19日,在东京举行的 Samsung SSD Forum 2019 Tokyo会上。三星电子存储器部门产品规划团队高级董事总经理Jinman就所展示的解决方案进行了演讲。 Jinman解释说，该公司
2019-11-25 09:52:31
6442 三星目前已完成32层堆叠第二代V-NAND的研发作业，计划第3季推出48层堆叠第三代V-NAND产品后，于2016年生产64层堆叠的V-NAND产品。
2015-08-11 08:32:001030 256Gb 3D V-NAND闪存芯片。目前备受瞩目的三星48层V-NAND 3D快闪存储器已经出现在市场上了，TechInsights的拆解团队总算等到了大好机会先睹为快。
2016-07-13 10:32:437470 电子发烧友早八点讯：三星今天在韩国宣布，开始大规模量产64层堆叠、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND闪存芯片，是为第四代3D闪存。
2017-06-16 06:00:002458 V-NAND 1Tb TLC达290层，已开始量产。根据规划，2025年主流闪存厂商的产品都将进入300层+，甚至400层以上。至于远期，到2030年闪存有望突破1000层。 2024 年三星第9 代
2024-05-25 00:55:005554 
的话，英特尔预计在2017年二季度将实现144亿美元的销售额，而三星电子的销售额预计将达到146亿美元。因此如果存储芯片的市场价格在二季度及余下时间里都能持续增长，三星电子将会取代英特尔成为全球最大
2019-04-24 17:17:53
三星大中华区首席技术官裵容徹先生表示，三星不断进行技术创新，新一代的QLC产品成本可以降低60%，同时还推出了容量高达1Tb的V-NAND技术，速度将会达到1200Mbps。在市场应用方面，三星推出
2018-09-20 17:57:05
韩国三星电子日前宣布，位于中国陕西省西安市的半导体新工厂已正式投产。该工厂采用最尖端的3D技术，生产用于服务器等的NAND闪存（V-NAND）。三星电子希望在IT（信息技术）设备生产基地聚集的中国
2014-05-14 15:27:09
务部，Samsung SDI，在美国底特律国际车展上发布了此款电动车电池的设计原型。三星SDI表示新电池密度更高，充饱电可供电动汽车行驶最远达600公里；较之前的最高纪录500公里，此款新电池足以甩开它们好几个
2016-01-15 16:34:30
海力士也将在2021年中推出基于176层4D NAND新技术的UFS和SSD产品。而三星虽然还未宣布下一代产品具体层数，但是近期也在公开会议中表示，将在2021年量产第七代V-NAND，使用“双堆栈
2022-01-26 08:35:58
NAND只需要提高堆栈层数，目前多种工艺架构并存。从2013年三星推出了第一款24层SLC/MLC 3D V-NAND，到现在层数已经迈进200+层，并即将进入300+层阶段。目前，三星/西部数据
2024-12-17 17:34:06
欧电子长期全国回收品原装存储芯片：三星samsung，海力士SK hynix，现代hyniy，展讯SPREADTRUM，微芯MICROCHIP，闪迪SANDISK芯片,东芝 TOSHIBA芯片,南亚
2021-08-20 19:11:25
的3D闪存了，三星公司7月初宣布了第五代V－NAND闪存（3DNAND闪存中的一种），率先支持ToggleDDR4．0接口，传输速度达到了1．4Gbps，相比64层堆栈的V－NAND闪存提升了40
2021-07-13 06:38:27
代V-NAND技术。据三星官方消息显示，新款 V-NAND 运用三星电子有的“通道孔蚀刻”技术，向前代 9x 层单堆叠架构增加了约 40% 单元。这是通过构建由 136 层组成的导电模具堆栈，然后垂直
2020-03-19 14:04:57
三星宣布开始量产两种新型30nm制程NAND闪存芯片
三星近日宣布将开始量产两款30nm制程NAND闪存芯片产品。其中一种闪存产品采用类似DDR内存的双倍传输技术，据三星公司
2009-12-02 08:59:23700 上周东芝及西部数据宣布，已研发出堆叠64层的3D NAND Flash制程，并将于2017年上半年开始量产，不过恐怕仍无法超车NAND Flash市占王三星。
2016-08-02 14:53:261430 闪存巨头再度发力：三星公司在本届闪存记忆体峰会上连续公布了32 TB SSD、1TB BGA以及一款高速Z-SSD方案。其中32TB SSD利用64层3D NAND构建而成，即三星旗下的V-NAND品牌，同时配合TLC（即三层单元）设计。
2016-08-19 15:57:111041 三维闪存“V-NAND”技术实现了每芯片32GB（256Gbit）的大容量化。也就是运用MLC（Multi Level Cell）技术的第三代V-NAND，尝试在每个芯片内垂直堆叠了48层存储单元。
2016-10-31 17:57:241111 近日三星推出了基于小型下一代小型（NGSFF）（*）的最高容量NVMe SSD - 一个8TB NF1 （**） SSD。
2018-07-18 10:53:002322 三星表示，这款512GB的闪存芯片专门面向移动设备开发，其中整合了八个多层存储数据的V-NAND芯片。和过去三星256GB的芯片相比，虽然容量翻一倍，但是使用的空间却相同。这给手机设计带来了福音。
2017-12-06 11:03:441513 据悉，东芝的第 6 座工厂（Fab 6）还没有完工，东芝就宣布将在日本兴建第7座NAND Flash工厂，韦德就是能在2018年与三星，Intel、及 SK 海力士进行实力竞争。94 层 V-NAND 闪存生产将会是东芝的下一个计划。
2017-12-27 14:06:092171 三星的第3代动力电池能量密度是在550wh/L，相当于210—230wh/kg，已经实现量产。下一代3.5代产品能量密度可以达到630 wh/L，预计在2019年量产。
2018-01-25 08:32:447127 西安3D V-NAND芯片厂是三星最大的海外投资项目之一，也是是三星第二座3D V-NAND芯片厂。今日报道，工业气体供应商空气产品公司将助力三星生产的3D V-NAND闪存芯片，宣布将为3D V-NAND芯片厂供气。
2018-02-03 11:07:271538 的一部分。此前我们曾评测过4TB 860PRO版本，今天继续为大家带来1TB容量评测。 三星860PRO 1TB SSD属于850 PRO SSD的替代型号，他们的外观和风格基本一致，860 PRO主体
2018-02-15 06:11:0012757 位于西安高新技术开发区的芯片厂是三星电子最大的海外投资项目之一，也是中国最先进的半导体工厂之一。其生产的3D V-NAND闪存芯片广泛应用于嵌入式NAND存储、固态硬盘、移动设备和其它消费电子产品。
2018-02-09 10:18:468073 的10倍之多，用起来更放心，只不过4TB容量的SSD现阶段售价太贵，1．1万元的价格不是普通人能接受得了的。好在三星还提供了多种容量组合，需要兼顾容量、性能、价格的用户可以考虑1TB容量的，目前售价2399元，比上代还要便宜一些，同时使用寿命是上代产品的4倍。
2018-06-04 09:42:0053847 在旧金山的闪存峰会上，三星宣布推出新一代V-NAND单晶粒，容量高达1Tb，用于消费级产品。
2018-05-16 23:41:001196 三星电子今天发布了一款全新的SSD固态硬盘，型号“PM883”，最大特点是第一次用上了LPDDR4内存作为缓存颗粒。PM883面向数据数据中心市场，采用标准的2.5寸SATA规格，主控方案未知（估计是三星自家的），闪存是三星64层3D V-NAND颗粒，容量4TB、8TB两种可选。
2018-06-26 16:07:0013654 三星电子今天宣布，已经开始批量生产业内首款512GB嵌入式通用闪存（eUFS），以用于下一代移动设备。据介绍，三星512GB eUFS采用了三个三星最新的64层512千兆（Gb）V-NAND芯片和一个控制器芯片。
2018-07-10 09:39:001189 三星终于宣布开始大规模生产其第五代V-NAND存储芯片，声称其堆叠层数超过90层，可能指的是其96层，制造生产率可提高30%以上。三星新的V-NAND支持Toggle DDR4.0 NAND接口，可拥有更高的传输速度。
2018-07-12 14:46:002032 据外媒7月10日报道，顶级NAND闪存芯片制造商三星宣布已开始大规模生产其第五代V-NAND闪存芯片。
2018-07-13 14:22:054460 三星第五代V-NAND 3D堆叠闪存业界首次采用Toggle DDR 4.0接口，传输速率提升至1.4Gbps，与前代64层堆栈的V-NAND闪存相比提升了40%。数据写入延迟仅为500微秒，比上代提升30％，而读取信号响应时间也大幅缩短到50微秒。
2018-07-17 11:52:173338 三星17日宣布，量产首批8GB LPDDR5存储器颗粒，速率可达6,400Mbps，比现有LPDDR4-4266存储器快了50%，同时功耗降低30%，三星现在已经完成了8GB LPDDR5存储器的测试。
2018-07-20 10:39:445216 近日，存储芯片大厂三星正式宣布已开始量产96层堆叠、单Die 32GB容量的第五代V-NAND闪存芯片。同时，三星还正式发布了首款LPDDR5内存芯片。可以说，三星在存储领域进一步拉开了与其他竞争对手的差距。
2018-07-22 08:52:4711170 
面对2018年各大闪存颗粒厂商已经大规模量产64层堆栈3D NAND的情况，三星正式宣布开始量产第五代V-NAND闪存颗粒，堆栈数将超过90层。
2018-07-24 14:36:328259 三星电子有限公司今天宣布推出三星移动固态硬盘T5-全新的移动固态硬盘（PSSD），提升了外部存储产品的性能标准。T5采用三星最新的64层V-NAND（垂直NAND）技术和紧凑耐用的设计，具有业界领先的传输速度和加密的数据安全性，使消费者更轻松随时随地访问其最有价值的数据。
2018-07-26 17:43:092951 此外，新的V-NAND数据写入速度仅延迟了500微妙，与前一代相比改进了30%，读取信号时间已降低到50微妙。值得一提的是新的96层V-NAND闪存芯片也更加节能，电压从1.8V降至1.2V。
2018-07-27 17:11:001476 三星电子也不甘示弱，早先已经宣布量产96层堆叠第五代V-NAND闪存，并宣布会在年内推出全球第一款32TB超大容量SSD。
2018-08-07 14:32:115169 很显然从今年开始，厂商们都开始将目光转向了QLC闪存，之前Intel就已经推出了首款搭载QLC闪存的SSD，而现在三星也正式宣布量产首款搭载QLC闪存的SSD，这些SSD从1TB起步，共有1TB、2TB和4TB三种规格。
2018-08-07 17:00:031358 近日，存储芯片大厂三星正式宣布已开始量产96层堆叠、单Die 32GB容量的第五代V-NAND闪存芯片。同时，三星还正式发布了首款LPDDR5内存芯片。可以说，三星在存储领域进一步拉开了与其他竞争对手的差距。
2018-08-17 14:52:2227792 今年8月初，NAND闪存巨头三星电子宣布开始量产业界首款消费级QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64层3D堆叠，单芯片容量1Tb（128GB）。
2018-11-23 08:36:521378 经过测试，三星UFS存储卡（1TB）的随机读取速度达到了126.4MB/s，顺序读取速度达到了510.82MB/s，表现远远超过了传统MicroSD卡。
2019-09-10 15:01:002790 三星新一代860 QVO系列固态硬盘于今日上架美国官网，作为三星首款面向消费者的QLC固态硬盘，它采用传统的2.5寸盘规格，内部为三星自主MJX主控、三星自产V-NAND QLC闪存颗粒，容量规格有1TB、2TB、4TB。1TB版本官方建议零售价149.99美元。
2018-11-30 14:08:012848 天字一号闪存企业三星电子今天（1月30日）宣布开始量产单芯片1TB容量的UFS存储产品，主力用于智能手机。
2019-02-11 11:33:414435 
96 层 3D NAND 四级单元（QLC）技术的 microSD 卡。1TB microSD 卡可以为消费者的手机和其他电子设备提供经济高效的存储方案，实现流畅的 4K 视频、图片和游戏体验。
2019-02-26 17:26:511306 三星电子宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片，将服务于高端应用场景，这距离三星量产1y nm 8Gb DDR4内存芯片仅过去16个月。
2019-03-24 11:36:164320 三星电子公布了全球首款单芯片1TB UFS2.1闪存，该款嵌入式闪存标志着智能存储将迈入TB级别。
2019-07-03 11:15:34971 SK海力士宣布已向主要SSD（固态硬盘）控制器公司提供新的1Tb QLC NAND样品，并开发了自己的QLC软件算法和控制器，计划扩大基于96层1Tb QLC 4D NAND的组合产品。
2019-07-25 15:08:544098 在2016年的旧金山闪存峰会上，三星公布了Z-NAND与Z-SSD的相关信息。后者基于第四代V-NAND，但由于具有一些新的特性（介于DRAM内存和NAND闪存之间）、包含独特的电路设计与优化后的主控，三星于是用Z-NAND来命名这款闪存芯片。
2019-08-31 09:43:426632 8月6日，三星电子宣布已开始批量生产250千兆字节（SATA）固态硬盘（SSD），该硬盘集成了该公司的第六代（1xx层）256Gb，适用于全球PC OEM的三位V-NAND。通过在短短13个月内推出新一代V-NAND，三星已将批量生产周期缩短了四个月，同时确保了业界最高的性能，功效和制造生产率。
2019-08-07 17:10:553350 
Galaxy Book S提供了13.3英寸的全高清触控屏，采用8GB LPDDR4X内存，最高512GB机身存储，最多支持1TB的micro SD卡。这款笔记本电脑的电池42Wh，三星称视频播放时间长达23小时，这表明充满电就能用一整天。该笔记本电脑还支持QC 2.0和PD 2.0快充。
2019-08-09 08:46:551648 三星发布全新企业级固态硬盘PM1733，该产品采用了三星自家研发的主控，搭配自家的第五代V-NAND闪存，单Die容量512Gb(64GB)，提供两种不同规格，一个是2.5英寸双U.2接口，另一个是PCIe接口。
2019-08-21 16:52:493293 三星推出了第六代V-NAND内存，为了进一步提高容量和密度，它拥有100多个活动层。从性能的角度来看，要使V-NAND具有超过100层的可行性，三星公司不得不使用新的电路设计技术。
2019-09-03 10:38:04981 三星推出了第六代V-NAND内存，为了进一步提高容量和密度，它拥有100多个活动层。从性能的角度来看，要使V-NAND具有超过100层的可行性，三星公司不得不使用新的电路设计技术。
2019-09-09 16:05:251778 美光宣布推出一系列全新micro SD存储卡，称为i300系列，其容量从32GB到1TB不等，以满足视频监控市场和其他工业应用的边缘存储需求，其中具有最大存储容量的型号是美光i3001TB3microSDXC UHS-I，可容纳1TB数据，是所有micro SD卡的最高容量。
2019-11-19 10:40:191624 三星电子宣布已开始批量生产250千兆字节（GB）SATA固态硬盘（SSD），该硬盘集成了该公司的第6代（1xx层）256千兆位（Gb）三位V- NAND。该公司已将SSD交付给全球PC制造商。
2019-11-22 17:07:39896 660p 仅采用了 64 层 3D QLC NAND 。为了与西部数据（WD）争抢上市，英特尔率先推出了 1TB 的版本，2TB 版本则要等到 2020 年 1 季度。
2019-11-26 15:20:383769 NAND闪存巨头三星电子宣布开始量产业界首款消费级QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64层3D堆叠，单芯片容量1Tb（128GB）。
2019-12-13 11:35:481654 三星S10 Lite正面搭载20:9的6.7英寸Super AMOLED屏幕，屏幕分辨率为1080 X 2400，同时采用挖孔屏设计，开孔的位置位于屏幕顶部中央；搭载高通骁龙855移动平台，辅以8GB+128GB内存组合，支持最大1TB microSD卡拓展。
2019-12-20 11:40:173221 固态硬盘市场的霸主三星，是四大NAND闪存厂商中最早量产3D NAND闪存的，也是目前技术最强的，已经发展了三代V-NAND闪存，堆栈层数达到了48层。
2019-12-22 11:19:011517 今日凌晨，XDA主编Max Winebach爆料称，三星Galaxy S20 Ultra 5G将保留SD卡插槽，最高支持1TB存储卡扩展。
2020-01-14 14:15:2011160 
从去年底到现在，NAND闪存价格止跌回升，连带着SSD硬盘价格也上涨了不少，现在1TB容量的SSD全面回到了千元甚至更高价位。什么时候1TB SSD硬盘才能降到300多元呢？这还得再等等，需要第四代QLC闪存了。
2020-04-01 09:14:261332 4月8日消息，近日，SK海力士宣布推出基于首款 128 层 1Tb TLC 4D NAND 闪存的企业级 SSD-- PE8111，是针对读取密集型应用设计的高容量存储解决方案。SK海力士是一家全球存储器半导体制造商，其产品组合中包括 DRAM，NAND 闪存和控制器，以及 SSD 的全套技术。
2020-04-09 14:09:194475 据了解，136层第六代V-NAND闪存是三星今年的量产主力。韩媒报道称三星可能会大幅改进制造工艺，从现在的单堆栈（single-stack）升级到双堆栈（double-stack），以便制造更高层数的3D闪存。
2020-04-20 09:06:01776 2020年11月4日，北京长江存储致钛系列PC005 Active NVMe 1TB版本消费级固态硬盘(SSD)，已经于致钛京东店铺正式开售。本次NVMe 1TB版本的面世，让广大消费者能够在享受
2020-11-04 11:39:394102 1 月 19 日消息 根据外媒 WinFuture 的消息，三星即将发布新款的 870 EVO SSD ，采用了 TLC 颗粒，SATA 3 接口，最高 4TB 容量。 IT之家了解到，三星 870
2021-01-19 17:52:314572 据供应链消息，今年 iPhone Pro 系列的最高存储容量将从 512GB 翻倍到 1TB。
2021-03-05 16:35:20892 官方发布 今日，三星宣布已开发出用于企业服务器的PM1743固态硬盘。PM1743固态硬盘拥有最新的PCIe 5.0接口和三星先进的第6代V-NAND闪存技术。
2021-12-30 11:57:363953 三星的UFS4.0闪存芯片采用全新第7代V-NAND技术，传输带宽每通道达到23.2Gbps，相较UFS3.1提升一倍，顺序读取速度可以达到4200MB/s，同时顺序写入速度也提升到2800MB/s
2022-05-05 10:45:274463 
而主要的 NAND 制造商正在竞相增加垂直 3D NAND 门的数量，并推出了 1yyL 3D NAND 设备。例如，三星 V7 V-NAND、铠侠和西部数据公司 (WDC) BiCS6、美光第 2 代 CTF CuA 和 SK 海力士第 2 和第 3 代 4D PUC NAND 。
2022-07-13 15:30:114733 市场对更高密度、更大容量存储的需求，推动了V-NAND层数的增加，三星采用3D缩放（3D scaling）技术，减少表面积并降低高度，同时避免了缩小时通常会发生的单元间的干扰。我们的第8代V-NAND将有助于满足快速增长的市场需求，更好地提供差异化产品和解决方案，有望成为未来存储创新的基础。
2022-11-07 10:33:551379 和2022年度三星内存技术日上所承诺的，三星今日宣布，已开始量产三星产品中具有最高存储密度的1Tb（太字节）三比特单元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存储密度，可为全球企业系统提供容量更大、密度更高的存储解决方案。 三星电子第八代V-NAND，
2022-11-08 13:37:361624 三星采用 3D 缩放（3D scaling）技术，减少表面积并降低高度，同时避免了缩小时通常会发生的单元间的干扰。通过这项技术，三星显著的提升每片晶圆的存储密度，使三星的存储密度达到了新的高度。
2022-11-10 09:43:25847 基于先进的5纳米工艺控制器和第七代 V-NAND 技术，PM9C1a将个人计算机日常工作效率提升至新高度，同时，可处理高要求的计算和游戏任务 深圳2023年1月12日 /美通社/ -- 今日，三星
2023-01-12 21:32:101153 最近，三星集团援引业界有关负责人的话表示，计划到2024年批量生产300段以上的第9代3d nand。预计将采用将nand存储器制作成两个独立的程序之后，将其一起组装的dual stack技术。三星将于2020年从第7代176段3d nand开始首次使用双线程技术。
2023-08-18 11:09:052015 三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈，三星电子计划在2023年正式生产第9代V-NAND闪存，三星第9代V-NAND闪存
2023-08-21 18:30:53888 正式进入中国市场。990 PRO系列属于高性能PCIe【1】 4.0固态硬盘系列，采用三星第8代V-NAND技术和三星自研控制器。 990 PRO系列拥有强悍的速度和优秀的功效，并且针对3D/4K图形处理
2023-09-07 09:35:411162 
2023年9月6日三星电子宣布推出固态硬盘990 PRO系列4TB（万亿字节）产品，预计将于10月正式进入中国市场。990 PRO系列属于高性能PCIe【1】4.0固态硬盘系列，采用三星第8代V-NAND技术和三星自研控制器。
2023-09-07 09:44:151750 
2024年2月28日 - 三星电子今日宣布，已开始向客户提供其256GB¹ SD Express² microSD存储卡样品，该款存储卡顺序读取速度最高可达800MB/s，此外，1TB³ UHS-1 microSD存储卡现已进入量产阶段。
2024-02-28 10:38:341705 三星Display第8.6代OLED面板产线启动设施导入 全球首条 三星Dispaly在OLED面板上加大了投入，据外媒报道，三星Display的第8.6代OLED面板产线已经在3月10日启动设施
2024-03-11 15:42:321582 据韩媒Hankyung透露，第九代V-NAND闪存的堆叠层数将高达290层，但IT之家此前曾报道过，三星在学术会议上展示了280层堆叠的QLC闪存，其IO接口速度可达3.2GB/s。
2024-04-12 16:05:391410 据韩国业界消息，三星最早将于本月开始量产当前业界密度最高的290层第九代V-NAND（3D NAND）闪存芯片。
2024-04-17 15:06:591502 三星公司预计将于今年四月份大批量生产目前行业内为止密度最大的290层第九代V-NAND （3D NAND） 闪存芯片，这是继之前的236层第八代V-NAND后的显著提升，也代表着当前行业中最高的可量产堆叠层数。
2024-04-18 09:49:201500 据相关业内人士21日透露，近期三星电子NAND开工率已提高至90%，此前存储行业衰退时三星开工率一度下降至60%。
2024-04-22 15:26:29967 近日，三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC产品开始量产，这将有助于巩固其在NAND闪存市场的卓越地位。
2024-04-23 11:48:051287 作为九代V-NAND的核心技术，双重堆叠技术使旗舰V8闪存的层数从236层增至290层，主要应用于大型企业服务器及人工智能与云计算领域。据了解，三星计划于明年推出第十代NAND芯片，采用三重堆叠技术
2024-04-28 10:08:011536 在技术层面，第九代V-NAND无疑展现出了三星的卓越技术实力。它采用了双重堆叠技术，在原有的旗舰V8闪存236层的基础上，再次实现了技术上的重大突破，堆叠层数飙升至惊人的290层。
2024-04-28 16:02:241874 第九代V-NAND采用双堆叠设计，将旗舰版V8闪存原先的236层进一步增加至290层，主要应用于大型企业服务器及人工智能与云计算设备领域。
2024-04-28 17:36:181369 据悉，Switch 2游戏机可能搭载由三星代工厂生产的SoC（英伟达Tegra T239芯片，采用三星7LPH工艺节点）。此外，任天堂还计划采用三星第五代V-NAND存储技术以及三星作为显示面板供应商。
2024-04-29 10:23:182172 在人工智能（AI）技术日新月异的今天，数据中心对大容量固态硬盘（SSD）的需求呈现出前所未有的增长态势。业内最新消息显示，由于NAND闪存供应可能在下半年出现短缺，三星电子的V8-NAND技术正成为市场关注的焦点。
2024-07-01 10:11:121151 据韩国媒体最新报道，三星电子在其第9代V-NAND闪存技术中实现了重大突破，首次在“金属布线”工艺中引入了钼（Mo）技术。这一创新标志着三星在半导体制造领域的又一次技术飞跃。
2024-07-04 09:23:501262 160MB/s，可轻松处理较大文件 韩国首尔--2024年7月31日--三星电子宣布推出1 TB大容量microSD存储卡PRO Plus和EVO Plus。PRO Plus和EVO Plus采用三星第八代
2024-08-01 09:24:59699 
三星电子在半导体技术的创新之路上再迈坚实一步，据业界消息透露，该公司计划于今年年底正式启动第6代高带宽存储器（HBM4）的流片工作。这一举措标志着三星电子正紧锣密鼓地为明年年底实现12层HBM4产品的量产做足准备。
2024-08-22 17:19:071465 三星电子今日宣布了一项重大里程碑——其自主研发的1太比特（Tb）容量四层单元（QLC）第九代V-NAND闪存已正式迈入量产阶段。这一成就不仅标志着三星在存储技术领域的持续领先，也预示着数据存储市场即将迎来一场革命性的变革。
2024-09-12 16:27:311108 三星电子在NAND闪存技术领域再次迈出重要一步，其最新推出的QLC V-NAND第九代产品，集成了多项前沿技术突破，标志着数据存储性能与容量的全新飞跃。这款基于双堆栈架构的QLC V-NAND，通过创新的通道孔蚀刻技术，实现了业界领先的单元层数，为各类AI应用提供了前所未有的内存解决方案。
2024-09-23 14:53:521479 三星电子在车载存储技术领域迈出了重要一步，正式宣布成功研发出业界首款基于其先进第八代V-NAND技术的PCIe 4.0车载SSD——AM9C1。这一创新成果不仅标志着三星在车载数据存储领域的深厚积累与前瞻布局，更为未来智能汽车的高性能、高效率数据存储需求提供了强有力的支持。
2024-09-24 15:24:031104 9月26日，三星电子震撼发布了其旗舰级固态硬盘新品——990 EVO Plus，该产品标志着存储技术的新里程碑。融合了三星自研的第8代V-NAND尖端技术与突破性的5纳米主控芯片，990 EVO Plus在性能与效率上树立了新的标杆。
2024-09-26 17:06:272684 1. 三星显示计划继续出售第8 代LCD 设备，全面转向OLED 据韩媒报道，韩国面板大厂三星显示计划继续出售第8代液晶显示器（LCD）设备，此次计划出售的设备包括L8-1-2和L8
2024-12-19 11:07:45722 近日，三星电子已做出决定，将减少其位于中国西安工厂的NAND闪存产量。这一举措被视为三星电子为保护自身盈利能力而采取的重要措施。 当前，全球NAND闪存市场面临供过于求的局面，预计今年NAND闪存
2025-01-14 14:21:24867 还将进一步迈出重要一步——建设第九代V-NAND(286层技术)产线。 报道指出，为了实现这一目标，三星西安NAND厂将在今年上半年引入生产第九代V-NAND所需的新设备。这些先进设备的导入，将为产线建设提供坚实的基础，确保技术升级顺利进行。 据悉，三星西安NAND厂的目标
2025-02-14 13:43:271090
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