SK海力士发布176层TLC 4D NAND闪存
根据外媒 TechPowerUp 的消息，SK 海力士公司发布了 176 层 512 Gb 三层 TLC 4D NAND 闪存。
SK 海力士表示新的 176 层 NAND 闪存采用加速技术，数据传输速度提高了 33%，达到 1.6 Gbps。明年年中，SK 海力士将推出最大读取速度提高 70%、最大写入速度提高 35% 的移动解决方案产品，并计划推出消费者和企业 SSD 产品，进而扩大该产品的应用市场。
SK 海力士还计划开发基于 176 层 4D NAND的 1Tb 密度的闪存，从而持续增强其在NAND闪存业务的竞争力。
IT之家曾报道，11月初，美光科技宣布已批量出货全球首款 176 层 3D NAND 闪存。这款 176 层 NAND 产品采用美光第五代 3D NAND 技术和第二代替换栅极架构。
美光科技表示，与美光的上一代大容量 3D NAND 产品相比，176 层 NAND 将数据读取和写入延迟缩短了 35% 以上。美光的 176 层 NAND 采用紧凑型设计，裸片尺寸比市场最接近同类产品缩小近 30%。美光 176 层三层单元 （TLC） 3D NAND 已在美光新加坡晶圆制造工厂量产并向客户交付，包括通过其英睿达 （Crucial） 消费级 SSD 产品线。美光将在 2021 日历年推出基于该技术的更多新产品。
责任编辑：haq
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
闪存
+关注
关注
16文章
1918浏览量
117471 -
TLC
+关注
关注
0文章
139浏览量
52833 -
SK海力士
+关注
关注
0文章
1014浏览量
41911
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
SK海力士荣获2026年IEEE企业创新奖
SK海力士（或‘公司’）26日宣布，公司于当地时间24日在美国纽约举行的“2026年IEEE*荣誉颁奖典礼”上，荣获企业创新奖（Corporate Innovation Award）。
SK海力士发布2026财年第一季度财务报告
SK海力士（简称‘公司’）今日发布截至2026年3月31日的2026财年第一季度财务报告。公司2026财年第一季度营业收入为52.5763万亿韩元，营业利润为37.6103万亿韩元，净利润为40.3459万亿韩元。2026财年第
AI浪潮下的业绩狂飙：SK海力士2026年一季度财报深度解析
北京时间4月23日早间，全球存储芯片巨头SK海力士发布2026年第一季度财报，数据一经披露便引发资本市场热议。尽管营收52.6万亿韩元略低于市场预期的53.6万亿韩元，但净利润40.3
SK海力士投资19万亿韩元在韩国建设先进封装厂
近日，SK海力士宣布投资19万亿韩元（约合128.5亿美元）在韩国清州建设新一代先进封装工厂，专注于高带宽存储器（HBM）芯片的制造。该工厂预计2027年底完工，采用2.5D/3D封装
KV缓存黑科技！SK海力士“H³存储架构”，HBM和HBF技术加持！
据韩国经济日报报道，SK海力士近日在IEEE（电气与电子工程师协会）全球半导体大会上发表论文，提出了一种全新的存储架构。据悉，该架构名为“H³（hybrid semiconductor
SK海力士HBS存储技术，基于垂直导线扇出VFO封装工艺
电子发烧友网综合报道，据韩媒报道，存储行业巨头SK海力士正全力攻克一项全新的性能瓶颈技术高带宽存储HBS。 SK海力士研发的这项HBS技术采用了创新的芯片堆叠方案。根据规划，该技术
SK海力士发布未来存储路线图
电子发烧友网综合报道，近日，韩国首尔举行的“SK AI Summit 2025”峰会上，SK海力士CEO郭鲁正（Kwak Noh-Jung）正式宣布了公司向 “全线AI存储创造者”（Full
SK海力士ZUFS 4.1闪存，手机端AI运行时间缩短47%！
电子发烧友网综合报道，SK海力士宣布，已正式向客户供应其全球率先实现量产的移动端NAND闪存解决方案产品ZUFS 4.1。 SK
强强合作 Sandisk闪迪与SK海力士携手推动高带宽闪存技术标准化
Sandisk闪迪公司（NASDAQ：SNDK）正式宣布与SK海力士签署具有里程碑意义的谅解备忘录（Memorandum of Understanding，MOU），双方将携手制定高带宽闪存
SK海力士321层4D NAND的诞生
SK海力士致力于成为“全方位面向AI的存储器供应商（Full Stack AI Memory Provider）”，不仅在DRAM领域持续创新，在NAND闪存（
SK海力士在微细工艺技术领域的领先实力
SK海力士的成功神话背后，离不开众多核心技术的支撑，其中最令人瞩目的便是“微细工艺”。通过对肉眼难以辨识的微细电路进行更为精细化的处理，SK海力士凭借压倒性的技术实力，引领着全球半导体
SK海力士HBM技术的发展历史
SK海力士在巩固其面向AI的存储器领域领导地位方面，HBM1无疑发挥了决定性作用。无论是率先开发出全球首款最高性能的HBM，还是确立并保持其在面向AI的存储器市场的领先地位，这些成就的背后皆源于SK
SK海力士宋清基TL荣庸发明日铜塔产业勋章
SK海力士宣布，5月19日于首尔COEX麻谷会展中心举行的“第60届发明日纪念仪式”上，来自HBM开发部门的宋清基TL荣庸铜塔产业勋章。
SK海力士如何成为面向AI的存储器市场领跑者
近年来，SK海力士屡获创新成果，这些成就皆得益于“一个团队”协作精神（One Team Spirit）”。无论是创下历史最佳业绩、开发出全球领先产品，还是跃升成为全球顶级面向AI的存储器供应商，这些
SK海力士UFS 4.1来了，基于321层1Tb TLC 4D NAND闪存
电子发烧友网综合报道，SK海力士宣布公司成功开发出搭载全球最高321层1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4
评论