45
三星的K9F1G08U0A nand flash芯片，手册说有Unique ID可以用，但是没有说明具体怎么操作。另外在其他三星nor flash芯片手册中有看到OTP区域，可以来保存Unique
2017-03-21 09:22:02
高价回收三星芯片高价回收三星芯片，专业收购三星芯片。深圳帝欧专业电子回收，高价收购ic电子料。帝欧赵生***（同步微信），QQ:1816233102/764029970邮箱
2021-07-06 19:32:41
韩国三星电子公司周一说，它和苹果电脑公司就合资生产NAND闪存芯片的谈判已告失败。NAND闪存芯片是苹果最新便携音乐播放
2006-03-13 13:05:36610 三星宣布开始量产两种新型30nm制程NAND闪存芯片
三星近日宣布将开始量产两款30nm制程NAND闪存芯片产品。其中一种闪存产品采用类似DDR内存的双倍传输技术，据三星公司
2009-12-02 08:59:23700 三星推出64GB moviNAND闪存芯片
三星近日公布了两款采用新制程技术的闪存产品。其中moviNAND闪存芯片产品使用了三星最新的3xnm制程NAND芯片，单片封装的最大容量可达64GB
2010-01-14 17:00:041005 闪存巨头再度发力：三星公司在本届闪存记忆体峰会上连续公布了32 TB SSD、1TB BGA以及一款高速Z-SSD方案。其中32TB SSD利用64层3D NAND构建而成，即三星旗下的V-NAND品牌，同时配合TLC（即三层单元）设计。
2016-08-19 15:57:111041 三维闪存“V-NAND”技术实现了每芯片32GB（256Gbit）的大容量化。也就是运用MLC（Multi Level Cell）技术的第三代V-NAND，尝试在每个芯片内垂直堆叠了48层存储单元。
2016-10-31 17:57:241111 3月7日消息，虽然东芝是NAND闪存芯片的发明者，但三星目前已经是NAND芯片行业的领跑者，并且其优势在不断扩大。
2017-03-07 15:53:451726 做为世界最大的记忆芯片生产商，三星将在2021年前对位于平泽市的NAND闪存工厂投入14.4万亿韩元。此外，位于华城市的半导体生产线也将拿到6万亿韩元的投资。剩下的1万亿韩元，将分配给三星位于韩国的OLED屏幕工厂。同时，三星还计划为西安的NAND闪存生产基地添置一条新的生产线。
2017-07-04 15:57:301192 三星是全球最大的NAND闪存芯片制造商，这次开足马力让第四代3D NAND闪存芯片大规模生产，可以缓解闪存、SSD目前短缺的状况，当然也能拉低产品的售价。
2017-07-05 08:47:54795 三星表示，这款512GB的闪存芯片专门面向移动设备开发，其中整合了八个多层存储数据的V-NAND芯片。和过去三星256GB的芯片相比，虽然容量翻一倍，但是使用的空间却相同。这给手机设计带来了福音。
2017-12-06 11:03:441513 据悉，东芝的第 6 座工厂（Fab 6）还没有完工，东芝就宣布将在日本兴建第7座NAND Flash工厂，韦德就是能在2018年与三星，Intel、及 SK 海力士进行实力竞争。94 层 V-NAND 闪存生产将会是东芝的下一个计划。
2017-12-27 14:06:092171 三星电子(Samsung Electronics)3D NAND生产比重，传已在2017年第4季突破80%，三星计划除了部分车用产品外，2018年将进一步提升3D NAND生产比重至90%以上，全面进入3D NAND时代。
2018-07-06 07:02:001447 西安3D V-NAND芯片厂是三星最大的海外投资项目之一，也是是三星第二座3D V-NAND芯片厂。今日报道，工业气体供应商空气产品公司将助力三星生产的3D V-NAND闪存芯片，宣布将为3D V-NAND芯片厂供气。
2018-02-03 11:07:271538 位于西安高新技术开发区的芯片厂是三星电子最大的海外投资项目之一，也是中国最先进的半导体工厂之一。其生产的3D V-NAND闪存芯片广泛应用于嵌入式NAND存储、固态硬盘、移动设备和其它消费电子产品。
2018-02-09 10:18:468075 在旧金山的闪存峰会上，三星宣布推出新一代V-NAND单晶粒，容量高达1Tb，用于消费级产品。
2018-05-16 23:41:001196 三星电子今天宣布，已经开始批量生产业内首款512GB嵌入式通用闪存（eUFS），以用于下一代移动设备。据介绍，三星512GB eUFS采用了三个三星最新的64层512千兆（Gb）V-NAND芯片和一个控制器芯片。
2018-07-10 09:39:001189 三星终于宣布开始大规模生产其第五代V-NAND存储芯片，声称其堆叠层数超过90层，可能指的是其96层，制造生产率可提高30%以上。三星新的V-NAND支持Toggle DDR4.0 NAND接口，可拥有更高的传输速度。
2018-07-12 14:46:002034 据外媒7月10日报道，顶级NAND闪存芯片制造商三星宣布已开始大规模生产其第五代V-NAND闪存芯片。
2018-07-13 14:22:054460 三星第五代V-NAND 3D堆叠闪存业界首次采用Toggle DDR 4.0接口，传输速率提升至1.4Gbps，与前代64层堆栈的V-NAND闪存相比提升了40%。数据写入延迟仅为500微秒，比上代提升30％，而读取信号响应时间也大幅缩短到50微秒。
2018-07-17 11:52:173338 近日，存储芯片大厂三星正式宣布已开始量产96层堆叠、单Die 32GB容量的第五代V-NAND闪存芯片。同时，三星还正式发布了首款LPDDR5内存芯片。可以说，三星在存储领域进一步拉开了与其他竞争对手的差距。
2018-07-22 08:52:4711171 
面对2018年各大闪存颗粒厂商已经大规模量产64层堆栈3D NAND的情况，三星正式宣布开始量产第五代V-NAND闪存颗粒，堆栈数将超过90层。
2018-07-24 14:36:328259 三星电子有限公司今天宣布推出三星移动固态硬盘T5-全新的移动固态硬盘（PSSD），提升了外部存储产品的性能标准。T5采用三星最新的64层V-NAND（垂直NAND）技术和紧凑耐用的设计，具有业界领先的传输速度和加密的数据安全性，使消费者更轻松随时随地访问其最有价值的数据。
2018-07-26 17:43:092951 三星电子也不甘示弱，早先已经宣布量产96层堆叠第五代V-NAND闪存，并宣布会在年内推出全球第一款32TB超大容量SSD。
2018-08-07 14:32:115170 近日，存储芯片大厂三星正式宣布已开始量产96层堆叠、单Die 32GB容量的第五代V-NAND闪存芯片。同时，三星还正式发布了首款LPDDR5内存芯片。可以说，三星在存储领域进一步拉开了与其他竞争对手的差距。
2018-08-17 14:52:2227795 今年8月初，NAND闪存巨头三星电子宣布开始量产业界首款消费级QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64层3D堆叠，单芯片容量1Tb（128GB）。
2018-11-23 08:36:521379 三星新一代860 QVO系列固态硬盘于今日上架美国官网，作为三星首款面向消费者的QLC固态硬盘，它采用传统的2.5寸盘规格，内部为三星自主MJX主控、三星自产V-NAND QLC闪存颗粒，容量规格有1TB、2TB、4TB。1TB版本官方建议零售价149.99美元。
2018-11-30 14:08:012848 6月15日，三星电子宣布已经开始量产第四代64层256Gb V-NAND，与48层256Gb V-NAND相比，生产效率将提高30%以上。东芝/西部数据、美光、SK海力士等在2017上半年也均宣布
2018-12-10 10:00:571562 在2016年的旧金山闪存峰会上，三星公布了Z-NAND与Z-SSD的相关信息。后者基于第四代V-NAND，但由于具有一些新的特性（介于DRAM内存和NAND闪存之间）、包含独特的电路设计与优化后的主控，三星于是用Z-NAND来命名这款闪存芯片。
2019-08-31 09:43:426632 的V-NAND闪存，目前已经发展了三代V-NAND技术，堆栈层数从之前的24层提高到了48层，TLC类型的3D NAND核心容量可达到256Gb容量，在自家的840、850及950系列SSD上都有使用。
2019-09-04 09:17:137175 8月6日，三星电子宣布已开始批量生产250千兆字节（SATA）固态硬盘（SSD），该硬盘集成了该公司的第六代（1xx层）256Gb，适用于全球PC OEM的三位V-NAND。通过在短短13个月内推出新一代V-NAND，三星已将批量生产周期缩短了四个月，同时确保了业界最高的性能，功效和制造生产率。
2019-08-07 17:10:553350 
三星发布全新企业级固态硬盘PM1733，该产品采用了三星自家研发的主控，搭配自家的第五代V-NAND闪存，单Die容量512Gb(64GB)，提供两种不同规格，一个是2.5英寸双U.2接口，另一个是PCIe接口。
2019-08-21 16:52:493293 三星推出了第六代V-NAND内存，为了进一步提高容量和密度，它拥有100多个活动层。从性能的角度来看，要使V-NAND具有超过100层的可行性，三星公司不得不使用新的电路设计技术。
2019-09-03 10:38:04981 三星推出了第六代V-NAND内存，为了进一步提高容量和密度，它拥有100多个活动层。从性能的角度来看，要使V-NAND具有超过100层的可行性，三星公司不得不使用新的电路设计技术。
2019-09-09 16:05:251778 三星电子计划将其NAND闪存价格提高10％，原因是日本政府对半导体材料出口限制导致生产中断的担忧日益增加。美光科技等其他公司也可能效仿。
2019-11-18 15:37:411013 三星电子宣布已开始批量生产250千兆字节（GB）SATA固态硬盘（SSD），该硬盘集成了该公司的第6代（1xx层）256千兆位（Gb）三位V- NAND。该公司已将SSD交付给全球PC制造商。
2019-11-22 17:07:39896 三星是全球最大的存储芯片生产商、供应商，仅仅是NAND闪存就占了全球1/3的份额，不过韩国本土的工厂已经不是最大的闪存生产基地了，三星这几年来大力投资中国西安，一期及正在建设中的二期投资已经将西安工厂变成了全球最大的闪存基地。
2019-12-11 15:25:071436 12 月 11 日讯，近日，三星电子闪存芯片项目二期第二阶段 80 亿美元投资正式启动。据悉，三星电子一期投资 108 亿美元，建成了三星电子存储芯片项目和封装测试项目；二期项目总投资 150 亿美元，主要制造闪存芯片。
2019-12-12 11:37:56743 NAND闪存巨头三星电子宣布开始量产业界首款消费级QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64层3D堆叠，单芯片容量1Tb（128GB）。
2019-12-13 11:35:481655 固态硬盘市场的霸主三星，是四大NAND闪存厂商中最早量产3D NAND闪存的，也是目前技术最强的，已经发展了三代V-NAND闪存，堆栈层数达到了48层。
2019-12-22 11:19:011518 根据消息报道，西部数据公司和Kioxia(铠侠)公司宣布，他们最新一代的3D NAND闪存已经开发成功，第五代BiCS 3D NAND已经开始以512 Gb颗粒形式生产，今年下半年可能会实现商业化量产。
2020-02-04 16:25:345215 据了解，136层第六代V-NAND闪存是三星今年的量产主力。韩媒报道称三星可能会大幅改进制造工艺，从现在的单堆栈（single-stack）升级到双堆栈（double-stack），以便制造更高层数的3D闪存。
2020-04-20 09:06:01776 6月1日，三星电子宣布，将扩大其在韩国平泽市（Pyeongtaek）NAND闪存芯片生产能力。
2020-06-02 14:55:022317 近日，三星电子宣布了在韩国平泽厂区的扩产计划，除扩建采用极紫外光（EUV）的晶圆代工生产线及DRAM产能之外，还将扩大3DNAND闪存方面的产能规模。业界预估三星电子仅用于3DNAND闪存方面
2020-06-16 10:07:173960 继三星去年实现量产128层第六代NAND闪存芯片后，又在两个月前宣布将完成160层第七代NAND闪存芯片的开发，目前看来三星已经将对手远远甩在身后。
2020-06-18 16:06:512328 我们都知道，构成SSD的主要IC有主控芯片和NAND闪存，目前闪存制造厂主要分为三星与东芝联合的ToggleDDR阵营和英特尔与美光为首的ONFI阵营，今天小编就来你了解闪存产品的核心—NAND闪存芯片的分类。
2020-09-18 14:34:528552 据美媒Anandtech报道，美光日前宣布了其第五代3D NAND闪存，新一代产品拥有破纪录的176层构造。报道指出，新型176L闪存是自美光与英特尔的存储器合作解散以来推出的第二代产品，此后美光从浮栅（ floating-gate）存储单元设计转变为电荷陷阱（charge-trap）单元。
2020-11-10 14:56:593478 美光刚刚宣布了其第五代3D NAND闪存技术，达到了创纪录的176层堆叠。这也是美光、Intel在闪存合作上分道扬镳之后，自己独立研发的第二代3D NAND闪存。
2020-11-11 11:50:212927 1月15日消息，据国外媒体报道，由于市场上的图像传感器严重短缺，三星已从2020年12月份开始将CMOS图像传感器（CIS）的价格提高了40%左右，而其他图像传感器供应商也将CIS的价格提高了20%左右。
2021-01-15 10:20:243144 三星已经宣布了一项新技术，使您可以在智能手机的屏幕下方使用摄像头，现在有新消息指出，组件短缺危机可能会对CMOS传感器市场产生非常严重的影响，三星应该提高CMOS传感器的价格。根据最近的消息来源，这一比例达到40％
2021-01-17 10:03:542314 了解到，与基于第五代 V-NAND 的 PM983a （M.2）相比，PM9A3 的性能得到了显著提升，拥有 3000MB/s 顺序写入速度和 750K IOPS 随机读取速度以及 160K IOPS
2021-02-24 16:00:212319 众所周知，三星电子在NAND闪存芯片市场上一直保持领先地位，占有30％以上的份额。但是，由于竞争对手开始表现出更好的工艺，它们似乎在挑战三星的技术能力。
2021-02-26 15:49:373205 官方发布 今日，三星宣布已开发出用于企业服务器的PM1743固态硬盘。PM1743固态硬盘拥有最新的PCIe 5.0接口和三星先进的第6代V-NAND闪存技术。
2021-12-30 11:57:363958 三星的UFS4.0闪存芯片采用全新第7代V-NAND技术，传输带宽每通道达到23.2Gbps，相较UFS3.1提升一倍，顺序读取速度可以达到4200MB/s，同时顺序写入速度也提升到2800MB/s
2022-05-05 10:45:274464 
市场对更高密度、更大容量存储的需求，推动了V-NAND层数的增加，三星采用3D缩放（3D scaling）技术，减少表面积并降低高度，同时避免了缩小时通常会发生的单元间的干扰。我们的第8代V-NAND将有助于满足快速增长的市场需求，更好地提供差异化产品和解决方案，有望成为未来存储创新的基础。
2022-11-07 10:33:551380 * 三星第8代V-NAND具有目前三星同类产品中最高的存储密度，可更高效地为企业扩展存储空间 深圳2020年11月8日 /美通社/ -- 作为全球化的半导体企业，正如在2022年度闪存峰会
2022-11-08 13:37:361626 三星采用 3D 缩放（3D scaling）技术，减少表面积并降低高度，同时避免了缩小时通常会发生的单元间的干扰。通过这项技术，三星显著的提升每片晶圆的存储密度，使三星的存储密度达到了新的高度。
2022-11-10 09:43:25848 1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存储密度，可为全球企业系统提供容量更大、密度更高的存储解决方案。
2022-12-06 10:39:311027 三星已经确定了新一代3D NAND闪存的开发计划，预计在2024年推出第九代3D NAND，其层数可达到280层
2023-07-04 17:03:293143 据《电子时报》报道，三星提出的512gb nand闪存晶片单价为1.60美元，比2023年初的1.40美元约上涨15%。但消息人士表示，由于上下nand闪存的库存缓慢，很难说服上调价格。
2023-08-02 11:56:241964 三星已经减少了主要nand闪存生产基地的晶圆投入额。这就是韩国的平泽、华城和中国的西安。业内人士认为，三星的nand闪存产量可能会减少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1业绩中，由于市场持续低迷，三星电子正式公布了存储器减产计划。
2023-08-16 10:23:581259 最近，三星集团援引业界有关负责人的话表示，计划到2024年批量生产300段以上的第9代3d nand。预计将采用将nand存储器制作成两个独立的程序之后，将其一起组装的dual stack技术。三星将于2020年从第7代176段3d nand开始首次使用双线程技术。
2023-08-18 11:09:052016 三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈，三星电子计划在2023年正式生产第9代V-NAND闪存，三星第9代V-NAND闪存
2023-08-21 18:30:53888 三星决定升级西安工厂的原因大致有两个。第一，在nand闪存市场尚未出现恢复迹象的情况下，在nand闪存市场保持世界领先地位。受从去年年底开始的it景气低迷和半导体景气低迷的影响，三星nand的销量增加，从而使亏损扩大。
2023-10-16 14:36:001975 三星采取此举的目的很明确，希望通过此举逆转整个闪存市场，稳定NAND闪存价格，并实现明年上半年逆转市场等目标。
2023-11-03 17:21:112288 三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20% 三星认为NAND Flash价格过低；在减产和获利优先政策的促使下三星计划与客户就NAND闪存价格重新谈判，目标价位是涨价15%—20%。
2024-03-14 15:35:22995 据韩媒Hankyung透露，第九代V-NAND闪存的堆叠层数将高达290层，但IT之家此前曾报道过，三星在学术会议上展示了280层堆叠的QLC闪存，其IO接口速度可达3.2GB/s。
2024-04-12 16:05:391415 据韩国业界消息，三星最早将于本月开始量产当前业界密度最高的290层第九代V-NAND（3D NAND）闪存芯片。
2024-04-17 15:06:591504 三星公司预计将于今年四月份大批量生产目前行业内为止密度最大的290层第九代V-NAND （3D NAND） 闪存芯片，这是继之前的236层第八代V-NAND后的显著提升，也代表着当前行业中最高的可量产堆叠层数。
2024-04-18 09:49:201500 近日，三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC产品开始量产，这将有助于巩固其在NAND闪存市场的卓越地位。
2024-04-23 11:48:051287 作为九代V-NAND的核心技术，双重堆叠技术使旗舰V8闪存的层数从236层增至290层，主要应用于大型企业服务器及人工智能与云计算领域。据了解，三星计划于明年推出第十代NAND芯片，采用三重堆叠技术
2024-04-28 10:08:011540 在技术层面，第九代V-NAND无疑展现出了三星的卓越技术实力。它采用了双重堆叠技术，在原有的旗舰V8闪存236层的基础上，再次实现了技术上的重大突破，堆叠层数飙升至惊人的290层。
2024-04-28 16:02:241874 第九代V-NAND采用双堆叠设计，将旗舰版V8闪存原先的236层进一步增加至290层，主要应用于大型企业服务器及人工智能与云计算设备领域。
2024-04-28 17:36:181369 据悉，Switch 2游戏机可能搭载由三星代工厂生产的SoC（英伟达Tegra T239芯片，采用三星7LPH工艺节点）。此外，任天堂还计划采用三星第五代V-NAND存储技术以及三星作为显示面板供应商。
2024-04-29 10:23:182172 据报道，三星电子在最新的半导体技术探索中遭遇了挑战。其第五代10nm级（1b）制程DRAM的良率尚未达到业界通常期望的80%~90%的水平，这一状况引发了业界的广泛关注。
2024-06-13 09:41:181485 据韩国媒体最新报道，三星电子在其第9代V-NAND闪存技术中实现了重大突破，首次在“金属布线”工艺中引入了钼（Mo）技术。这一创新标志着三星在半导体制造领域的又一次技术飞跃。
2024-07-04 09:23:501262 三星电子今日宣布了一项重大里程碑——其自主研发的1太比特（Tb）容量四层单元（QLC）第九代V-NAND闪存已正式迈入量产阶段。这一成就不仅标志着三星在存储技术领域的持续领先，也预示着数据存储市场即将迎来一场革命性的变革。
2024-09-12 16:27:311109 三星电子在NAND闪存技术领域再次迈出重要一步，其最新推出的QLC V-NAND第九代产品，集成了多项前沿技术突破，标志着数据存储性能与容量的全新飞跃。这款基于双堆栈架构的QLC V-NAND，通过创新的通道孔蚀刻技术，实现了业界领先的单元层数，为各类AI应用提供了前所未有的内存解决方案。
2024-09-23 14:53:521479 三星电子在车载存储技术领域迈出了重要一步，正式宣布成功研发出业界首款基于其先进第八代V-NAND技术的PCIe 4.0车载SSD——AM9C1。这一创新成果不仅标志着三星在车载数据存储领域的深厚积累与前瞻布局，更为未来智能汽车的高性能、高效率数据存储需求提供了强有力的支持。
2024-09-24 15:24:031104 近日，据供应链消息，三星电子与铠侠正考虑在第四季度对NAND闪存进行减产，并预计根据市场状况分阶段实施。
2024-10-30 16:18:46970 的广泛关注。 然而，三星电子并未对这一传闻进行正面回应，反而强调市场传言不实，并表示未来将持续生产MLC NAND闪存。尽管如此，多家供应链业者仍指出，三星在年底进行的人事大改组后，产线规划很可能也会有所调整，这进一步加剧了业界对MLC NAND闪存未来命运的担
2024-11-21 14:16:121474 的使用量降低至目前的一半。这一技术革新不仅将显著降低生产成本，还将有助于提升生产效率，为三星在全球NAND闪存市场的竞争中增添更多优势。 光刻胶是半导体制造过程中不可或缺的关键材料之一，其质量和性能直接影响到芯片的生产质量和良
2024-11-27 11:00:24957 价格将出现暴跌。在这样的市场环境下，三星电子面临着巨大的压力，难以维持过去那种压倒性的生产力。 据报道，SK海力士正在积极增加NAND闪存的供应规模，这无疑加剧了市场竞争。面对如此激烈的竞争环境，三星电子不得不重新审视自身的生产策略
2025-01-14 14:21:24867 还将进一步迈出重要一步——建设第九代V-NAND(286层技术)产线。 报道指出，为了实现这一目标，三星西安NAND厂将在今年上半年引入生产第九代V-NAND所需的新设备。这些先进设备的导入，将为产线建设提供坚实的基础，确保技术升级顺利进行。 据悉，三星西安NAND厂的目标
2025-02-14 13:43:271092
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