继美光后,SK海力士宣布完成了业内首款多堆栈176层4D闪存的研发,容量512Gb(64GB),TLC。
SK海力士透露,闪存单元架构为CTF(电荷捕获),同时集成了PUC技术。
4D闪存是SK海力士自己的说法,此番的176层更是被称之为第三代,每片晶圆可以切割更多有效的闪存硅片。
除了容量增加35%,闪存单元的读取速度也提升了20%,使用加速技术可使得传输速度加快33%到1.6Gbps。
SK海力士预计相关产品明年年中上市,目前主控厂商已经在测试样品,预计会在手机闪存领域首发,目标是70%的的读速提升和35%的写速提升,后续还会应用到消费级SSD和企业产品上。
另外,SK海力士已经表示,正在开发1Tb(128GB)容量的176层4D闪存。
显然,今后手机可以在更紧凑的空间内做到大容量ROM空间了。
责任编辑:PSY
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