三星宣布量产第九代V-NAND 1Tb TLC产品，采用290层双重堆叠技术

近日，三星半导体宣布已顺利实现第九代V-NAND 1Tb TLC产品大规模生产，单芯片容量较前代提升近50%，同时通过新型通道孔蚀刻技术提升了生产效益。

作为九代V-NAND的核心技术，双重堆叠技术使旗舰V8闪存的层数从236层增至290层，主要应用于大型企业服务器及人工智能与云计算领域。据了解，三星计划于明年推出第十代NAND芯片，采用三重堆叠技术，层数有望达到惊人的430层，从而大幅提升NAND密度，巩固并扩大其行业领导地位。

市场研究机构Omdia预测，尽管NAND闪存市场在2023年出现37.7%的下滑，但预计今年将迎来38.1%的反弹。为抓住这一市场机遇，三星承诺加大对NAND业务的投入力度。

值得注意的是，三星高层曾表示，公司计划在2030年前研发出超过1000层的NAND芯片，以满足日益增长的数据存储需求。